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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
MMBZ5257B-7-G Diodes Incorporated Mmbz5257b-7-g - - -
RFQ
 ECAD 6213 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen MMBZ5257B-7-GDI Ear99 8541.10.0050 3.000
RL203-T Diodes Incorporated Rl203-t - - -
RFQ
 ECAD 6330 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch DO-204AC, DO-15, Axial RL203 Standard Do-15 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 4.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 200 v 1 V @ 2 a 5 µa @ 200 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 2a - - -
HER303-T Diodes Incorporated HER303-T - - -
RFQ
 ECAD 9792 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch Do-201ad, axial HER303 Standard Do-201ad Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.200 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 1,1 V @ 3 a 50 ns 10 µA @ 200 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 3a - - -
SBR02U100LPQ-7B Diodes Incorporated SBR02U100LPQ-7B 0,1519
RFQ
 ECAD 2912 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 0402 (1006 Metrik) SBR02 Superbarriere X1-DFN1006-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 10.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 100 v 800 MV @ 200 Ma 1 µa @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C. 250 Ma - - -
DXTN07100BP5-13 Diodes Incorporated DXTN07100BP5-13 0,6400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung PowerDi ™ 5 DXTN07100 740 MW PowerDi ™ 5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 5.000 100 v 2 a 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 200 Ma, 2a 100 @ 500 mA, 2V 175MHz
BC847BWQ-13-F Diodes Incorporated BC847BWQ-13-F 0,0252
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 BC847 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-BC847BWQ-13-FTR Ear99 8541.21.0075 10.000 45 V 100 ma 20na (ICBO) Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 200 @ 2MA, 5V 300 MHz
DMTH10H010SPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH10H010SPSQ-13 0,7371
RFQ
 ECAD 3121 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMTH10 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 100 v 11,8a (TA), 100A (TC) 6 V, 10V 8,8 MOHM @ 13A, 10V 4v @ 250 ähm 56,4 NC @ 10 V. ± 20 V 4468 PF @ 50 V - - - 1,5W (TA), 166W (TC)
DDTC124XE-7 Diodes Incorporated DDTC124XE-7 0,3500
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 ECAD 5 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Aktiv DDTC124 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000
BSS8402DW-7-G Diodes Incorporated BSS8402DW-7-G - - -
RFQ
 ECAD 3359 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BSS8402 MOSFET (Metalloxid) 200 MW (TA) SOT-363 Herunterladen 31-BSS8402DW-7-GTR Ear99 8541.29.0095 3.000 N-und p-kanal-krementär 60 V, 50 V 115 Ma (TA), 130 Ma (TA) 13,5 Ohm @ 500 mA, 10 V, 10OHM @ 100 mA, 5 V 2,5 V @ 250 um, 2 V @ 1ma - - - 50pf @ 25v, 45pf @ 25v - - -
BSS138-7-F-79 Diodes Incorporated BSS138-7-F-79 - - -
RFQ
 ECAD 1013 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BSS138 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 - - - 31-BSS138-7-F-79 Ear99 8541.21.0095 1 N-Kanal 50 v 200 Ma (TA) 10V 3,5OHM @ 220 Ma, 10 V. 1,5 V @ 250 ähm ± 20 V 50 PF @ 10 V - - - 300 MW (TA)
BZX84C39Q-7-F Diodes Incorporated BZX84C39Q-7-F 0,0357
RFQ
 ECAD 6939 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5,13% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 300 MW SOT-23-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-BZX84C39Q-7-FTR Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 NA @ 27,3 V. 39 v 130 Ohm
UF1006-T Diodes Incorporated UF1006-T 0,4900
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch Do-204Al, Do-41, axial UF1006 Standard Do-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 800 V 1,7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 800 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4v, 1 MHz
ZC2800ETA Diodes Incorporated ZC2800ETA - - -
RFQ
 ECAD 3808 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Klebeband (CT) Schneiden Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ZC2800 Schottky SOT-23-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 70 V 410 mv @ 1 mA 200 na @ 50 V 15 Ma 2PF @ 0V, 1MHz
DMT6012LFDF-7 Diodes Incorporated DMT6012LFDF-7 0,2542
RFQ
 ECAD 9789 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMT6012 MOSFET (Metalloxid) U-DFN2020-6 (typ f) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 60 v 9,5a (TA) 4,5 V, 10 V. 14mohm @ 8.5a, 10V 2,3 V @ 250 ähm 13.6 NC @ 10 V ± 20 V 785 PF @ 30 V - - - 900 MW (TA), 11W (TC)
1N5408-B Diodes Incorporated 1N5408-B - - -
RFQ
 ECAD 7226 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet K. Loch Do-201ad, axial 1N5408 Standard Do-201ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 500 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1000 v 1 V @ 3 a 10 µa @ 1000 V -65 ° C ~ 150 ° C. 3a 25pf @ 4v, 1 MHz
SD103AW-13-F Diodes Incorporated SD103AW-13-F 0,3800
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOD-123 SD103 Schottky SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 10.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 600 MV @ 200 Ma 10 ns 5 µa @ 30 V -65 ° C ~ 125 ° C. 350 Ma 28PF @ 0V, 1MHz
ZVN3306ASTOB Diodes Incorporated ZVN3306ASTOB - - -
RFQ
 ECAD 7384 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3 MOSFET (Metalloxid) E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 N-Kanal 60 v 270 Ma (TA) 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 2,4 V @ 1ma ± 20 V 35 PF @ 18 V. - - - 625 MW (TA)
SK34-7-F Diodes Incorporated SK34-7-F - - -
RFQ
 ECAD 9691 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC SK34 Schottky SMC Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 40 V -65 ° C ~ 150 ° C. 3a 300PF @ 4V, 1 MHz
ADTC114ECAQ-13 Diodes Incorporated ADTC114ecaq-13 0,0376
RFQ
 ECAD 7882 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ADTC114 310 MW SOT-23-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-attc114ecaq-13tr Ear99 8541.21.0075 10.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5ma, 5v 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
BAS116 Diodes Incorporated Bas116 - - -
RFQ
 ECAD 7919 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bas116 Standard SOT-23-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 85 V 1,25 V @ 150 mA 3 µs 5 Na @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C. 215 Ma 2PF @ 0V, 1MHz
MBR1635 Diodes Incorporated MBR1635 - - -
RFQ
 ECAD 5063 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-2 MBR1635 Schottky To-220ac Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 35 V 630 mv @ 16 a 200 µA @ 35 V -65 ° C ~ 150 ° C. 16a 450pf @ 4V, 1 MHz
RS1DB-13-F Diodes Incorporated RS1DB-13-F 0,4200
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB RS1D Standard SMB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 1,3 V @ 1 a 150 ns 5 µa @ 200 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 15PF @ 4V, 1 MHz
MBR30100CT-G1 Diodes Incorporated MBR30100CT-G1 0,7400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 MBR30100 Schottky To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 15a 850 mv @ 15 a 100 µa @ 100 V. -55 ° C ~ 150 ° C.
MMBZ5225B-7-F Diodes Incorporated MMBZ5225B-7-F 0,1500
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBZ5225 350 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 50 µa @ 1 V 3 v 30 Ohm
SBR3U40S1F-7 Diodes Incorporated SBR3U40S1F-7 0,4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOD-123 SBR3U40 Superbarriere SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 490 mv @ 3 a 180 µa @ 40 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 3a - - -
DCX143EU-7-F Diodes Incorporated DCX143EU-7-F 0,3500
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DCX143 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 500NA 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 300 mV @ 500 µA, 10 mA 50 @ 10 mA, 5 V / 40 @ 10 mA, 5V 250 MHz 4.7kohm 4.7kohm
BAS16LP-7B Diodes Incorporated Bas16LP-7b 0,0290
RFQ
 ECAD 5911 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 0402 (1006 Metrik) Bas16 Standard X1-DFN1006-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen BAS16LP-7BDI Ear99 8541.10.0070 10.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 75 V 1,25 V @ 150 mA 4 ns 1 µa @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C. 200 ma 2PF @ 0V, 1MHz
MMSZ5226BQ-7-F Diodes Incorporated MMSZ5226BQ-7-F 0,0365
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-123 MMSZ5226 370 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-mmsz5226bq-7-Ftr Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 25 µa @ 1 V 3.3 v 28 Ohm
MMBTH10Q-7-F Diodes Incorporated MMBTH10Q-7-F 0,4000
RFQ
 ECAD 9188 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MmbTH10 310 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-mmbTH10Q-7-Ftr Ear99 8541.21.0075 3.000 - - - 25 v 50 ma Npn 60 @ 4ma, 10V 650 MHz - - -
ZXTD617MCTA Diodes Incorporated ZXTD617MCTA 0,3190
RFQ
 ECAD 6736 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad ZXTD617 1.7W W-DFN3020-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 3.000 15 v 5a 100na 2 NPN (Dual) 310 MV @ 50 Ma, 4,5a 300 @ 200 Ma, 2V 80MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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