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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | AZ23C51-7 | 0,4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | AZ23C51 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1034-AZ23C51-7DKR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF30FG-B | - - - | ![]() | 2937 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,3 V @ 3 a | 40 ns | 5 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 75PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S2AA-13-F | 0,4500 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | S2a | Standard | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,15 V @ 1,5 a | 5 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 20pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PD3S230L-7-2477 | - - - | ![]() | 9485 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 323 | Schottky | PowerDi ™ 323 | - - - | 31-PD3S230L-7-2477 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 450 mV @ 2 a | 1,5 mA @ 30 v | -65 ° C ~ 125 ° C. | 2a | 40pf @ 10v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C8V2S-7-F | 0,0756 | ![]() | 1281 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,1% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bzx84 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZX84C8V2S-FDITR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 Unabhängig | 900 mv @ 10 mA | 700 NA @ 5 V. | 8.2 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S3B-13-F | 0,4900 | ![]() | 88 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | S3B | Standard | SMC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,15 V @ 3 a | 10 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 40pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LS4148W | - - - | ![]() | 8847 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik) | LS4148 | Standard | 1206 | - - - | 31-LS4148W | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µa @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 150 Ma | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
MMBD4448H-7 | - - - | ![]() | 4438 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBD4448H | Standard | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 80 v | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 100 na @ 70 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 250 Ma | 3.5PF @ 6v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES3A-13 | - - - | ![]() | 2863 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Es3a | Standard | SMC | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 900 mv @ 3 a | 25 ns | 10 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 45PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
Ddta115gua-7-f | 0,0435 | ![]() | 4596 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTA115 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 82 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 100 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXMN3G32DN8TA | 0,8700 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ZXMN3 | MOSFET (Metalloxid) | 1,8W | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 5.5a | 28mohm @ 6a, 10V | 3v @ 250 ähm | 10.5nc @ 10v | 472pf @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ9694S-7 | 0,4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | DDZ9694 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 NA @ 6.2 V. | 8.2 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
DMN67D8LW-7 | 0,0386 | ![]() | 4214 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DMN67 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 240 mA (TA) | 5v, 10V | 5ohm @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 0,82 NC @ 10 V. | ± 30 v | 22 PF @ 25 V. | - - - | 320 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5254B-7-F | 0,2200 | ![]() | 118 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5254 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 21 V | 27 v | 41 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
BAV23AQ-7-F | 0,0722 | ![]() | 9162 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAV23 | Standard | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-BAV23AQ-7-FTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 200 v | 400 mA (DC) | 1,25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 Na @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR20A100CTB-13 | 0,6293 | ![]() | 5268 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SBR20 | Superbarriere | To-263 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 10a | 750 mv @ 10 a | 100 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS1G-13-G | - - - | ![]() | 4508 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | RS1G-13-GDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DXTA42-13 | 0,3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | DXTA42 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 40 @ 30 ma, 10V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
FZT696BTC | 0,3190 | ![]() | 5102 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT696 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 180 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 250mv @ 5ma, 200 mA | 150 @ 200 Ma, 5V | 70 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTA115GKA-7-F | - - - | ![]() | 7088 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA115 | 200 MW | SC-59-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 82 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 100 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
Bas40v-7 | 0,0756 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | Bas40 | Schottky | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Unabhängig | 40 v | 200 Ma (DC) | 1 V @ 40 mA | 5 ns | 200 na @ 30 v | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C51-7 | - - - | ![]() | 6602 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52 | 410 MW | SOD-123 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 Na @ 38 V. | 51 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B340A-13 | - - - | ![]() | 1353 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | B340 | Schottky | SMA | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 3 a | 500 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 200pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS1MB-13-F | 0,4300 | ![]() | 622 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | RS1M | Standard | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C12S-7 | - - - | ![]() | 2343 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZT52 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 8 v | 12 v | 25 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES1D-13-F-52 | 0,1054 | ![]() | 1394 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Es1d | Standard | SMA | Herunterladen | 31-ES1D-13-F-52 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 920 mv @ 1 a | 25 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 20pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ9694Q-7 | - - - | ![]() | 3711 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | DDZ9694 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 NA @ 6.2 V. | 8.2 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DSS3540M-7b | 0,3900 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Ufdfn | DSS3540 | 250 MW | X1-DFN1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 40 v | 500 mA | 100na | PNP | 350 MV @ 50 Ma, 500 mA | 150 @ 100 mA, 2V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PR3006G-T | - - - | ![]() | 2053 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,3 V @ 3 a | 500 ns | 5 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B220-13 | - - - | ![]() | 3687 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | B220 | Schottky | SMB | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 500 mV @ 2 a | 500 µa @ 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 200pf @ 4v, 1 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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