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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausfluss - Emitterbasis (R2)
ES3A-13 Diodes Incorporated ES3A-13 - - -
RFQ
 ECAD 2863 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC Es3a Standard SMC Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 900 mv @ 3 a 25 ns 10 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 45PF @ 4V, 1 MHz
B220-13 Diodes Incorporated B220-13 - - -
RFQ
 ECAD 3687 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB B220 Schottky SMB - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 20 v 500 mV @ 2 a 500 µa @ 20 V -65 ° C ~ 150 ° C. 2a 200pf @ 4v, 1 MHz
DDZ9688-7 Diodes Incorporated DDZ9688-7 0,2400
RFQ
 ECAD 73 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-123 DDZ9688 500 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 5 µa @ 3 V 4,7 v
ZTX776 Diodes Incorporated ZTX776 - - -
RFQ
 ECAD 4606 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3 ZTX776 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 4.000 200 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200 Ma, 1a 50 @ 500 mA, 5V 30 MHz
DMTH46M7SFVW-13 Diodes Incorporated DMTH46M7SFVW-13 0,6800
RFQ
 ECAD 1487 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke 8-Powervdfn DMTH46 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 40 v 16,3a (TA), 67,2a (TC) 10V 7.4mohm @ 20a, 10V 4v @ 250 ähm 14.8 NC @ 10 V. ± 20 V 1315 PF @ 20 V - - - 3,2 W (TA), 54,5W (TC)
SDT10100P5-13 Diodes Incorporated SDT10100P5-13 0,1958
RFQ
 ECAD 4297 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung PowerDi ™ 5 SDT10100 Schottky PowerDi ™ 5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 700 mv @ 10 a 80 µa @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a - - -
BZT52C12S-7 Diodes Incorporated BZT52C12S-7 - - -
RFQ
 ECAD 2343 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 BZT52 200 MW SOD-323 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 na @ 8 v 12 v 25 Ohm
ES1D-13-F-52 Diodes Incorporated ES1D-13-F-52 0,1054
RFQ
 ECAD 1394 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA Es1d Standard SMA Herunterladen 31-ES1D-13-F-52 Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 920 mv @ 1 a 25 ns 5 µa @ 200 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 20pf @ 4v, 1 MHz
MMBZ5226BW-7-F Diodes Incorporated MMBZ5226BW-7-F 0,3400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 MMBZ5226 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 25 µa @ 1 V 3.3 v 28 Ohm
DDZ9694Q-7 Diodes Incorporated DDZ9694Q-7 - - -
RFQ
 ECAD 3711 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-123 DDZ9694 500 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 NA @ 6.2 V. 8.2 v
SBR20A100CTB-13 Diodes Incorporated SBR20A100CTB-13 0,6293
RFQ
 ECAD 5268 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab SBR20 Superbarriere To-263 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 800 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 10a 750 mv @ 10 a 100 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 175 ° C.
LS4148W Diodes Incorporated LS4148W - - -
RFQ
 ECAD 8847 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Lets Kaufen Oberflächenhalterung 1206 (3216 Metrik) LS4148 Standard 1206 - - - 31-LS4148W Ear99 8541.10.0070 1 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 75 V 1 V @ 10 mA 4 ns 5 µa @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C. 150 Ma 4PF @ 0V, 1MHz
BZX84C20-7-G Diodes Incorporated BZX84C20-7-G - - -
RFQ
 ECAD 2925 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet Bzx84 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen BZX84C20-7-GDI Ear99 8541.10.0050 3.000
DDTA115GKA-7-F Diodes Incorporated DDTA115GKA-7-F - - -
RFQ
 ECAD 7088 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTA115 200 MW SC-59-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 82 @ 5MA, 5V 250 MHz 100 Kohms
DDTA115GUA-7-F Diodes Incorporated Ddta115gua-7-f 0,0435
RFQ
 ECAD 4596 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DDTA115 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 82 @ 5MA, 5V 250 MHz 100 Kohms
FMMT411FDBW-7 Diodes Incorporated FMMT411FDBW-7 1.3965
RFQ
 ECAD 2134 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-udfn exponiert pad 1,7 w W-DFN2020-3 (Typ A) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-FMMT411FDBW-7TR Ear99 8541.29.0075 3.000 15 v 5 a 100NA (ICBO) Npn - avalanche -modus 100 mV @ 1ma, 10 mA 100 @ 10 mA, 10 V. 110 MHz
ZVN0124ASTZ Diodes Incorporated ZVN0124ASTZ - - -
RFQ
 ECAD 3725 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Box (TB) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3 MOSFET (Metalloxid) E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 N-Kanal 240 V 160 mA (ta) 10V 16ohm @ 250 mA, 10V 3V @ 1ma ± 20 V 85 PF @ 25 V. - - - 700 MW (TA)
BZX84C27W-7 Diodes Incorporated BZX84C27W-7 0,1000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Klebeband (CT) Schneiden Aktiv Bzx84 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1034-BZX84C27W-7DKR Ear99 8541.10.0050 3.000
ZXTN2038FTA Diodes Incorporated ZXTN2038fta 0,3800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ZXTN2038 350 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 60 v 1 a 100na Npn 500mv @ 100 mA, 1a 100 @ 500 mA, 5V 150 MHz
FR803 Diodes Incorporated FR803 - - -
RFQ
 ECAD 1641 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-2 Standard To-220ac Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 1,3 V @ 8 a 150 ns 10 µA @ 200 V. -65 ° C ~ 175 ° C. 8a - - -
DMJ70H1D5SV3 Diodes Incorporated DMJ70H1D5SV3 - - -
RFQ
 ECAD 3899 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-251-3 Stub Leads, ipak DMJ70 MOSFET (Metalloxid) To-251 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 700 V 5a (TC) 10V 1,5OHM @ 1a, 10 V. 4v @ 250 ähm 9.8 NC @ 10 V. ± 30 v 316 PF @ 50 V - - - 78W (TC)
DMT32M5LPS-13 Diodes Incorporated DMT32M5LPS-13 0,3373
RFQ
 ECAD 8186 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMT32 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 150a (TC) 4,5 V, 10 V. 2mohm @ 30a, 10V 3V @ 1ma 68 NC @ 10 V. ± 20 V 3944 PF @ 25 V. - - - 100 W (TC)
ZXMD65P03N8TA Diodes Incorporated ZXMD65P03N8TA - - -
RFQ
 ECAD 7124 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Klebeband (CT) Schneiden Veraltet Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) ZXMD65P03 MOSFET (Metalloxid) 1.25W 8-so Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 2 p-kanal (dual) 30V 3.8a 55mohm @ 4,9a, 10V 1V @ 250 ähm 25.7nc @ 10v 930pf @ 25v - - -
BAT54CQ-7-F Diodes Incorporated BAT54CQ-7-F 0,2200
RFQ
 ECAD 633 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bat54 Schottky SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar Gemeinsamer Kathode 30 v 200 ma 800 mV @ 100 mA 5 ns 2 µa @ 25 V. -65 ° C ~ 150 ° C.
S3B-13-F Diodes Incorporated S3B-13-F 0,4900
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC S3B Standard SMC Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 100 v 1,15 V @ 3 a 10 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 3a 40pf @ 4v, 1 MHz
B1100-13-F-2477 Diodes Incorporated B1100-13-F-2477 - - -
RFQ
 ECAD 2877 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Lets Kaufen Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA Schottky SMA - - - 31-B1100-13-F-2477 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 790 mv @ 1 a 500 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 80pf @ 4V, 1 MHz
SDM40E20LA-7-52 Diodes Incorporated SDM40E20LA-7-52 0,1690
RFQ
 ECAD 2003 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 SDM40 Schottky SOT-23-3 Herunterladen 31-SDM40E20LA-7-52 Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 20 v 400 ma 310 mv @ 100 mA 250 µa @ 20 V -65 ° C ~ 125 ° C.
BZT52C3V0-13-G Diodes Incorporated BZT52C3V0-13-G - - -
RFQ
 ECAD 5175 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet BZT52 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen BZT52C3V0-13-GDI Ear99 8541.10.0050 10.000
ZTX457 Diodes Incorporated ZTX457 0,6100
RFQ
 ECAD 5221 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3 ZTX457 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen ZTX457-NDR Ear99 8541.29.0075 4.000 300 V 500 mA 100NA (ICBO) Npn 300mv @ 10 mA, 100 mA 50 @ 50 Ma, 10 V 75 MHz
BZX84C10S-7-F-79 Diodes Incorporated BZX84C10S-7-F-79 - - -
RFQ
 ECAD 3071 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet Bzx84 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen BZX84C10S-7-F-79DI Ear99 8541.10.0050 3.000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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