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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | 1N5404-A52 | - - - | ![]() | 5916 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | 1N5404 | Standard | Do-201ad | - - - | 31-1n5404-A52 | Veraltet | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1 V @ 3 a | 10 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
FMMT597TC | - - - | ![]() | 5194 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt597 | 500 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 300 V | 200 ma | 100na | PNP | 250mv @ 20 mA, 100 mA | 100 @ 50 Ma, 10 V | 75 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ7V5C-7-79 | - - - | ![]() | 6597 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Ddz7v5 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ddz7v5c-7-79di | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Bas70W-05-7 | - - - | ![]() | 4227 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bas70 | Schottky | SOT-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 70 V | 70 Ma (DC) | 1 V @ 15 mA | 5 ns | 100 na @ 50 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBD4448HSDW-7-G | - - - | ![]() | 4038 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MMBD4448HSDW-7-GDI | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR30A100CTE-G | 1.3160 | ![]() | 4511 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | SBR30 | Superbarriere | To-262 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | SBR30A100CTE-GDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 15a | 800 mv @ 15 a | 100 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDC144EU-7-F | 0,4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DDC144 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47kohm | 47kohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR1U200P1-7-50 | 0,0990 | ![]() | 6720 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDI®123 | Superbarriere | PowerDi ™ 123 | Herunterladen | 31-SBR1U200P1-7-50 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 820 MV @ 1 a | 25 ns | 50 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B320B-13-F-2477 | - - - | ![]() | 4894 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Schottky | SMB | - - - | 31-B320B-13-F-2477 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 500 mV @ 3 a | 100 µa @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 200pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4448HLP-7 | 0,3700 | ![]() | 199 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 0402 (1006 Metrik) | 1N4448 | Standard | X1-DFN1006-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 80 v | 1 V @ 100 mA | 4 ns | 100 na @ 80 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 125 Ma | 3PF @ 0,5 V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5245BTS-7-G | - - - | ![]() | 8491 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MMBZ5245BTS-7-GDI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C3V3T-7 | 0,2100 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BZT52 | 300 MW | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 95 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B190Q-13-F | 0,3700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | B190 | Schottky | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 90 v | 790 mv @ 1 a | -65 ° C ~ 155 ° C. | 1a | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
MMBTA05-7-F | 0,2800 | ![]() | 207 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBTA05 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 500 mA | 100na | Npn | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
Bas21Q-13-F | 0,0276 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas21 | Standard | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-Bas21q-13-Ftr | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 250 V | 1,25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 NA @ 250 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 200 ma | 5PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV3004WS-7 | 0,4400 | ![]() | 119 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BAV3004 | Standard | SOD-323 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 NA @ 240 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 225 Ma | 5PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DSR6V600D1-13 | - - - | ![]() | 1813 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Diodestar ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DSR6v600 | Standard | To-252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 3 V @ 6 a | 35 ns | 50 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 30pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR10U40CTB | - - - | ![]() | 2167 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SBR10 | Superbarriere | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | SBR10U40CTBDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 5a | 440 mv @ 5 a | 500 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAW101S-7 | 0,4300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BAW101 | Standard | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 300 V | 250 Ma (DC) | 1,1 V @ 100 mA | 50 ns | 150 NA @ 250 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ9712Q-13 | - - - | ![]() | 1535 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | DDZ9712 | 500 MW | SOD-123 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-DDZ9712q-13tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 21.2 v | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C5V6S-7 | - - - | ![]() | 8822 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 7% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZT52 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 1 µa @ 2 V. | 5.6 v | 40 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C33-13-F | 0,0269 | ![]() | 7893 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZT52C33-13-FDI | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 NA @ 23.1 V. | 33 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
MMBZ5231B-7 | - - - | ![]() | 4620 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5231B | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 2 V. | 5.1 v | 17 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Zlls410ta | 0,4400 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Zlls410 | Schottky | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 10 v | 380 mv @ 100 mA | 3 ns | 6 µa @ 10 V | - - - | 750 Ma | 26pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV170-7-G | - - - | ![]() | 5994 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | BAV170 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BAV170-7-GDI | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BZX84C4V3Q-13-F | 0,0280 | ![]() | 9755 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,98% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-BZX84C4V3Q-13-FTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 1 V | 4.3 v | 90 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4933G-T | 0,0625 | ![]() | 7163 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4933 | Standard | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,2 V @ 1 a | 200 ns | 5 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT32M4LFG-13 | 0,3870 | ![]() | 6197 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMT32 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMT32M4LFG-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 30a (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,7 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 67 NC @ 10 V | ± 20 V | 4366 PF @ 15 V | - - - | 1.1W | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDM20U40Q-7-52 | 0,0439 | ![]() | 9324 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | SDM20 | Schottky | SOD-523 | Herunterladen | 31-SDM20U40Q-7-52 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 600 MV @ 200 Ma | 10 ns | 5 µa @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 250 Ma | 50pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF10150CT-LJ | - - - | ![]() | 3033 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MBRF1015 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | MBRF10150CT-LJDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 5a | 890 mv @ 5 a | 50 µa @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C. |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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