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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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DMN63D1LW-13 | 0,0376 | ![]() | 6366 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DMN63 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 60 v | 380 Ma (TA) | 5v, 10V | 2OHM @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 1ma | 0,3 NC @ 4,5 V | ± 20 V | 30 PF @ 25 V. | - - - | 310 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXTN4004KTC | 0,4300 | ![]() | 72 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | ZXTN4004 | 3,8 w | To-252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 150 v | 1 a | 50na | Npn | - - - | 100 @ 150 mA, 250mV | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
BC817-16W-7 | 0,2800 | ![]() | 639 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC817 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100na | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B340B-13 | - - - | ![]() | 9173 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | B340 | Schottky | SMB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 3 a | 500 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 200pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B180BE-13 | - - - | ![]() | 1636 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | B180 | Schottky | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 80 v | 790 mv @ 1 a | 200 µa @ 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 27pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DL4936-13-F | - - - | ![]() | 2547 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | DL4936 | Standard | Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,2 V @ 1 a | 200 ns | 5 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B370Q-13-F | 0,2475 | ![]() | 7721 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | B370 | Schottky | SMC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 70 V | 790 mv @ 3 a | 500 µA @ 70 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | 100pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B340LA-13-F | 0,4100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | B340 | Schottky | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 450 mV @ 3 a | 2 ma @ 40 v | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | 180pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
BZX84C3V0-7 | - - - | ![]() | 5314 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 7% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 10 µa @ 1 V | 3 v | 95 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZVN0540ASTOB | - - - | ![]() | 6456 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 400 V | 90 mA (TA) | 10V | 50 Ohm @ 100 Ma, 10 V | 3V @ 1ma | ± 20 V | 70 PF @ 25 V. | - - - | 700 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MURS160Q-13-F | 0,7300 | ![]() | 7347 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Standard | SMB | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,25 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PR3004G-T | - - - | ![]() | 5713 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,3 V @ 3 a | 250 ns | 5 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAZ33-13-F | 0,4700 | ![]() | 177 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SMAZ33 | 1 w | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 25.1 V. | 33 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDM20E40C-7-F | 0,4500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SDM20 | Schottky | SC-59-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 400 mA (DC) | 500 MV @ 200 Ma | 70 µa @ 25 V. | -30 ° C ~ 125 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV16WS-7-F | 0,2100 | ![]() | 517 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BAV16 | Standard | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µa @ 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 150 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTC124XCA-7 | 0,3900 | ![]() | 139 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | DDTC124 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1034-DDTC124XCA-7DKR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DMN2991UFB4Q-7B | 0,0454 | ![]() | 1074 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | DMN2991 | MOSFET (Metalloxid) | X2-DFN1006-3 | - - - | 31-DMN2991UFB4Q-7B | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | N-Kanal | 20 v | 500 mA (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 990MOHM @ 100 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,28 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 14.6 PF @ 16 V. | - - - | 360 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B0540W-7-F | 0,3000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | B0540 | Schottky | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 510 mv @ 500 mA | 20 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 500 mA | 170pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR10150CTFP-JT | - - - | ![]() | 6518 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SBR10150 | Superbarriere | ITO-220AB | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 31-SBR10150CTFP-JT | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 5a | 920 mv @ 5 a | 250 µa @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||
SBR160S23-7 | 0,4900 | ![]() | 102 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SBR160S23 | Superbarriere | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 530 MV @ 750 Ma | 100 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 900 Ma | 19PF @ 25V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Fmmta56tc | - - - | ![]() | 3760 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmta56 | 330 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 80 v | 500 mA | 100na | PNP | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 50 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Fmmt596ta | 0,3900 | ![]() | 158 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt596 | 500 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 200 v | 300 ma | 100na | PNP | 350 MV @ 25ma, 250 mA | 85 @ 250 mA, 10V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
MMBZ5255B-7 | - - - | ![]() | 3959 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5255B | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 21 V | 28 v | 44 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
Fmmt415td | 8.5200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt415 | 330 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 500 | 100 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn - avalanche -modus | 500mv @ 1ma, 10 mA | 25 @ 10ma, 10V | 40 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMC5N-7 | 0,4100 | ![]() | 7978 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | UMC5 | 150 MW | SOT-353 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v / 30 @ 10 mA, 5 V. | 250 MHz | 47kohms, 4.7kohms | 47kohms, 10kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
Ddzx36-7 | 0,0435 | ![]() | 1601 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Ddzx36 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 30 v | 36,9 v | 85 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C36-7 | - - - | ![]() | 7570 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 NA @ 25.2 V. | 36 v | 90 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SB530-A | - - - | ![]() | 4103 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 550 mV @ 5 a | 500 µa @ 30 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 500PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN3055LFDB-7 | 0,1457 | ![]() | 4023 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | DMN3055 | MOSFET (Metalloxid) | U-DFN2020-6 (Typ B) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 5a (ta) | 40mohm @ 3a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 5.3nc @ 4.5V | 458PF @ 15V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
DMC2053uvt-7 | 0,4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | DMC2053 | MOSFET (Metalloxid) | 700 MW (TA) | TSOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-und p-kanal-krementär | 20V | 4,6a (TA), 3,2a (TA) | 35MOHM @ 5A, 4,5 V, 74MOHM @ 3,5A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 3,6nc @ 4,5V, 5,9nc @ 4,5 V. | 369pf @ 10v, 440pf @ 10v | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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