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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | SD940-B | - - - | ![]() | 9408 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 570 mv @ 18 a | 800 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 9a | 900PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS70-06T-7-F | 0,4400 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | Bas70 | Schottky | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 70 V | 70 Ma (DC) | 1 V @ 15 mA | 5 ns | 100 na @ 50 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ztx849Stob | - - - | ![]() | 7600 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | Ztx849 | 1,2 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 30 v | 5 a | 50na (ICBO) | Npn | 220 mV @ 200 Ma, 5a | 100 @ 1a, 1V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTH8R06D1-13 | 0,3528 | ![]() | 9927 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Standard | To-252 (Typ WX) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DTH8R06D1-13TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2,9 V @ 8 a | 45 ns | 30 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
DDTC114ECA-7-F-50 | 0,0281 | ![]() | 5556 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automotive, AEC-Q101, DDTC (R1 = R2-Serie) CA | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC114 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 31-DDTC114eca-7-F-50 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDT10A100P5-13 | 0,5900 | ![]() | 8759 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | SDT10 | Schottky | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 680 mv @ 10 a | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS3D-13 | - - - | ![]() | 9293 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | RS3D | Standard | SMC | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 3 a | 150 ns | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF30HG-B | - - - | ![]() | 1167 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 500 V | 1,5 V @ 3 a | 50 ns | 5 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
MMBD7000HC-7-F | 0,1900 | ![]() | 8511 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBD7000 | Standard | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 300 mA (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 3 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B240-13-F-2477 | - - - | ![]() | 9183 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Schottky | SMB | - - - | 31-B240-13-F-2477 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 2 a | 500 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 200pf @ 40V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
DMN6069SE-13 | 0,5100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | DMN6069 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 4,3a (TA), 10a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 69mohm @ 3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 825 PF @ 30 V | - - - | 2.2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDT5100LP5-7D | 0,1595 | ![]() | 8692 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | SDT5100 | Schottky | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 820 mv @ 5 a | 4 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
DDTA144TCA-7-F | 0,0483 | ![]() | 9406 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA144 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 MV @ 250 UA, 2,5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B2100AE-13-2477 | - - - | ![]() | 6078 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Schottky | SMA | - - - | 31-B2100AE-13-2477 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 790 mv @ 2 a | 7 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 70pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZVN2106ASTOB | - - - | ![]() | 9187 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 450 Ma (TA) | 10V | 2OHM @ 1a, 10V | 2,4 V @ 1ma | ± 20 V | 75 PF @ 18 V | - - - | 700 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SD945-A | - - - | ![]() | 8406 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | Schottky | Do-201ad | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 570 mv @ 18 a | 800 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 9a | 900PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDS3100-13-2477 | - - - | ![]() | 7224 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | Schottky | PowerDi ™ 5 | - - - | 31-PDS3100-13-2477 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 830 mv @ 6 a | 200 µA @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR40U120CT-G | - - - | ![]() | 9082 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | SBR40 | Superbarriere | To-220-3 | - - - | 31-SBR40U120CT-G | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 120 v | 20a | 860 mv @ 20 a | 500 µA @ 120 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDU620-13 | 1.3900 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | PDU620 | Standard | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 940 mv @ 6 a | 25 ns | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 6a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Zvn3320astoa | 0,5100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DMG3414U-7 | 0,4600 | ![]() | 240 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMG3414 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 4.2a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 25mo @ 8.2a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 9,6 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 829.9 PF @ 10 V. | - - - | 780 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN2028Uss-13 | 0,6000 | ![]() | 6451 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMN2028 | MOSFET (Metalloxid) | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 20 v | 7.3a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 20mohm @ 9.4a, 4,5 V. | 1,3 V @ 250 ähm | 11.6 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 1000 PF @ 10 V | - - - | 1,56W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | S1KB-13 | - - - | ![]() | 9007 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | S1K | Standard | SMB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
BZX84B20-7-F | 0,1900 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 14 v | 20 v | 55 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV170T-7-F-52 | 0,0639 | ![]() | 1394 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | BAV170 | Standard | SOT-523 | Herunterladen | 31-BAV170T-7-F-52 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 85 V | 215 Ma | 1,25 V @ 150 mA | 3 µs | 5 Na @ 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||
BCM857BV-7 | 0,4400 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | BCM857 | 357 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 175MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV116W-13-F | - - - | ![]() | 1154 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | BAV116 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-BAV116W-13-FTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DFLS240L-7 | 0,4200 | ![]() | 70 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDI®123 | DFLS240 | Schottky | PowerDi ™ 123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 2 a | 100 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 2a | 90pf @ 10v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
BAW156-F | - - - | ![]() | 9056 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAW156 | Standard | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 85 V | 140 mA (DC) | 1,1 V @ 50 Ma | 3 µs | 5 Na @ 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||
Bas21-7 | - - - | ![]() | 3509 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas21 | Standard | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 200 v | 1,25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 Na @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 200 ma | 5PF @ 0V, 1MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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