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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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Fmmtl619ta | 0,4900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmtl619 | 500 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 1,25 a | 10na | Npn | 330 MV @ 125 Ma, 1,25a | 200 @ 500 Ma, 5V | 180 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV116WS-7 | 0,2100 | ![]() | 260 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BAV116 | Standard | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 85 V | 1,25 V @ 150 mA | 3 µs | 5 Na @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 215 Ma | 1,5PF @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTC115GKA-7-F | - - - | ![]() | 8402 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC115 | 200 MW | SC-59-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 82 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 100 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54JW-7-F | 0,4600 | ![]() | 7840 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bat54 | Schottky | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Unabhängig | 30 v | 200 Ma (DC) | 1 V @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | -65 ° C ~ 125 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
ADTC144WCAQ-7 | 0,0508 | ![]() | 8847 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ADTC144 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 47 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C5V1-7 | - - - | ![]() | 6654 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 2 µa @ 2 V | 5.1 v | 60 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
FMMTL718TC | - - - | ![]() | 5373 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmtl718 | 500 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 20 v | 1 a | 10na | PNP | 450 MV @ 100 Ma, 1,5a | 200 @ 500 Ma, 2V | 265 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SD1A180A | 0,4000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | SD1A180 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 5.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bas28-7 | 0,3200 | ![]() | 74 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | Bas28 | Standard | SOT-143 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 85 V | 215 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µa @ 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APD360VPTR-E1 | - - - | ![]() | 4992 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Do-201aa, Do-27, axial | APD360 | Schottky | Do-27 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 680 mv @ 3 a | 500 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5230bs-7-F | 0,2800 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | MMSZ5230 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 2 V. | 4,7 v | 19 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B380B-13-F-2477 | - - - | ![]() | 9013 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Schottky | SMB | - - - | 31-B380B-13-F-2477 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 80 v | 790 mv @ 3 a | 500 µa @ 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 120pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847AT-7-F | 0,2200 | ![]() | 597 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | BC847 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PD3S230L-7 | 0,4800 | ![]() | 179 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 323 | PD3S230 | Schottky | PowerDi ™ 323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 450 mV @ 2 a | 1,5 mA @ 30 v | -65 ° C ~ 125 ° C. | 2a | 40pf @ 10v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D7g-t | 0,0643 | ![]() | 4947 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | T1, axial | D7g | Standard | T-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1 V @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 8PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
Bas40-04-13-f | - - - | ![]() | 5468 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas40 | Schottky | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 40 v | 200 Ma (DC) | 1 V @ 40 mA | 5 ns | 200 na @ 30 v | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
BZX84B36-7-F | 0,1900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 NA @ 25.2 V. | 36 v | 90 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV70HDWQ-13-52 | 0,0337 | ![]() | 4480 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BAV70 | Standard | SOT-363 | Herunterladen | 31-BAV70HDWQ-13-52 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Paar Gemeinsame Kathode Passen | 100 v | 125 Ma | 1 V @ 50 Ma | 4 ns | 500 na @ 80 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR30A60CT | 1.9500 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | SBR30 | Superbarriere | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 15a | 600 mv @ 15 a | 500 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
BSS84TC | - - - | ![]() | 7530 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BSS84 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | P-Kanal | 50 v | 130 mA (ta) | 5v | 10ohm @ 100 mA, 5V | 2V @ 1ma | ± 20 V | 40 PF @ 25 V. | - - - | 360 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
ZXMN6A07FTC | - - - | ![]() | 3188 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXMN6 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 60 v | 1.2a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 250 MOHM @ 1,8a, 10 V | 3v @ 250 ähm | 3,2 NC @ 10 V. | ± 20 V | 166 PF @ 40 V | - - - | 625 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ9717Q-7 | - - - | ![]() | 1590 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | DDZ9717 | 500 MW | SOD-123 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-DDZ9717Q-7TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 32.6 V. | 43 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B340LB-13-F | 0,4100 | ![]() | 147 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | B340 | Schottky | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 450 mV @ 3 a | 2 ma @ 40 v | -55 ° C ~ 125 ° C. | 3a | 180pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR1045D1-13 | 0,9000 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SBR1045 | Superbarriere | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 580 mv @ 10 a | 500 µa @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 400PF @ 5V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ddz6v8asf-7 | 0,0286 | ![]() | 8982 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,63% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Ddz6v8 | 500 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 7,5 µa @ 4 V. | 6.46 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR0240LPW-7B-52 | 0,0425 | ![]() | 9570 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 0402 (1006 Metrik) | SBR0240 | Superbarriere | X1-DFN1006-2 | Herunterladen | 31-SBR0240LPW-7B-52 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 590 MV @ 200 Ma | 3.8 ns | 10 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 200 ma | 8PF @ 5V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
ZXTP2039ftc | 0,0943 | ![]() | 4466 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXTP2039 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 60 v | 1 a | 100na | PNP | 600mv @ 100 mA, 1a | 100 @ 500 mA, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS16HTWQ-13R | 0,3400 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bas16 | Standard | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 3 Unabhängig | 100 v | 200 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 na @ 80 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP2040UVT-13 | 0,1027 | ![]() | 1445 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | - - - | - - - | DMP2040 | MOSFET (Metalloxid) | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | P-Kanal | 20 v | 5,5a (TA), 13A (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 38mohm @ 8,9a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 8,6 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 834 PF @ 10 V. | - - - | 1.2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PR1005G-T | 0,0756 | ![]() | 7415 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | PR1005 | Standard | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 1 a | 250 ns | 5 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 8PF @ 4V, 1 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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