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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | DDZ9687Q-13 | - - - | ![]() | 6457 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | DDZ9687 | 500 MW | SOD-123 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-DDZ9687q-13tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 4 µa @ 2 V. | 4.3 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APD245VRTR-G1 | - - - | ![]() | 6651 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | APD245 | Schottky | Do-214AC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 500 mV @ 2 a | 500 µa @ 45 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 2a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5257bs-7 | - - - | ![]() | 4938 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | MMSZ5257B | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 Na @ 25 V. | 33 v | 58 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Zumt591TC | - - - | ![]() | 1091 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Zumt591 | 500 MW | SOT-323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 1 a | 100na | PNP | 600mv @ 100 mA, 1a | 100 @ 500 mA, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDT5100LP5-7D | 0,1595 | ![]() | 8692 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | SDT5100 | Schottky | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 820 mv @ 5 a | 4 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXTC2061E6TA | 0,7500 | ![]() | 6286 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | ZXTC2061 | 1.1W | SOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 12V | 5a, 3,5a | 50na (ICBO) | NPN, PNP | 180mv @ 100 mA, 5a / 200mv @ 350 Ma, 3,5a | 480 @ 1a, 2v / 290 @ 1a, 2V | 260 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D7g-t | 0,0643 | ![]() | 4947 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | T1, axial | D7g | Standard | T-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1 V @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 8PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
MMBZ5232BW-7 | - - - | ![]() | 8177 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MMBZ5232B | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 3 V | 5.6 v | 11 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
ZXMP6A13FTA-50 | 0,1426 | ![]() | 2550 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXMP6A13 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | 31-Zxmp6a13fta-50 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 1.1a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 400mohm @ 900 mA, 10 V. | 3v @ 250 ähm | 5,9 NC @ 10 V. | ± 20 V | 219 PF @ 30 V | - - - | 625 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
MMBZ5228BW-7 | - - - | ![]() | 1665 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MMBZ5228B | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 10 µa @ 1 V | 3,9 v | 23 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AZ23C20-7-G | - - - | ![]() | 7136 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | AZ23C20 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | AZ23C20-7-GDI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C4V7SQ-7-F | 0,0359 | ![]() | 9738 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,38% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZT52 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-BZT52C4V7SQ-7-FTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 2 µa @ 2 V | 4,7 v | 80 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
BAW156Q-7-F-52 | 0,0362 | ![]() | 5615 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAW156 | Standard | SOT-23-3 | Herunterladen | 31-BAW156Q-7-F-52 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 85 V | 160 ma | 1,25 V @ 150 mA | 3 µs | 5 Na @ 75 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5252BW-7 | 0,3600 | ![]() | 136 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1034-MMBZ5252BW-7DKR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DCX114EUQ-7-F | 0,0660 | ![]() | 7337 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101, DCX (XXXX) U. | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DCX114 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DCX114EUQ-7-FTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA (ICBO) | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10kohm | 10kohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SF30FG-T | - - - | ![]() | 4285 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,3 V @ 3 a | 40 ns | 5 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B340AXS-13 | 0,3500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA Flat Leads | B340 | Schottky | SMA-FS | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 3 a | 200 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 285PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
BZX84B15Q-7-F | 0,0382 | ![]() | 9055 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-BZX84B15Q-7-FTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 Na @ 10,5 V. | 15 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN2028Uss-13 | 0,6000 | ![]() | 6451 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMN2028 | MOSFET (Metalloxid) | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 20 v | 7.3a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 20mohm @ 9.4a, 4,5 V. | 1,3 V @ 250 ähm | 11.6 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 1000 PF @ 10 V | - - - | 1,56W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | S1KB-13 | - - - | ![]() | 9007 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | S1K | Standard | SMB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
BAS70W-06-7 | - - - | ![]() | 8215 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bas70 | Schottky | SOT-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 70 V | 70 Ma (DC) | 1 V @ 15 mA | 5 ns | 100 na @ 50 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DSS60601MZ4Q-13 | 0,1804 | ![]() | 4729 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | DSS60601 | 500 MW | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-DSS60601MZ4Q-13TR | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.500 | 120 v | 700 Ma | 1 µA (ICBO) | PNP | 360 mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 100 mA, 5V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B370BE-13 | - - - | ![]() | 9517 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | B370 | Schottky | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 70 V | 790 mv @ 3 a | 100 µa @ 70 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 105PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C5V6S-7 | - - - | ![]() | 2945 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bzx84 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 Unabhängig | 900 mv @ 10 mA | 1 µa @ 2 V. | 5.6 v | 40 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B360A-13-F | 0,3800 | ![]() | 111 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | B360 | Schottky | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 700 mv @ 3 a | 500 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 200pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UG3004-T | - - - | ![]() | 3401 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | Standard | Do-201ad | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,25 V @ 3 a | 50 ns | 5 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5230BTS-7-F | 0,1300 | ![]() | 5582 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MMBZ5230 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 Unabhängig | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 2 V. | 4,7 v | 19 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Zvn3320astoa | 0,5100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ZXM61N02FTA | 0,4900 | ![]() | 9361 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXM61N02 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 1.7a (ta) | 2,7 V, 4,5 V. | 180 MOHM @ 930 Ma, 4,5 V. | 700 MV @ 250 um (min) | 3,4 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 160 PF @ 15 V | - - - | 625 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
Bzx84c3v0ta | - - - | ![]() | 4546 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 10 µa @ 1 V | 3 v | 100 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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