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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
B340AXS-13 Diodes Incorporated B340AXS-13 0,3500
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 ECAD 9 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA Flat Leads B340 Schottky SMA-FS Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 10.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 500 mV @ 3 a 200 µa @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 285PF @ 4V, 1 MHz
MMBZ5231B-7-F Diodes Incorporated MMBZ5231B-7-F 0,1600
RFQ
 ECAD 111 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBZ5231 350 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 5 µa @ 2 V. 5.1 v 17 Ohm
DMNH6042SSDQ-13 Diodes Incorporated DMNH6042SSDQ-13 0,9600
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 ECAD 7 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMNH6042 MOSFET (Metalloxid) 2.1W 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 2 n-kanal (dual) 60 v 16,7a (TC) 50mohm @ 5.1a, 10V 3v @ 250 ähm 4.2nc @ 4.5V 584PF @ 25v - - -
SBR4045CTFP-JT Diodes Incorporated SBR4045CTFP-JT - - -
RFQ
 ECAD 6057 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte SBR4045 Superbarriere ITO-220AB Herunterladen 1 (unbegrenzt) 31-SBR4045CTFP-JT Ear99 8541.10.0080 50 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 20a 550 mV @ 20 a 500 µa @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C.
DDTC123EE-7-F Diodes Incorporated DDTC123EE-7-F 0,0605
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 ECAD 2737 0.00000000 Dioden Eingenbaut Ddtc (r1 = r2 -serie) ee Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-523 DDTC123 150 MW SOT-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DDTC123EEE-FDITR Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 20 @ 20 Ma, 5V 250 MHz 2.2 Kohms 2.2 Kohms
BZT52C13TQ-7-F Diodes Incorporated BZT52C13TQ-7-F 0,0474
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 ECAD 2011 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6,54% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 BZT52 300 MW SOD-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 na @ 8 v 13 v 30 Ohm
ZHCS1000TA Diodes Incorporated ZHCS1000TA 0,5800
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 ECAD 19 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ZHCS1000 Schottky SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 500 mV @ 1 a 12 ns 100 µa @ 30 V 125 ° C (max) 1a 25pf @ 25v, 1 MHz
ZVP1320FTA Diodes Incorporated ZVP1320fta 0,5600
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 ECAD 36 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ZVP1320 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 200 v 35 mA (ta) 10V 80OHM @ 50 Ma, 10V 3,5 V @ 1ma ± 20 V 50 PF @ 25 V. - - - 350 MW (TA)
BAW156Q-7-F-52 Diodes Incorporated BAW156Q-7-F-52 0,0362
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 ECAD 5615 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BAW156 Standard SOT-23-3 Herunterladen 31-BAW156Q-7-F-52 Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 85 V 160 ma 1,25 V @ 150 mA 3 µs 5 Na @ 75 V -55 ° C ~ 150 ° C.
BAT46W-7-F-2477 Diodes Incorporated BAT46W-7-F-2477 - - -
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 ECAD 3167 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Lets Kaufen Oberflächenhalterung SOD-123 Schottky SOD-123 - - - 31-BAT46W-7-F-2477 1 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 100 v 450 mv @ 10 mA 2 µa @ 75 V -55 ° C ~ 125 ° C. 150 Ma 20pf @ 0v, 1 MHz
BAS21W-7-F Diodes Incorporated Bas21W-7-F 0,2800
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 Bas21 Standard SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 200 v 1,25 V @ 200 Ma 50 ns 100 Na @ 200 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 200 ma 5PF @ 0V, 1MHz
ZXM61N02FTA Diodes Incorporated ZXM61N02FTA 0,4900
RFQ
 ECAD 9361 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ZXM61N02 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 20 v 1.7a (ta) 2,7 V, 4,5 V. 180 MOHM @ 930 Ma, 4,5 V. 700 MV @ 250 um (min) 3,4 NC @ 4,5 V. ± 12 V 160 PF @ 15 V - - - 625 MW (TA)
DSS60601MZ4Q-13 Diodes Incorporated DSS60601MZ4Q-13 0,1804
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 ECAD 4729 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa DSS60601 500 MW Mpt3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-DSS60601MZ4Q-13TR Ear99 8541.21.0075 2.500 120 v 700 Ma 1 µA (ICBO) PNP 360 mv @ 50 mA, 500 mA 120 @ 100 mA, 5V 300 MHz
DDTA114GKA-7-F Diodes Incorporated DDTA114GKA-7-F - - -
RFQ
 ECAD 8732 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTA114 200 MW SC-59-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5ma, 5v 250 MHz 10 Kohms
DMT35M8LDG-7 Diodes Incorporated DMT35M8LDG-7 0,9800
RFQ
 ECAD 8874 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn MOSFET (Metalloxid) 980 MW (TA), 2W (TC) PowerDI3333-8 (Typ G) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 2.000 2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch 30V 17a (ta), 15,3a (ta) 4,7 MOHM @ 20A, 10V, 5,8 Mohm @ 18a, 10 V 1,9 V @ 250 ähm 22.7nc @ 10v, 16.3nc @ 10v 1510pf @ 15V, 1032pf @ 15V Standard
RS1MWF-7 Diodes Incorporated RS1MWF-7 0,4400
RFQ
 ECAD 273 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOD-123F RS1M Standard SOD-123F Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1000 v 1,3 V @ 1 a 500 ns 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 8PF @ 1V, 1 MHz
SBR20A100CTE Diodes Incorporated SBR20A100CTE 1.1620
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 ECAD 1482 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Rohr Aktiv K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa SBR20 Superbarriere To-262 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen SBR20A100CTEDI Ear99 8541.10.0080 50 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 10a 750 mv @ 10 a 100 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 175 ° C.
BZX84C2V4-7-F Diodes Incorporated BZX84C2V4-7-F 0,2100
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 8% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 50 µa @ 1 V 2,4 v 100 Ohm
MMSZ5226B-7 Diodes Incorporated MMSZ5226B-7 - - -
RFQ
 ECAD 7819 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 MMSZ5226B 500 MW SOD-123 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 25 µa @ 1 V 3.3 v 28 Ohm
BZX84C3V0TA Diodes Incorporated Bzx84c3v0ta - - -
RFQ
 ECAD 4546 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 350 MW SOT-23-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 10 µa @ 1 V 3 v 100 Ohm
DDZ9687Q-13 Diodes Incorporated DDZ9687Q-13 - - -
RFQ
 ECAD 6457 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-123 DDZ9687 500 MW SOD-123 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-DDZ9687q-13tr Ear99 8541.10.0050 10.000 900 mv @ 10 mA 4 µa @ 2 V. 4.3 v
DMP4025LK3Q-13 Diodes Incorporated DMP4025LK3Q-13 0,3526
RFQ
 ECAD 2895 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DMP4025 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMP4025LK3Q-13TR Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 40 v 6.7a (ta) 4,5 V, 10 V. 25mohm @ 3a, 10V 1,8 V @ 250 ähm 33.7 NC @ 10 V. ± 20 V 1643 PF @ 20 V - - - 1.7W (TA)
DP0150ALP4-7 Diodes Incorporated DP0150ALP4-7 - - -
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 ECAD 2912 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-xfdfn DP0150 450 MW X2-DFN1006-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DP0150ALP4-7DI Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 mA, 100 mA 120 @ 2MA, 6V 80MHz
BAS521LP-7B Diodes Incorporated BAS521LP-7B - - -
RFQ
 ECAD 7058 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung 0402 (1006 Metrik) Bas521 Standard X1-DFN1006-2 Herunterladen Ear99 8541.10.0070 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 325 v 1,1 V @ 100 mA 50 ns 150 NA @ 250 V -65 ° C ~ 150 ° C. 400 ma 5PF @ 0V, 1MHz
ZTX792ASTOB Diodes Incorporated ZTX792ASTOB - - -
RFQ
 ECAD 5281 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads Ztx792a 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 70 V 2 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200 Ma, 2a 300 @ 10ma, 2v 100 MHz
T16M35T800HC Diodes Incorporated T16M35T800HC 0,9300
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv T16m35 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-t16m35T800HC Ear99 8541.30.0080 50
ZMM5225B-7 Diodes Incorporated ZMM5225B-7 - - -
RFQ
 ECAD 6167 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213aa Zmm5225 500 MW Mini Melf Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0050 2.500 1,5 V @ 200 Ma 50 µa @ 1 V 3 v 29 Ohm
BAS40T-7-F Diodes Incorporated Bas40T-7-F 0,4500
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-523 Bas40 Schottky SOT-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 40 v 1 V @ 40 mA 5 ns 200 na @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C. 200 ma 5PF @ 0V, 1MHz
SD101AW-13-F Diodes Incorporated SD101AW-13-F - - -
RFQ
 ECAD 2966 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SOD-123 SD101a Schottky SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 10.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 60 v 1 V @ 15 mA 1 ns 200 na @ 50 V -65 ° C ~ 125 ° C. 15 Ma 2PF @ 0V, 1MHz
DMG4800LFG-7 Diodes Incorporated DMG4800LFG-7 0,4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerudfn DMG4800 MOSFET (Metalloxid) U-DFN3030-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 30 v 7.44a (TA) 4,5 V, 10 V. 17mohm @ 9a, 10V 1,5 V @ 250 ähm 9.47 NC @ 5 V. ± 25 V 798 PF @ 10 V. - - - 940 MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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