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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | MMDT3904-7-F-79 | - - - | ![]() | 7281 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Mmdt3904 | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 31-MMDT3904-7-F-79TR | Veraltet | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP3085LSS-13 | 0,4200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMP3085 | MOSFET (Metalloxid) | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 3.8a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 70 MOHM @ 5.3A, 10V | 3v @ 250 ähm | 5,2 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 563 PF @ 25 V. | - - - | 1,3W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
DDTA113ZUA-7 | - - - | ![]() | 6072 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTA113 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C39S-7-F | 0,0756 | ![]() | 2458 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,13% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bzx84 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 NA @ 27,3 V. | 39 v | 130 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Fmmt38cta | 0,4100 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt38 | 330 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 60 v | 300 ma | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,25 V @ 8ma, 800 mA | 5000 @ 100 mA, 5V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AZ23C3V6-7-G | - - - | ![]() | 2611 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | AZ23C3v6 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | AZ23C3V6-7-GDI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DMC3061SVTQ-7-52 | 0,1059 | ![]() | 8800 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | DMC3061 | MOSFET (Metalloxid) | 880 MW | TSOT-26 | Herunterladen | 31-DMC3061SVTQ-7-52 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-und p-kanal-krementär | 30V | 3,4a (TA), 2,7a (TA) | 60MOHM @ 3,1A, 10V, 95MOHM @ 2,7A, 10V | 1,8 V @ 250 UA, 2,2 V @ 250 µA | 6,6nc @ 10v, 6,8nc @ 10v | 27.6PF @ 15V, 28.7PF @ 15V | Standard | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D3Z4V3BF-7 | 0,4400 | ![]() | 452 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 4% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | D3Z4v3 | 400 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 3 µa @ 1 V | 4.33 v | 90 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | N6200D | - - - | ![]() | 1037 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXMN6A07ZTA | 0,5700 | ![]() | 5289 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | To-243aa | ZXMN6 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 1,9a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 250 MOHM @ 1,8a, 10 V | 3v @ 250 ähm | 3,2 NC @ 10 V. | ± 20 V | 166 PF @ 40 V | - - - | 1,5 W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
ZXTN19020DGTA | 0,8100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | ZXTN19020 | 3 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 20 v | 9 a | 50na (ICBO) | Npn | 250 MV @ 450 Ma, 9A | 300 @ 100 mA, 2 V | 160 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
DMN53D0L-7 | 0,3700 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN53 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 50 v | 500 mA (TA) | 2,5 V, 10 V. | 1,6OHM @ 500 mA, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 0,6 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 46 PF @ 25 V. | - - - | 370 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
FZT851ta | 0,9200 | ![]() | 87 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT851 | 3 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 6 a | 50na (ICBO) | Npn | 375mv @ 300 mA, 6a | 100 @ 2a, 1V | 130 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LL4148-7 | - - - | ![]() | 2936 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | LL4148 | Standard | Mini Melf | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µa @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 150 Ma | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR5200VPB-E1 | - - - | ![]() | 5403 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | Do-201aa, Do-27, axial | Schottky | Do-27 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 950 mv @ 5 a | 500 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBRT20U100SLP-13 | 1.3000 | ![]() | 6455 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Trenchsbr | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | SBRT20 | Superbarriere | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 700 mV @ 20 a | 300 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR20U40CT | 1.7100 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | SBR20 | Superbarriere | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 10a | 470 mv @ 10 a | 500 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTA114YLP-7 | 0,1213 | ![]() | 3996 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 3-Ufdfn | DDTA114 | 250 MW | X1-DFN1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 80 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B370BE-13 | - - - | ![]() | 9517 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | B370 | Schottky | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 70 V | 790 mv @ 3 a | 100 µa @ 70 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 105PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C5V6S-7 | - - - | ![]() | 2945 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bzx84 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 Unabhängig | 900 mv @ 10 mA | 1 µa @ 2 V. | 5.6 v | 40 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDM160S1F-7 | 0,0923 | ![]() | 5880 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | SDM160 | Schottky | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 530 mv @ 1 a | 60 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S5MB-13 | 0,4200 | ![]() | 725 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Standard | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,15 V @ 5 a | 10 µa @ 1000 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 28PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZT955TA-79 | - - - | ![]() | 7852 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 31-FZT955TA-79TR | Veraltet | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5257bs-7 | - - - | ![]() | 4938 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | MMSZ5257B | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 Na @ 25 V. | 33 v | 58 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DCX114EUQ-7-F | 0,0660 | ![]() | 7337 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101, DCX (XXXX) U. | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DCX114 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DCX114EUQ-7-FTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA (ICBO) | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10kohm | 10kohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5230BTS-7-F | 0,1300 | ![]() | 5582 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MMBZ5230 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 Unabhängig | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 2 V. | 4,7 v | 19 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
BZX84B15Q-7-F | 0,0382 | ![]() | 9055 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-BZX84B15Q-7-FTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 Na @ 10,5 V. | 15 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR2M60S1F-7 | 0,4000 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | SBR2M60 | Superbarriere | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 60 v | 700 mv @ 2 a | 800 NA @ 60 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DSC08A065FP | 4.0500 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | DSC08 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | ITO-220AC (Typ WX) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 31-dsc08a065fp | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 650 V | 1,5 V @ 8 a | 230 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | 370pf @ 100mv, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B360A-13-F | 0,3800 | ![]() | 111 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | B360 | Schottky | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 700 mv @ 3 a | 500 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 200pf @ 4v, 1 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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