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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | SDT40A120VCT | - - - | ![]() | 6052 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | SDT40 | - - - | 0000.00.0000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ![]() | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ![]() | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ![]() | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ![]() | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | Mmdt3904-7-f | 0,2800 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Mmdt3904 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40V | 200 ma | 50na (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
ZX5T953GTA | 0,8900 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | ZX5T953 | 3 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 100 v | 5 a | 20na (ICBO) | PNP | 340mv @ 400 mA, 4a | 100 @ 1a, 1V | 125 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UF3003-T | - - - | ![]() | 6822 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | UF3003 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1 V @ 3 a | 50 ns | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 75PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fcx491qta | 0,2125 | ![]() | 7483 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | FCX491 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Fcx491qtadi | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 1 a | 100na | Npn | 500mv @ 100 mA, 1a | 100 @ 500 mA, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PR1001-T | 0,0316 | ![]() | 8233 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | PR1001 | Standard | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,2 V @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN4030LK3Q-13 | 0,3665 | ![]() | 2346 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DMN4030 | MOSFET (Metalloxid) | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 9,4a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 30mohm @ 12a, 10V | 3v @ 250 ähm | 12.9 NC @ 10 V. | ± 20 V | 604 PF @ 20 V | - - - | 2.14W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ9689S-7 | 0,3500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | DDZ9689 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 3 V | 5.1 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR10U100CTFP | 0,9000 | ![]() | 389 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SBR10 | Superbarriere | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | SBR10U100CTFPDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 5a | 670 mv @ 5 a | 200 µA @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
DMP2225L-7 | - - - | ![]() | 7820 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMP2225 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2.6a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 110 MOHM @ 2,6a, 4,5 V. | 1,25 V @ 250 ähm | 5.3 NC @ 4.5 V | ± 12 V | 250 PF @ 10 V | - - - | 1.08W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ztx718stoa | - - - | ![]() | 3720 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX718 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 20 v | 2,5 a | 100na | PNP | 260mv @ 200 Ma, 2,5a | 150 @ 2a, 2v | 180 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN66D0LDWQ-13 | 0,0500 | ![]() | 4375 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMN66 | MOSFET (Metalloxid) | 400 MW (TA) | SOT-363 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMN66D0LDWQ-13TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 217 mA (ta) | 6OHM @ 115 Ma, 5V | 2v @ 250 ähm | 0,9nc @ 10v | 29.3pf @ 25v | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SB860-T | - - - | ![]() | 5218 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 31-sb860-ttr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTC143EE-7-F | 0,3500 | ![]() | 147 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DDTC143 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B1100b-13 | - - - | ![]() | 4777 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | B1100 | Schottky | SMB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 790 mv @ 1 a | 500 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 80pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SD101BW-13 | - - - | ![]() | 4409 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SOD-123 | SD101B | Schottky | SOD-123 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 50 v | 950 mv @ 15 mA | 1 ns | 200 Na @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 15 Ma | 2.1pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV99HDWQ-7 | - - - | ![]() | 2798 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BAV99 | Standard | SOT-363 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Paar Serie Verbindung | 100 v | 200 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 na @ 80 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
MMBT4403-7-F | 0,1400 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBT4403 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 600 mA | - - - | PNP | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT6006LSS-13 | 0,3615 | ![]() | 5390 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-so | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMT6006LSS-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 11.9a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 6,5 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 34,9 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2162 PF @ 30 V | - - - | 1,38W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES1D-13 | - - - | ![]() | 1826 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Es1d | Standard | SMA | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 920 mv @ 1 a | 25 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 20pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
DMN30H4D0L-13-52 | 0,2243 | ![]() | 4566 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN30 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | 31-DMN30H4D0L-13-52 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 300 V | 250 mA (TA) | 2,7 V, 10 V. | 4OHM @ 300 mA, 10V | 3v @ 250 ähm | 7.6 NC @ 10 V | ± 20 V | 187.3 PF @ 25 V. | - - - | 310 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDA144EU-7-F | 0,4100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DDA144 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47kohm | 47kohm | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S1AB-13-G | - - - | ![]() | 7703 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | S1AB-13-GDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMSTA06Q-7-F | 0,2600 | ![]() | 95 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MMSTA06 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 80 v | 500 mA | 100na | Npn | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B180Q-13-F | 0,3700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | B180 | Schottky | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 80 v | 790 mv @ 1 a | -65 ° C ~ 155 ° C. | 1a | 80pf @ 4V, 1 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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