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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
SDM160S1F-7-2477 Diodes Incorporated SDM160S1F-7-2477 - - -
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 ECAD 9782 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Lets Kaufen Oberflächenhalterung SOD-123F Schottky SOD-123F - - - 31-SDM160S1F-7-2477 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 530 mv @ 1 a 60 µa @ 60 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a 48PF @ 10V, 1 MHz
DDTC114GKA-7-F Diodes Incorporated DDTC114GKA-7-F - - -
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 ECAD 4300 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTC114 200 MW SC-59-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5ma, 5v 250 MHz 10 Kohms
SBR20A120CTE Diodes Incorporated SBR20A120CTE - - -
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 ECAD 9677 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Rohr Veraltet K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa SBR20 Superbarriere To-262 - - - 1 (unbegrenzt) 31-SBR20A120CTE Ear99 8541.10.0080 50 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 120 v 10a 790 mv @ 10 a 100 µA @ 120 V -65 ° C ~ 150 ° C.
S3BB-13 Diodes Incorporated S3BB-13 - - -
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 ECAD 2093 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB S3B Standard SMB Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 100 v 1,15 V @ 3 a 10 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 3a 40pf @ 4v, 1 MHz
SBR60A60CT-G-2223 Diodes Incorporated SBR60A60CT-G-2223 - - -
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 ECAD 1986 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Schüttgut Lets Kaufen K. Loch To-220-3 Superbarriere To-220-3 - - - 31-SBR60A60CT-G-2223 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 60 v 30a 650 mv @ 30 a 200 µa @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C.
MBR5H150VPB-E1 Diodes Incorporated MBR5H150VPB-E1 - - -
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 ECAD 7441 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet K. Loch Do-201aa, Do-27, axial Schottky Do-201 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 150 v 920 mv @ 5 a 8 µA @ 150 V 175 ° C (max) 5a - - -
MMBZ5231BTS-7-F Diodes Incorporated MMBZ5231BTS-7-F 0,1300
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 ECAD 9177 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMBZ5231 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 3 Unabhängig 900 mv @ 10 mA 5 µa @ 2 V. 5.1 v 17 Ohm
SBL1645PT Diodes Incorporated SBL1645PT - - -
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 ECAD 1895 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Veraltet K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 SBL1645 Schottky To-3p Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 16a 550 mV @ 8 a 500 µa @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C.
BZT52HC5V6WF-7 Diodes Incorporated BZT52HC5V6WF-7 0,2500
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 ECAD 9 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 7,14% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 1 µa @ 2 V. 5.6 v 40 Ohm
PDR5KF-13 Diodes Incorporated PDR5KF-13 - - -
RFQ
 ECAD 6668 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung PowerDi ™ 5 PDR5 Standard PowerDi ™ 5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 800 V 1,2 V @ 5 a 500 ns 10 µa @ 800 V -65 ° C ~ 150 ° C. 5a - - -
B1100LB-13-F Diodes Incorporated B1100LB-13-F 0,4300
RFQ
 ECAD 2276 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB B1100 Schottky SMB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 750 mV @ 1 a 500 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 100pf @ 4v, 1 MHz
SBL1640PT Diodes Incorporated SBL1640PT - - -
RFQ
 ECAD 5263 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Veraltet K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 SBL1640 Schottky To-3p Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 30 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 40 v 16a 550 mV @ 8 a 500 µa @ 40 V -65 ° C ~ 150 ° C.
DDTC114EUAQ-7-F Diodes Incorporated DDTC114EUAQ-7-F 0,0426
RFQ
 ECAD 1540 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DDTC114 200 MW SOT-323 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DDTC114EUAQ-7-FTR Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5ma, 5v 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
SB120A-01 Diodes Incorporated SB120A-01 - - -
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 ECAD 2914 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet - - - - - - - - - - - - - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen 31-SB120A-01 Ear99 8541.10.0080 1.000 - - - - - - - - - - - -
BAS16W-7 Diodes Incorporated BAS16W-7 0,3900
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 ECAD 6 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Klebeband (CT) Schneiden Aktiv Bas16 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000
SBR545SAFQ-13-52 Diodes Incorporated SBR545SAFQ-13-52 0,1323
RFQ
 ECAD 3671 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA Flat Leads Superbarriere Smaf Herunterladen 31-SBR545SAFQ-13-52 Ear99 8541.10.0080 10.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 45 V 560 mV @ 5 a 200 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C. 5a - - -
SB330-B Diodes Incorporated SB330-B - - -
RFQ
 ECAD 1165 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch Do-201ad, axial Schottky Do-201ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 1.200 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 30 V -65 ° C ~ 125 ° C. 3a - - -
2A07G_HF-A52 Diodes Incorporated 2A07G_HF-A52 - - -
RFQ
 ECAD 4685 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv K. Loch DO-204AC, DO-15, Axial 2A07 Standard Do-15 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-2A07G_HF-A52 Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1000 v 1,1 V @ 2 a 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 40pf @ 4v, 1 MHz
SBR4040CT Diodes Incorporated SBR4040CT 1.1600
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 ECAD 10 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 SBR4040 Superbarriere To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 40 v 20a 530 mv @ 20 a 500 µa @ 40 V -65 ° C ~ 150 ° C.
S3KB-13 Diodes Incorporated S3KB-13 - - -
RFQ
 ECAD 6496 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB S3K Standard SMB Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 800 V 1,15 V @ 3 a 10 µa @ 800 V -65 ° C ~ 150 ° C. 3a 40pf @ 4v, 1 MHz
1N5401-T Diodes Incorporated 1n5401-t - - -
RFQ
 ECAD 2647 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch Do-201ad, axial 1N5401 Standard Do-201ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 1.200 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 100 v 1 V @ 3 a 10 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 3a 50pf @ 4v, 1 MHz
SF10JG-B Diodes Incorporated SF10JG-B - - -
RFQ
 ECAD 6006 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet K. Loch Do-204Al, Do-41, axial Standard Do-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,5 V @ 1 a 50 ns 10 µa @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 50pf @ 4v, 1 MHz
ZVP4424ZTA Diodes Incorporated ZVP4424ZTA 0,9000
RFQ
 ECAD 4779 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa ZVP4424 MOSFET (Metalloxid) SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1.000 P-Kanal 240 V 200 Ma (TA) 3,5 V, 10 V. 9OHM @ 200 Ma, 10V 2V @ 1ma ± 40 V 200 PF @ 25 V. - - - 1,5 W (TA)
BAS70-05-7 Diodes Incorporated BAS70-05-7 - - -
RFQ
 ECAD 3700 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bas70 Schottky SOT-23-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar Gemeinsamer Kathode 70 V 70 Ma (DC) 1 V @ 15 mA 5 ns 100 na @ 50 V -55 ° C ~ 125 ° C.
SF20FG-T Diodes Incorporated SF20FG-T - - -
RFQ
 ECAD 4189 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch DO-204AC, DO-15, Axial Standard Do-15 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 4.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 300 V 1,3 V @ 2 a 40 ns 10 µA @ 300 V -65 ° C ~ 150 ° C. 2a 75PF @ 4V, 1 MHz
S1MDF-13 Diodes Incorporated S1MDF-13 0,0598
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 ECAD 1953 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 2-smd, Flaches Blei S1m Standard D-Flat Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 10.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1000 v 1,1 V @ 1 a 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 6PF @ 4V, 1 MHz
SBR20A200CTB-13 Diodes Incorporated SBR20A200CTB-13 1.3200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab SBR20 Superbarriere To-263ab (d²pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 800 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 10a 960 mv @ 20 a 30 ns 100 µA @ 200 V. -65 ° C ~ 175 ° C.
UF3006-T Diodes Incorporated UF3006-T - - -
RFQ
 ECAD 8376 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch Do-201ad, axial UF3006 Standard Do-201ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 1.200 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 800 V 1,7 V @ 3 a 75 ns 5 µa @ 800 V -65 ° C ~ 150 ° C. 3a 50pf @ 4v, 1 MHz
BAS21-7-F Diodes Incorporated Bas21-7-f 0,1400
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bas21 Standard SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 200 v 1,25 V @ 200 Ma 50 ns 100 Na @ 200 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 200 ma 5PF @ 0V, 1MHz
UF3001-T Diodes Incorporated UF3001-T - - -
RFQ
 ECAD 2161 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch Do-201ad, axial UF3001 Standard Do-201ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Q1883140 Ear99 8541.10.0080 1.200 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 1 V @ 3 a 50 ns 5 µa @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 3a 75PF @ 4V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    15.000 m2

    Lagerhaus

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