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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausfluss - Emitterbasis (R2)
SBR3045CTFP Diodes Incorporated SBR3045CTFP 0,8680
RFQ
 ECAD 5414 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte SBR3045 Superbarriere ITO-220AB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 15a 550 mv @ 15 a 500 µa @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C.
1N4006L-T Diodes Incorporated 1N4006L-T - - -
RFQ
 ECAD 5040 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N4006 Standard Do-41 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 800 V 1 V @ 1 a 5 µa @ 800 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 8PF @ 4V, 1 MHz
APT13003DZTR-G1 Diodes Incorporated APT13003DZTR-G1 - - -
RFQ
 ECAD 5146 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Klebeband (CT) Schneiden Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads APT13003 1,1 w To-92 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.000 450 V 1,5 a - - - Npn 400 mV @ 250 mA, 1a 5 @ 1a, 2v 4MHz
DMN2026UVT-13 Diodes Incorporated DMN2026UVT-13 0,1173
RFQ
 ECAD 5796 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 DMN2026 MOSFET (Metalloxid) TSOT-23-6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DMN2026UVT-13DI Ear99 8541.29.0095 10.000 N-Kanal 20 v 6.2a (TC) 2,5 V, 4,5 V. 24MOHM @ 6.2a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 18,4 NC @ 8 V. ± 10 V 887 PF @ 10 V. - - - 1.15W (TA)
MBR2060CT Diodes Incorporated MBR2060CT - - -
RFQ
 ECAD 1971 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 MBR2060CT Schottky To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 60 v 20a 950 mV @ 20 a 100 µa @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C.
DMT32M5LFG-13 Diodes Incorporated DMT32M5LFG-13 1.1200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMT32 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 30a (ta) 4,5 V, 10 V. 1,7 MOHM @ 20A, 10V 3v @ 250 ähm 67,7 NC @ 10 V. ± 20 V 4066 PF @ 15 V - - - 2,3 W (TA)
SBR545SAFQ-13 Diodes Incorporated SBR545SAFQ-13 0,4900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automotive, AEC-Q101, SBR® Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA Flat Leads Superbarriere Smaf Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 10.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 45 V 560 mV @ 5 a 200 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C. 5a - - -
MMSZ5234B-7-F Diodes Incorporated MMSZ5234B-7-F 0,2100
RFQ
 ECAD 115 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 MMSZ5234 500 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 5 µa @ 4 V 6.2 v 7 Ohm
DDZX12C-13 Diodes Incorporated DDZX12C-13 - - -
RFQ
 ECAD 2258 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Ddzx12 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DDZX12C-13DI Ear99 8541.10.0050 10.000 900 mv @ 10 mA 100 NA @ 9.1 V. 12 v 12 Ohm
MMBT4401T-7 Diodes Incorporated MMBT4401T-7 - - -
RFQ
 ECAD 5942 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-523 MMBT4401 150 MW SOT-523 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 600 mA 100na Npn 750 MV @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 1V 250 MHz
DDZX6V2BQ-7 Diodes Incorporated Ddzx6v2bq-7 - - -
RFQ
 ECAD 7619 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet ± 2,5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Ddzx6 300 MW SOT-23-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-ddzx6v2bq-7tr Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 500 na @ 4 v 6.2 v 7 Ohm
SDT8A120P5Q-13 Diodes Incorporated SDT8A120P5Q-13 - - -
RFQ
 ECAD 3869 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000
B140WS-7 Diodes Incorporated B140WS-7 0,3900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 B140 Schottky SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 620 mv @ 1 a 50 µa @ 40 V -40 ° C ~ 125 ° C. 1a 125PF @ 0V, 1 MHz
SDM03U40-7 Diodes Incorporated SDM03U40-7 0,2000
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 SDM03U40 Schottky SOD-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 30 v 370 mv @ 1 mA 500 na @ 30 v -40 ° C ~ 125 ° C. 30 ma 2PF @ 1V, 1MHz
SK32-7-F Diodes Incorporated SK32-7-F - - -
RFQ
 ECAD 5682 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC SK32 Schottky SMC Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 20 v 500 mV @ 3 a 500 µa @ 20 V -65 ° C ~ 150 ° C. 3a 300PF @ 4V, 1 MHz
S1MB-13-G Diodes Incorporated S1MB-13-G - - -
RFQ
 ECAD 6610 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen S1MB-13-GDI Ear99 8541.10.0080 3.000
B1100LB-13-F Diodes Incorporated B1100LB-13-F 0,4300
RFQ
 ECAD 2276 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB B1100 Schottky SMB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 750 mV @ 1 a 500 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 100pf @ 4v, 1 MHz
DDTC114GKA-7-F Diodes Incorporated DDTC114GKA-7-F - - -
RFQ
 ECAD 4300 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTC114 200 MW SC-59-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5ma, 5v 250 MHz 10 Kohms
BAS70-05-7 Diodes Incorporated BAS70-05-7 - - -
RFQ
 ECAD 3700 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bas70 Schottky SOT-23-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar Gemeinsamer Kathode 70 V 70 Ma (DC) 1 V @ 15 mA 5 ns 100 na @ 50 V -55 ° C ~ 125 ° C.
BAT46WQ-7-F-52 Diodes Incorporated BAT46WQ-7-F-52 0,0518
RFQ
 ECAD 8805 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SOD-123 Bat46 Schottky SOD-123 Herunterladen 31-BAT46WQ-7-F-52 Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 100 v 450 mv @ 10 mA 2 µa @ 75 V -55 ° C ~ 125 ° C. 150 Ma 20pf @ 0v, 1 MHz
SBR20A120CTE Diodes Incorporated SBR20A120CTE - - -
RFQ
 ECAD 9677 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Rohr Veraltet K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa SBR20 Superbarriere To-262 - - - 1 (unbegrenzt) 31-SBR20A120CTE Ear99 8541.10.0080 50 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 120 v 10a 790 mv @ 10 a 100 µA @ 120 V -65 ° C ~ 150 ° C.
BAT64T5Q-7-F Diodes Incorporated BAT64T5Q-7-F 0,4100
RFQ
 ECAD 777 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 Bat64 Schottky SOD-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 480 mv @ 30 mA 5 ns 2 µa @ 40 V -65 ° C ~ 150 ° C. 250 Ma 6PF @ 5V, 1 MHz
SB120A-01 Diodes Incorporated SB120A-01 - - -
RFQ
 ECAD 2914 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet - - - - - - - - - - - - - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen 31-SB120A-01 Ear99 8541.10.0080 1.000 - - - - - - - - - - - -
BAV21WS-7-F-52 Diodes Incorporated BAV21WS-7-F-52 0,0367
RFQ
 ECAD 2828 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 BAV21 Standard SOD-323 Herunterladen 31-BAV21WS-7-F-52 Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 200 v 1,25 V @ 200 Ma 50 ns 100 Na @ 200 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 200 ma 5PF @ 0V, 1MHz
ZXTP56020FDBQ-7 Diodes Incorporated ZXTP56020FDBQ-7 0,6000
RFQ
 ECAD 1908 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad ZXTP56020 405 MW U-DFN2020-6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 20V 2a 100NA (ICBO) 2 PNP (Dual) 390mv @ 200 Ma, 2a 250 @ 100 mA, 2V - - -
PR1502S-A Diodes Incorporated PR1502S-A - - -
RFQ
 ECAD 1882 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Box (TB) Veraltet K. Loch Do-204Al, Do-41, axial Standard Do-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 1,2 V @ 1,5 a 150 ns 5 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 1,5a 20pf @ 4v, 1 MHz
DSC02120FP Diodes Incorporated DSC02120FP 3.7100
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte SIC (Silicon Carbide) Schottky ITO-220AC (Typ WX) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-dsc02120fp Ear99 8541.10.0080 50 Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) 1200 V 1,7 V @ 2 a 0 ns 128 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 2a 132pf @ 100mv, 1 MHz
SBR40150CTFP-JT Diodes Incorporated SBR40150CTFP-JT - - -
RFQ
 ECAD 6574 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte SBR40150 Superbarriere ITO-220AB Herunterladen 1 (unbegrenzt) 31-SBR40150CTFP-JT Ear99 8541.10.0080 50 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 150 v 20a 900 mv @ 20 a 100 µA @ 150 V -65 ° C ~ 175 ° C.
BAS40DW-04-7 Diodes Incorporated BAS40DW-04-7 - - -
RFQ
 ECAD 8082 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bas40 Schottky SOT-363 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 2 Paar Serie Verbindung 40 v 200 Ma (DC) 1 V @ 40 mA 5 ns 200 na @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C.
DMTH6005LPS-13 Diodes Incorporated DMTH6005LPS-13 1.3900
RFQ
 ECAD 1112 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMTH6005 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 20,6a (TA), 100A (TC) 4,5 V, 10 V. 5.5Mohm @ 50a, 10V 3v @ 250 ähm 47.1 NC @ 10 V. ± 20 V 2962 PF @ 30 V - - - 3,2 W (TA), 150 W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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