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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Strom - reverse -lockage @ vr Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT)
BZT52C8V2-7-F Diodes Incorporated BZT52C8V2-7-F 0,2100
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 ECAD 54 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 BZT52 500 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 700 NA @ 5 V. 8.2 v 15 Ohm
GBJ606-F Diodes Incorporated GBJ606-F 1.7000
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, GBJ GBJ606 Standard Gbj Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 15 1 V @ 3 a 5 µa @ 600 V 6 a Einphase 600 V
GBPC2501W Diodes Incorporated GBPC2501W - - -
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 ECAD 2024 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Tablett Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4 Quadratmeter, gbpc-w GBPC2501 Standard Gbpc-w Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen GBPC2501WDI Ear99 8541.10.0080 100 1,1 V @ 12.5 a 5 µa @ 100 V. 25 a Einphase 100 v
BZX84C16Q-7-F Diodes Incorporated BZX84C16Q-7-F 0,0357
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 ECAD 1221 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5,63% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-BZX84C16Q-7-FTR Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 NA @ 11.2 V. 16 v 40 Ohm
BZX84C33-7-F-79 Diodes Incorporated BZX84C33-7-F-79 - - -
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 ECAD 2264 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet Bzx84 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen BZX84C33-7-F-79DI Ear99 8541.10.0050 3.000
BZT52C11-13-G Diodes Incorporated BZT52C11-13-G - - -
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 ECAD 2339 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet BZT52 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen BZT52C11-13-GDI Ear99 8541.10.0050 10.000
DMTH10H009LPS-13 Diodes Incorporated DMTH10H009LPS-13 0,3849
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 ECAD 8311 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMTH10 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen DMTH10H009LPS-13DI Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 100 v 14A (TA), 100A (TC) 4,5 V, 10 V. 8mohm @ 20a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 40,2 NC @ 10 V. ± 20 V 2309 PF @ 50 V - - - 1,5W (TA), 125W (TC)
GDZ7V5LP3-7 Diodes Incorporated GDZ7V5LP3-7 0,3300
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 ECAD 10 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5,23% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 0201 (0603 Metrik) Gdz7v5 250 MW X3-DFN0603-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 500 na @ 4 v 7,5 v
DDZ9703Q-7 Diodes Incorporated DDZ9703Q-7 - - -
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 ECAD 9756 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-123 DDZ9703 500 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 50 NA @ 12.1 V. 16 v
GDZ4V7LP3-7 Diodes Incorporated GDZ4V7LP3-7 - - -
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 ECAD 4644 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet - - - -55 ° C ~ 150 ° C (TA) Oberflächenhalterung 0201 (0603 Metrik) Gdz4v7 250 MW X3-DFN0603-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 2 µa @ 1 V 4,7 v
BZX84C4V3-7-F Diodes Incorporated BZX84C4V3-7-F 0,1500
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 3 µa @ 1 V 4.3 v 90 Ohm
BHDS1100 Diodes Incorporated BHDS1100 - - -
RFQ
 ECAD 1015 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel BHDS11 Schottky HDS Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-BHDS1100TR Ear99 8541.10.0080 3.000 850 mV @ 1 a 50 µa @ 100 V. 1 a Einphase 100 v
RS1MSWFNQ-7 Diodes Incorporated RS1MSWFNQ-7 - - -
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 ECAD 7971 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Schüttgut Aktiv RS1M - - - UnberÜHrt Ereichen 31-RS1MSWFNQ-7 Ear99 8541.10.0080 1
DMP2160UFDBQ-7 Diodes Incorporated DMP2160UFDBQ-7 0,5500
RFQ
 ECAD 109 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMP2160 MOSFET (Metalloxid) 1.4W U-DFN2020-6 (Typ B) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 2 p-kanal (dual) 20V 3.8a 70 MOHM @ 2,8a, 4,5 V. 900 MV @ 250 ähm 6,5nc @ 4,5V 536PF @ 10V - - -
DMP3004SSS-13 Diodes Incorporated DMP3004SSS-13 0,5755
RFQ
 ECAD 4331 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMP3004 MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 30 v 16,2a (TA) 4,5 V, 10 V. 4mohm @ 20a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 156 NC @ 10 V ± 20 V 7693 PF @ 15 V - - - 1.2W (TA)
BZT52C27S-7 Diodes Incorporated BZT52C27S-7 - - -
RFQ
 ECAD 9186 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 BZT52 200 MW SOD-323 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 Na @ 18,9 V. 27 v 80 Ohm
BZT52C5V6-7-G Diodes Incorporated BZT52C5v6-7-G - - -
RFQ
 ECAD 1378 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet BZT52 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen BZT52C5v6-7-GDI Ear99 8541.10.0050 3.000
DDZ16-7-79 Diodes Incorporated DDZ16-7-79 - - -
RFQ
 ECAD 2176 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet DDZ16 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DDZ16-7-79DI Ear99 8541.10.0050 3.000
AZ23C33-7-F Diodes Incorporated AZ23C33-7-F 0,3600
RFQ
 ECAD 7389 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 AZ23C33 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 33 v 80 Ohm
SMAZ7V5-13-F Diodes Incorporated SMAZ7V5-13-F 0,4700
RFQ
 ECAD 108 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA SMAZ7 1 w SMA Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0050 5.000 1,2 V @ 200 Ma 5 µa @ 5 V 7,5 v 2 Ohm
MMBZ5226BT-7-F Diodes Incorporated MMBZ5226BT-7-F 0,4000
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 ECAD 8 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOT-523 MMBZ5226 150 MW SOT-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 25 µa @ 1 V 3.3 v 28 Ohm
T12M50T600B Diodes Incorporated T12M50T600B 0,8000
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 ECAD 5886 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv T12m50 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-t12m50T600b Ear99 8541.30.0080 50
DMC2710UVQ-13 Diodes Incorporated DMC2710uvq-13 0,0648
RFQ
 ECAD 4077 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DMC2710 MOSFET (Metalloxid) 460 MW (TA) SOT-563 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 31-DMC2710uvq-13tr Ear99 8541.21.0095 10.000 N und p-kanal 20V 1,1a (TA), 800 mA (TA) 400 MOHM @ 600 Ma, 4,5 V, 700 MOHM @ 430 Ma, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 0,6nc @ 4,5 V, 0,7nc @ 4,5 V. 42pf @ 16V, 49PF @ 16V Standard
DDZX6V2B-7 Diodes Incorporated Ddzx6v2b-7 0,2500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Ddzx6 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 500 na @ 4 v 6.2 v 7 Ohm
DDZ9692TQ-7 Diodes Incorporated DDZ9692TQ-7 0,0764
RFQ
 ECAD 1333 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 DDZ9692 250 MW SOD-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 NA @ 5.1 V. 6,8 v
DDZ9703T-7 Diodes Incorporated DDZ9703T-7 0,4500
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 ECAD 49 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 DDZ9703 150 MW SOD-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 50 NA @ 12.1 V. 16 v
BZT52C12-7-F Diodes Incorporated BZT52C12-7-F 0,2100
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 BZT52 500 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 na @ 8 v 12 v 25 Ohm
BZT52C16-7-F Diodes Incorporated BZT52C16-7-F 0,2100
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 BZT52 500 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 NA @ 11.2 V. 16 v 40 Ohm
DMP2900UFBQ-7B Diodes Incorporated DMP2900UFBQ-7B 0,0476
RFQ
 ECAD 8416 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-Ufdfn DMP2900 MOSFET (Metalloxid) X1-DFN1006-3 - - - 31-DMP2900UFBQ-7B Ear99 8541.29.0095 10.000 P-Kanal 20 v 990 Ma (TA) 1,8 V, 4,5 V. 750 MOHM @ 430 Ma, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 0,7 NC @ 4,5 V. ± 6 V 49 PF @ 16 V - - - 550 MW (TA)
MMBZ5256BW-7-F Diodes Incorporated MMBZ5256BW-7-F 0,0630
RFQ
 ECAD 6761 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 MMBZ5256 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 na @ 23 v 30 v 49 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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