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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
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DSS5160TQ-7 | 0,4400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DSS5160 | 725 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 340mv @ 100ma, 1a | 200 @ 1ma, 5V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S1JB-13-G | - - - | ![]() | 2920 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | S1JB-13-GDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | US1M | - - - | ![]() | 2601 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | US1M | Standard | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-us1mtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DCX69-16-13 | - - - | ![]() | 1304 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | DCX69 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 20 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100 mA, 1a | 100 @ 500 mA, 1V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S1J-13-F | 0,2500 | ![]() | 105 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | S1J | Standard | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
MMBD2004SW-7-F | 0,0851 | ![]() | 1782 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MMBD2004 | Standard | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 240 V | 225 Ma (DC) | 1 V @ 100 mA | 50 ns | 100 NA @ 240 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSR43TA | 0,4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BSR43 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 Ma, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR20U60CTFP-JT | - - - | ![]() | 6730 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SBR20 | Superbarriere | ITO-220AB | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 31-SBR20U60CTFP-JT | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 20a | 710 mv @ 20 a | 500 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B170B-13 | - - - | ![]() | 1294 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | B170 | Schottky | SMB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 70 V | 790 mv @ 1 a | 500 µA @ 70 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDM4A40EP3-7B | 0,1233 | ![]() | 5868 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 0603 (1608 Metrik) | Schottky | X3-TSN1608-2 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-SDM4A40EP3-7BTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 610 mv @ 4 a | 150 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 4a | 88PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN15M3UCA6-7 | 0,3540 | ![]() | 5470 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Keine Frotung | DMN15 | - - - | 1W | X3-DSN2718-6 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMN15M3UCA6-7TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) Gemeinsame Quelle | 14V | 16,5a (ta) | 5,8 MOHM @ 3A, 4,5 V. | 1,3 V @ 1ma | 35,2nc @ 4,5 V | 2360pf @ 6v | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAZ10-13 | - - - | ![]() | 6787 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SMAZ10 | 1 w | SMA | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µA @ 7,6 V | 10 v | 4 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S1G-13-F | 0,2600 | ![]() | 233 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | S1g | Standard | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MURS320-13-F | 0,5500 | ![]() | 3922 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | Murs320 | Standard | SMC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 875 mv @ 3 a | 25 ns | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 45PF @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SB350-T | - - - | ![]() | 9110 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | SB350 | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 740 mv @ 3 a | 500 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4936L-T | - - - | ![]() | 7254 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4936 | Standard | Do-41 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1,2 V @ 1 a | 200 ns | 5 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN2026UVT-13 | 0,1173 | ![]() | 5796 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | DMN2026 | MOSFET (Metalloxid) | TSOT-23-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMN2026UVT-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | N-Kanal | 20 v | 6.2a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 24MOHM @ 6.2a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 18,4 NC @ 8 V. | ± 10 V | 887 PF @ 10 V. | - - - | 1.15W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | DL4007-13 | - - - | ![]() | 5912 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-213ab, Melf (GLAS) | DL4007 | Standard | Melf | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,1 V @ 1 a | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR15U100CTLQ-13 | 0,9600 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SBR15 | Superbarriere | To-252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 15a | 800 mV @ 7,5 a | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6263W-7 | - - - | ![]() | 6452 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 1N6263 | Schottky | SOD-123 | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 60 v | 1 V @ 15 mA | 1 ns | 200 na @ 50 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 15 Ma | 2.2pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
SDM40E20LAQ-7 | 0,8100 | ![]() | 1515 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SDM40 | Schottky | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 20 v | 400 mA (DC) | 310 mv @ 100 mA | 250 µa @ 20 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
BAS70-05Q-7-F | 0,3500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas70 | Schottky | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 70 V | 70 Ma (DC) | 1 V @ 15 mA | 2,5 ns | 100 na @ 50 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTA122LE-7-F | 0,3200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | DDTA122 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDS5100-13 | 1.3900 | ![]() | 242 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | PDS5100 | Schottky | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 790 mv @ 5 a | 200 µA @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBRT20M60SP5-13D | 0,3445 | ![]() | 2252 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | SBRT20 | Superbarriere | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 60 v | 570 mv @ 20 a | 180 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54S-7-F-2477 | - - - | ![]() | 1168 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Schottky | SOT-23-3 | - - - | 31-BAT54S-7-F-2477 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 30 v | 200 ma | 800 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR10100CTF-G1 | 0,4200 | ![]() | 5908 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MBR1010 | Schottky | To-220f-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 5a | 850 mv @ 5 a | 100 µa @ 100 V. | 150 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXT10P12DE6TC | - - - | ![]() | 1515 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | ZXT10P12D | 1,1 w | SOT-23-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 10.000 | 12 v | 3 a | 100na | PNP | 300 mV @ 50 Ma, 3a | 300 @ 100 mA, 2 V | 110 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bas16-7-g | - - - | ![]() | 6274 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Bas16 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BAS16-7-GDI | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZTX795ASTOB | - - - | ![]() | 3478 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | Ztx795a | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 140 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 250mv @ 50 mA, 500 mA | 300 @ 10ma, 2v | 100 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus