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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
RS3B-13 Diodes Incorporated RS3B-13 0,8200
RFQ
 ECAD 514 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Klebeband (CT) Schneiden Aktiv Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000
DMT3006LFV-7 Diodes Incorporated DMT3006LFV-7 0,2649
RFQ
 ECAD 5268 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMT3006 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 30 v 60a (TC) 4,5 V, 10 V. 7mohm @ 9a, 10V 3v @ 250 ähm 8.4 NC @ 10 V ± 20 V 1155 PF @ 15 V - - - 2W (TA)
ZVN3320ASTZ Diodes Incorporated Zvn3320astz - - -
RFQ
 ECAD 9604 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Box (TB) Veraltet - - - K. Loch E-Line-3 MOSFET (Metalloxid) E-line (bis 92 kompatibel) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 N-Kanal 200 v 100 mA (ta) 10V 25ohm @ 100 mA, 10V 3V @ 1ma ± 20 V 45 PF @ 25 V. - - - 625 MW (TA)
SBRT15M50SP5-13D Diodes Incorporated SBRT15M50SP5-13D - - -
RFQ
 ECAD 4230 0.00000000 Dioden Eingenbaut Trenchsbr Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung PowerDi ™ 5 Superbarriere PowerDi ™ 5 Herunterladen 1 (unbegrenzt) 31-SBRT15M50SP5-13DTR Ear99 8541.10.0080 1.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 50 v 520 mv @ 15 a 150 µa @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 15a - - -
BZT52C18-7 Diodes Incorporated BZT52C18-7 - - -
RFQ
 ECAD 7298 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 BZT52 500 MW SOD-123 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 NA @ 12,6 V. 18 v 45 Ohm
BAV23A-7-F-52 Diodes Incorporated BAV23A-7-F-52 0,0650
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 ECAD 9076 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BAV23 Standard SOT-23-3 Herunterladen 31-BAV23A-7-F-52 Ear99 8541.10.0070 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 200 v 400 ma 1,25 V @ 200 Ma 50 ns 100 Na @ 200 V. -65 ° C ~ 150 ° C.
APD160VD-G1 Diodes Incorporated APD160VD-G1 - - -
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 ECAD 3444 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet K. Loch Do-204Al, Do-41, axial APD160 Schottky Do-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 680 mv @ 1 a 500 µa @ 60 V -65 ° C ~ 125 ° C. 1a - - -
BZT585B6V2TQ-13 Diodes Incorporated BZT585B6V2TQ-13 0,0417
RFQ
 ECAD 6892 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 BZT585 350 MW SOD-523 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-BZT585B6V2TQ-13TR Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 100 mA 3 µa @ 4 V. 6.2 v 10 Ohm
DMN6075SQ-7 Diodes Incorporated DMN6075SQ-7 0,4200
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 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN6075 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 60 v 2a (ta) 4,5 V, 10 V. 85mohm @ 3.2a, 10 V. 3v @ 250 ähm 12.3 NC @ 10 V. ± 20 V 606 PF @ 20 V - - - 800 MW (TA)
ADTB113ZCQ-7 Diodes Incorporated ADTB113ZCQ-7 - - -
RFQ
 ECAD 5953 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ADTB113 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-attb113zcq-7tr Veraltet 3.000
DMT6017LFDF-7 Diodes Incorporated DMT6017LFDF-7 0,1814
RFQ
 ECAD 7295 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMT6017 MOSFET (Metalloxid) U-DFN2020-6 (typ f) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-DMT6017LFDF-7TR Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 65 V 8.1a (ta) 4,5 V, 10 V. 18Mohm @ 6a, 10V 2,3 V @ 250 ähm 15.3 NC @ 10 V. ± 16 v 891 PF @ 30 V - - - 800 MW (TA)
SBR40U120CT-2223 Diodes Incorporated SBR40U120CT-2223 - - -
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 ECAD 7955 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Lets Kaufen K. Loch To-220-3 Superbarriere To-220-3 - - - 31-SBR40U120CT-2223 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 120 v 20a 860 mv @ 20 a 500 µA @ 120 V -65 ° C ~ 150 ° C.
FMMT717QTA Diodes Incorporated Fmmt717qta 0,1984
RFQ
 ECAD 2998 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 625 MW SOT-23-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-fmmt717qtatr Ear99 8541.21.0075 3.000 12 v 2,5 a 100na PNP 220 MV @ 50 Ma, 2,5a 300 @ 100 mA, 2 V 110 MHz
BC847BFZ-7B Diodes Incorporated BC847BFZ-7B 0,4100
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 ECAD 1624 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-xfdfn BC847 435 MW X2-DFN0606-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 45 V 100 ma 15na Npn 300 mV @ 5ma, 100 mA 200 @ 2MA, 5V 100 MHz
AZ23C12-7-G Diodes Incorporated AZ23C12-7-G - - -
RFQ
 ECAD 4877 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet AZ23C12 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen AZ23C12-7-GDI Ear99 8541.10.0050 3.000
ZVN0545A Diodes Incorporated ZVN0545A 1.6300
RFQ
 ECAD 2370 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) ZVN0545 MOSFET (Metalloxid) To-92 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen ZVN0545A-NDR Ear99 8541.21.0095 4.000 N-Kanal 450 V 90 mA (TA) 10V 50 Ohm @ 100 Ma, 10 V 3V @ 1ma ± 20 V 70 PF @ 25 V. - - - 700 MW (TA)
N6200D Diodes Incorporated N6200D - - -
RFQ
 ECAD 1037 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
MBR5200VPB-E1 Diodes Incorporated MBR5200VPB-E1 - - -
RFQ
 ECAD 5403 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet K. Loch Do-201aa, Do-27, axial Schottky Do-27 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 950 mv @ 5 a 500 µA @ 200 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 5a - - -
DMN3008SCP10-7 Diodes Incorporated DMN3008SCP10-7 0,4319
RFQ
 ECAD 7323 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) - - - - - - DMN3008 MOSFET (Metalloxid) - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 14,6a (TA) 4,5 V, 10 V. 7,8 MOHM @ 7A, 10V 2,3 V @ 250 ähm 31.3 NC @ 10 V. ± 20 V 1476 PF @ 15 V - - - 2.7W (TA)
SD1A180G Diodes Incorporated SD1A180G 0,4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv SD1A180 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 4.000
B140-13-F Diodes Incorporated B140-13-F 0,3900
RFQ
 ECAD 492 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA B140 Schottky SMA Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 500 mV @ 1 a 500 µa @ 40 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 110PF @ 4V, 1 MHz
MMSZ5240BQ-7-F Diodes Incorporated MMSZ5240BQ-7-F 0,2400
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 MMSZ5240 370 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 3 µa @ 8 V 10 v 17 Ohm
B340CE-13 Diodes Incorporated B340CE-13 0,1305
RFQ
 ECAD 8230 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC B340 Schottky SMC Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 500 mV @ 3 a 200 µa @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 140pf @ 4v, 1 MHz
MBR1040CT-LS Diodes Incorporated MBR1040CT-LS - - -
RFQ
 ECAD 3719 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Veraltet K. Loch To-220-3 Full Pack MBR104 Schottky To-220ab - - - 31-MBR1040CT-LS Veraltet 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 40 v 5a 650 mv @ 5 a 100 µa @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C.
DMTH15H017SPS-13 Diodes Incorporated DMTH15H017SPS-13 0,6125
RFQ
 ECAD 7792 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMTH15 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMTH15H017SPS-13TR Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 150 v 11A (TA), 61A (TC) 8 V, 10V 19Mohm @ 20a, 10V 4v @ 250 ähm 34 NC @ 10 V. ± 20 V 2344 PF @ 75 V - - - 1,5 W (TA), 107W (TC)
DMP3120L-7 Diodes Incorporated DMP3120L-7 - - -
RFQ
 ECAD 9252 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMP3120 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 30 v 2.8a (TA) 2,5 V, 4,5 V. 120 MOHM @ 2,8a, 4,5 V. 1,4 V @ 250 ähm 6.7 NC @ 10 V ± 12 V 285 PF @ 15 V - - - 1.4W (TA)
BZX84C3V6Q-7-F Diodes Incorporated BZX84C3V6Q-7-F 0,0357
RFQ
 ECAD 1055 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5,56% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 300 MW SOT-23-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-BZX84C3V6Q-7-FTR Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 5 µa @ 1 V 3.6 V 90 Ohm
SBRT20U100SLP-13 Diodes Incorporated SBRT20U100SLP-13 1.3000
RFQ
 ECAD 6455 0.00000000 Dioden Eingenbaut Trenchsbr Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 8-Powertdfn SBRT20 Superbarriere PowerDI5060-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 2.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 700 mV @ 20 a 300 µa @ 100 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 20a - - -
BAV116HWF-7 Diodes Incorporated BAV116HWF-7 0,0652
RFQ
 ECAD 4659 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOD-123F BAV116 Standard SOD-123F Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 130 v 1,25 V @ 150 mA 3 µs 5 Na @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C. 215 Ma 5PF @ 0V, 1MHz
PDU420-13 Diodes Incorporated PDU420-13 0,8700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung PowerDi ™ 5 PDU420 Standard PowerDi ™ 5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 890 mv @ 4 a 25 ns 5 µa @ 200 V. -65 ° C ~ 175 ° C. 4a - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    15.000 m2

    Lagerhaus

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