SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
FZT857TA Diodes Incorporated FZT857ta 0,9200
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa FZT857 3 w SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 1.000 300 V 3.5 a 50na (ICBO) Npn 345mv @ 600 mA, 3,5a 100 @ 500 mA, 10V 80MHz
SBR20U100CT Diodes Incorporated SBR20U100CT 2.0400
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 SBR20 Superbarriere To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 10a 700 mv @ 10 a 500 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 175 ° C.
DMTH43M8LPS-13 Diodes Incorporated DMTH43M8LPS-13 0,3976
RFQ
ECAD 2426 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMTH43 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 40 v 22A (TA), 100A (TC) 5v, 10V 3,3 MOHM @ 20A, 10V 2,5 V @ 250 ähm 38,5 NC @ 10 V. ± 20 V 2693 PF @ 30 V - - - 2,7W (TA), 83W (TC)
DDZ9705T-7 Diodes Incorporated DDZ9705T-7 0,0840
RFQ
ECAD 9646 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 DDZ9705 150 MW SOD-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 50 NA @ 13.6 V. 18 v
MMBZ5255BS-7-F Diodes Incorporated MMBZ5255BS-7-F 0,0756
RFQ
ECAD 7325 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMBZ5255 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 2 Unabhängig 900 mv @ 10 mA 100 na @ 21 V 28 v 44 Ohm
DMP3056LDM-7 Diodes Incorporated DMP3056LDM-7 0,4100
RFQ
ECAD 45 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 DMP3056 MOSFET (Metalloxid) SOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 30 v 4.3a (TA) 4,5 V, 10 V. 45mohm @ 5a, 10V 2,1 V @ 250 ähm 21.1 NC @ 10 V ± 20 V 948 PF @ 25 V. - - - 1,25W (TA)
BCM857BV-7 Diodes Incorporated BCM857BV-7 0,4400
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 BCM857 357 MW SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 ma 15NA (ICBO) 2 PNP (Dual) 400mv @ 5 mA, 100 mA 200 @ 2MA, 5V 175MHz
2N7002-7-F-50 Diodes Incorporated 2N7002-7-F-50 0,0314
RFQ
ECAD 7966 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen 31-2N7002-7-F-50 Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 60 v 170 mA (ta) 5v, 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 2,5 V @ 250 ähm 0,23 NC @ 4,5 V. ± 20 V 50 PF @ 25 V. - - - 370 MW (TA)
UF1506S-B Diodes Incorporated UF1506S-B - - -
RFQ
ECAD 9841 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet K. Loch Do-204Al, Do-41, axial Standard Do-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 800 V 1,7 V @ 1,5 a 75 ns 5 µa @ 800 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1,5a 20pf @ 4v, 1 MHz
DL4937-13 Diodes Incorporated DL4937-13 - - -
RFQ
ECAD 9565 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) DL4937 Standard Melf Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,2 V @ 1 a 200 ns 5 µa @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 15PF @ 4V, 1 MHz
ZVP3310FQTA-52 Diodes Incorporated ZVP3310FQTA-52 0,1961
RFQ
ECAD 5117 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 - - - 31-ZVP3310fqta-52 Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 100 v 75 Ma (TA) 10V 20ohm @ 150 mA, 10V 3,5 V @ 1ma ± 20 V 50 PF @ 25 V. - - - 330 MW (TA)
1N4006L-T Diodes Incorporated 1N4006L-T - - -
RFQ
ECAD 5040 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N4006 Standard Do-41 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 800 V 1 V @ 1 a 5 µa @ 800 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 8PF @ 4V, 1 MHz
FMMT551TA Diodes Incorporated Fmmt551ta 0,4400
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Fmmt551 500 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 350 MV @ 15ma, 150 mA 50 @ 150 mA, 10V 150 MHz
FMMT560QTA Diodes Incorporated Fmmt560qta 0,5800
RFQ
ECAD 166 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Fmmt560 500 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 500 V 150 Ma 100na PNP 500mv @ 10 mA, 50 mA 80 @ 50 Ma, 10 V 60 MHz
BCP5616TA Diodes Incorporated BCP5616ta 0,4300
RFQ
ECAD 9949 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa BCP5616 2 w SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 80 v 1 a 100NA (ICBO) Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 2V 150 MHz
SDM03U40Q-7 Diodes Incorporated SDM03U40Q-7 0,4000
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 SDM03 Schottky SOD-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 30 v 370 mv @ 1 mA 500 na @ 30 v -40 ° C ~ 125 ° C. 30 ma 2PF @ 1V, 1MHz
BZX84C3V6TS-7-F Diodes Incorporated BZX84C3V6TS-7-F 0,0945
RFQ
ECAD 3091 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bzx84 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 3 Unabhängig 900 mv @ 10 mA 5 µa @ 1 V 3.6 V 90 Ohm
DMG4406LSS-13 Diodes Incorporated DMG4406LSS-13 - - -
RFQ
ECAD 7247 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMG4406 MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 10.3a (ta) 4,5 V, 10 V. 11Mohm @ 12a, 10V 2v @ 250 ähm 26.7 NC @ 10 V. ± 20 V 1281 PF @ 15 V - - - 1,5 W (TA)
SDT5A100P5-7 Diodes Incorporated SDT5A100P5-7 0,1884
RFQ
ECAD 2013 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung PowerDi ™ 5 SDT5A100 Schottky PowerDi ™ 5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 1.500 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 660 mv @ 5 a 50 µa @ 100 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 5a - - -
SBR1U40LP-7 Diodes Incorporated SBR1U40LP-7 0,5300
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 3-udfn SBR1U40 Superbarriere DFN1411-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 490 mv @ 1 a 50 µa @ 40 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a - - -
DL4936-13 Diodes Incorporated DL4936-13 - - -
RFQ
ECAD 2144 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-213ab, Melf (GLAS) DL4936 Standard Melf Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1,2 V @ 1 a 200 ns 5 µa @ 400 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 15PF @ 4V, 1 MHz
1SMB5954B-13 Diodes Incorporated 1SMB5954B-13 0,1300
RFQ
ECAD 4833 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB 1SMB5954 3 w SMB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,5 V @ 200 Ma 1 µA @ 121,6 V. 160 v 700 Ohm
BAV99T-7 Diodes Incorporated BAV99T-7 - - -
RFQ
ECAD 9254 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung SOT-523 BAV99 Standard SOT-523 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar Serie Verbindung 85 V 75 Ma (DC) 1 V @ 50 Ma 4 ns 2 µa @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C.
BZT52C5V6-13-G Diodes Incorporated BZT52C5v6-13-G - - -
RFQ
ECAD 8427 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet BZT52 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen BZT52C5v6-13-GDI Ear99 8541.10.0050 10.000
BC817-40Q-13-F Diodes Incorporated BC817-40q-13-F 0,2100
RFQ
ECAD 85 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BC817 310 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 45 V 500 mA 100na Npn 700 mv @ 50 mA, 500 mA 250 @ 100 mA, 1V 100 MHz
MMBD4448H-7 Diodes Incorporated MMBD4448H-7 - - -
RFQ
ECAD 4438 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBD4448H Standard SOT-23-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 80 v 1,25 V @ 150 mA 4 ns 100 na @ 70 V -65 ° C ~ 150 ° C. 250 Ma 3.5PF @ 6v, 1 MHz
SBR2045CT-G Diodes Incorporated SBR2045CT-G 0,9100
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 SBR2045 Superbarriere To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen SBR2045CT-GDI Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 10a 540 mv @ 10 a 500 µa @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C.
SBR30M100CTFP Diodes Incorporated SBR30M100CTFP - - -
RFQ
ECAD 9106 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte SBR30 Superbarriere ITO-220AB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 15a 850 mv @ 15 a 12 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 175 ° C.
SDT12A120P5Q-13D Diodes Incorporated SDT12A120P5Q-13D - - -
RFQ
ECAD 2792 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung PowerDi ™ 5 Schottky PowerDi ™ 5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 120 v 800 mV @ 12 a 500 µA @ 120 V -55 ° C ~ 150 ° C. 12a - - -
PR1005L-T Diodes Incorporated PR1005L-T - - -
RFQ
ECAD 7438 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch Do-204Al, Do-41, axial PR1005 Standard Do-41 - - - 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,2 V @ 1 a 250 ns 5 µa @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 8PF @ 4V, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus