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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
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![]() | SBR15U50SP5-13 | 0,9400 | ![]() | 9198 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | SBR15 | Superbarriere | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 520 mv @ 15 a | 500 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 15a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rl204-T | - - - | ![]() | 4644 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | RL204 | Standard | Do-15 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1 V @ 2 a | 5 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT10H9M9SK3-13 | 0,4889 | ![]() | 9873 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | DMT10 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMT10H9M9SK3-13TR | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5248BT-7-F | 0,4000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOT-523 | MMBZ5248 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 14 v | 18 v | 21 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXT13P12DE6TC | - - - | ![]() | 6798 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | ZXT13P12D | 1,1 w | SOT-23-6 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 10.000 | 12 v | 4 a | 100na | PNP | 175mv @ 400 mA, 4a | 300 @ 1a, 2v | 55 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP2040UVT-7 | 0,4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | - - - | - - - | DMP2040 | MOSFET (Metalloxid) | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 5,5a (TA), 13A (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 38mohm @ 8,9a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 8,6 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 834 PF @ 10 V. | - - - | 1.2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDT40A100CTE | - - - | ![]() | 7465 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | SDT40 | Schottky | To-262 | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 20a | 720 mv @ 20 a | 100 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4001L-T | - - - | ![]() | 2547 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4001 | Standard | Do-41 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | IN4001L-T | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1 V @ 1 a | 5 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n5407g-t | 0,1134 | ![]() | 6127 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | Do-201ad, axial | 1N5407 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 800 V | 1,1 V @ 3 a | 2 µs | 5 µa @ 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 40pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
DDTB122LC-7 | - - - | ![]() | 5773 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTB122 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 56 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 220 Ohm | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZVN2106ASTOB | - - - | ![]() | 9187 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 450 Ma (TA) | 10V | 2OHM @ 1a, 10V | 2,4 V @ 1ma | ± 20 V | 75 PF @ 18 V | - - - | 700 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN63D0LT-7 | 0,3600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | DMN63 | - - - | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTC124GE-7-F | 0,0605 | ![]() | 9627 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | DDTC (R2-Seery) e | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DDTC124 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DDTC124GE-FDICT | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DXTC3C100PD-13 | 0,2411 | ![]() | 7378 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DXTC3C100 | 1.47W | PowerDI5060-8 (Typ UXD) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DXTC3C100PD-13TR | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 100V | 3a | 100na | NPN, PNP | 330mv @ 300 mA, 3a / 325mv @ 200 mA, 2a | 150 @ 500 mA, 10 v / 170 @ 500 mA, 10 V. | 130 MHz, 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
ZXTP25140BFHQTA | 0,2719 | ![]() | 9445 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXTP25140 | 5,84 w | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 140 v | 1 a | 50na (ICBO) | PNP | 260mv @ 100 mA, 1a | 100 @ 10ma, 2v | 75 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR60A100CT | 2.6800 | ![]() | 6521 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | SBR60 | Superbarriere | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | SBR60A100CTDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 30a | 840 mv @ 30 a | 500 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DFLS1100-7-G | - - - | ![]() | 3673 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | PowerDI®123 | DFLS1100 | Schottky | PowerDi ™ 123 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 31-DFLS1100-7-GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 770 mv @ 1 a | 350 na @ 100 v | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 36PF @ 5V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S2M-13 | - - - | ![]() | 7645 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | S2m | Standard | SMB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,15 V @ 1,5 a | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 20pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMAZ18-13 | - - - | ![]() | 1347 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SMAZ18 | 1 w | SMA | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 500 NA @ 13.7 V. | 18 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMBTA55-7-F | 0,2200 | ![]() | 92 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBTA55 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 60 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTC124XCA-7 | 0,3900 | ![]() | 139 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | DDTC124 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1034-DDTC124XCA-7DKR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR2060CTFP | - - - | ![]() | 7760 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SBR2060 | Superbarriere | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | SBR2060CTFPDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 10a | 700 mv @ 10 a | 500 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZTX601ASTOB | - - - | ![]() | 8594 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX601 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 160 v | 1 a | 10 µA | NPN - Darlington | 1,2 V @ 10ma, 1a | 2000 @ 500 mA, 10V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS1AB-13-G | - - - | ![]() | 2764 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | RS1AB-13-GDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMBTA56-7 | - - - | ![]() | 2032 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBTA56 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 80 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS3D-13 | - - - | ![]() | 9293 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AB, SMC | RS3D | Standard | SMC | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 3 a | 150 ns | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBJ1002-F | 1.7300 | ![]() | 102 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBJ | GBJ1002 | Standard | Gbj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,05 V @ 5 a | 10 µA @ 200 V. | 10 a | Einphase | 200 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ZC932TC | - - - | ![]() | 1178 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZC932 | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | 5.5PF @ 4V, 50 MHz | Einzel | 12 v | - - - | 200 @ 4V, 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMC1015UPD-13-52 | 0,2900 | ![]() | 4154 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMC1015 | MOSFET (Metalloxid) | 2,3 W (TA) | PowerDI5060-8 | Herunterladen | 31-DMC1015UPD-13-52 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 12V, 20V | 9,5a (TA), 6,8a (TA) | 17mohm @ 11,8a, 4,5 V, 35MOHM @ 8,9a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 15,6nc @ 4,5V, 15,4nc @ 4,5 V | 1495PF @ 6v, 1745PF @ 10V | Standard | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
DZ23C3V9-7-F | 0,4100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 3,9 v | 95 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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