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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) |
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MMDT2907VQ-7-52 | 0,0760 | ![]() | 3792 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | MMDT2907 | 150 MW | SOT-563 | Herunterladen | 31-MMDT2907VQ-7-52 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 600 mA | 50na | 2 PNP (Dual) | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PD3S130L-7-2477 | - - - | ![]() | 5375 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 323 | Schottky | PowerDi ™ 323 | - - - | 31-PD3S130L-7-2477 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 420 mv @ 1 a | 1,5 mA @ 30 v | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 40pf @ 10v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR10A45SP5-13 | 0,8400 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | SBR10 | Superbarriere | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 530 mv @ 10 a | 400 µa @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
FS1Med-7 | 0,3600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-219aa | Standard | Do-219aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-FS1Med-7TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,1 V @ 1 a | 1 µs | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 7.6PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDT30B45VCT | 0,5716 | ![]() | 5487 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | SDT30 | Schottky | To-220-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-SDT30B45VCT | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 15a | 550 mv @ 15 a | 500 µa @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS70LP-7B-79 | - - - | ![]() | 2696 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 0402 (1006 Metrik) | Bas70 | Schottky | X1-DFN1006-2 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-Bas70LP-7b-79tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 70 V | 960 mv @ 15 mA | 1,6 ns | 10 µa @ 70 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 70 Ma | 1pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5819HW-7-F-52 | 0,0444 | ![]() | 2033 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 1N5819 | Schottky | SOD-123 | Herunterladen | 31-1n5819HW-7-F-52 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 450 mV @ 1 a | 1 ma @ 40 v | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 50pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
BSS84W-7 | - - - | ![]() | 3674 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BSS84 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 50 v | 130 mA (ta) | 5v | 10ohm @ 100 mA, 5V | 2V @ 1ma | ± 20 V | 45 PF @ 25 V. | - - - | 200 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
Ddzx6v8c-7 | 0,2500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Ddzx6 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 5 v | 6,8 v | 5 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF3045CT-LJ | - - - | ![]() | 4016 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MBRF3045 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | MBRF3045CT-LJDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 15a | 620 mv @ 15 a | 100 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
BAT54A-7-F | 0,1900 | ![]() | 148 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bat54 | Schottky | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 30 v | 200 Ma (DC) | 800 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DFLZ22-7 | 0,4900 | ![]() | 7925 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | PowerDI®123 | DFLZ22 | 1 w | PowerDi ™ 123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 1 µa @ 16 V | 22 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PR1002-T | - - - | ![]() | 9670 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | PR1002 | Standard | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,2 V @ 1 a | 150 ns | 5 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
DDTD114TU-7-F | - - - | ![]() | 3888 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTD114 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 100 @ 5ma, 5v | 200 MHz | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR20U60CTFP | - - - | ![]() | 3037 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SBR20 | Superbarriere | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 10a | 710 mv @ 20 a | 500 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54-7-F-2477 | - - - | ![]() | 6727 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Schottky | SOT-23-3 | - - - | 31-bat54-7-F-2477 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 800 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 200 ma | 10pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SD103AW-7-F | 0,4000 | ![]() | 172 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | SD103 | Schottky | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 600 MV @ 200 Ma | 10 ns | 5 µa @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 350 Ma | 28PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN601DWK-7-50 | 0,0900 | ![]() | 4359 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMN601 | MOSFET (Metalloxid) | 200 MW (TA) | SOT-363 | Herunterladen | 31-DMN601DWK-7-50 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 305 Ma (TA) | 2OHM @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 1ma | 0,304 NC @ 4,5 V. | 50pf @ 25v | Standard | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ddz4v7csf-7 | 0,2200 | ![]() | 9167 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | Ddz4v7 | 500 MW | SOD-323F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 10 µa @ 1 V | 4,81 v | 130 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UG3003-T | - - - | ![]() | 6107 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | Standard | Do-201ad | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 950 mv @ 3 a | 50 ns | 5 µa @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR40U60CT | 3.1500 | ![]() | 2046 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | SBR40 | Superbarriere | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 20a | 600 mv @ 20 a | 500 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
MMBZ5255B-7-F | 0,2100 | ![]() | 1732 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5255 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 21 V | 28 v | 44 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDM1A30CSP-7 | - - - | ![]() | 1004 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 2-xdfn | SDM1A30 | Schottky | X3-WLB1006-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 525 mv @ 1 a | 100 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 40pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZHCS400TA-2477 | - - - | ![]() | 8905 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Schottky | SOD-323 | - - - | 31-ZHCS400TA-2477 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 MV @ 400 mA | 40 µa @ 30 V | - - - | 1a | 20pf @ 25v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
BZX84C36Q-7-F | 0,0357 | ![]() | 9629 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,56% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-BZX84C36Q-7-FTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 NA @ 25.2 V. | 36 v | 90 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
FZT653QTA | 0,7500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 1,2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 100 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 200 Ma, 2a | 100 @ 500 mA, 2V | 175MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTA114TUA-7 | 0,1000 | ![]() | 204 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | DDTA114 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR30M40CTFP-JT | - - - | ![]() | 6820 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SBR30 | Superbarriere | ITO-220AB | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 31-SBR30M40CTFP-JT | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 15a | 650 mv @ 15 a | 75 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT2005UDV-7 | 0,2289 | ![]() | 1869 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMT2005 | MOSFET (Metalloxid) | 900 MW (TA) | PowerDI3333-8 (Typ UXC) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 2 n-kanal (dual) | 24 v | 50a (TC) | 7mohm @ 14a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 46.7nc @ 10v | 2060pf @ 10v | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SD1A150E | 0,3800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | SD1A150 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 5.000 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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