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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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DSC06C065 | 2.9400 | ![]() | 2738 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | TO220AC (Typ WX) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 31-dsc06c065 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 650 V | 1,7 V @ 6 a | 170 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 6a | 187pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
BZX84B10-7-F | 0,1900 | ![]() | 51 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 200 na @ 7 V | 10 v | 20 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV199DW-13-F | - - - | ![]() | 6364 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | BAV199 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 31-BAV199DW-13-FTR | Veraltet | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DMP2110U-13 | 0,0699 | ![]() | 2397 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMP2110 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | P-Kanal | 20 v | 3,5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 80MOHM @ 2,8a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 6 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 443 PF @ 10 V. | - - - | 800 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
G30H100CTW | 0,8800 | ![]() | 6120 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Schottky | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-G30H100CTW | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 30a | 790 mv @ 15 a | 5 µa @ 100 V. | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5227BTS-7-F | 0,1300 | ![]() | 9215 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MMBZ5227 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 Unabhängig | 900 mv @ 10 mA | 15 µa @ 1 V | 3.6 V | 24 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP32D5LFA-7B | - - - | ![]() | 7062 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | DMP32 | MOSFET (Metalloxid) | X2-DFN0806-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | P-Kanal | 30 v | 300 mA (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 1,5OHM @ 200 Ma, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 0,7 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 40.9 PF @ 15 V | - - - | 360 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
BAW101V-7 | 0,0907 | ![]() | 8557 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | BAW101 | Standard | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 2 Unabhängig | 325 v | 250 Ma (DC) | 1,1 V @ 100 mA | 50 ns | 150 NA @ 250 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR30150CT-G | - - - | ![]() | 6175 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | SBR30150 | Superbarriere | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-SBR30150CT-G | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 15a | 920 mv @ 15 a | 100 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
BAT54AWQ-13-F-52 | 0,0488 | ![]() | 3447 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bat54 | Schottky | SOT-323 | Herunterladen | 31-BAT54AWQ-13-F-52 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 30 v | 200 ma | 1 V @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | -65 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||
BAT54A-13-F | - - - | ![]() | 6113 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bat54 | Schottky | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-bat54a-13-Ftr | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 30 v | 200 ma | 800 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
BAV199Q-7-F | 0,2200 | ![]() | 41 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAV199 | Standard | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Serie Verbindung | 85 V | 140 mA (DC) | 1,1 V @ 50 Ma | 3 µs | 5 Na @ 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR3U60P5Q-13 | 0,1776 | ![]() | 9265 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | SBR3U60 | Superbarriere | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 60 v | 620 mv @ 3 a | 100 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
MMBZ5248BQ-7-F | 0,0337 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5248 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-mmbz5248bq-7-Ftr | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 14 v | 18 v | 21 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
BSS138-7-F-52 | 0,0377 | ![]() | 2817 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BSS138 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 31-BSS138-7-F-52 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 50 v | 200 Ma (TA) | 10V | 3,5OHM @ 220 Ma, 10 V. | 1,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 50 PF @ 10 V | - - - | 300 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBD4448HTMQ-7-F | - - - | ![]() | 8568 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | Standard | SOT-26 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-MMBD4448HTMQ-7-FTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 3 Unabhängig | 80 v | 250 Ma | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 100 na @ 70 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
BAV23AQ-7-F | 0,0722 | ![]() | 9162 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAV23 | Standard | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-BAV23AQ-7-FTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 200 v | 400 mA (DC) | 1,25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 Na @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DXTN22040CFGQ-7 | 0,5700 | ![]() | 6643 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powervdfn | 1,1 w | PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 40 v | 2 a | 50na | Npn | 600mv @ 300 mA, 3a | 200 @ 500 Ma, 2V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ9688-7 | 0,2400 | ![]() | 73 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | DDZ9688 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 3 V | 4,7 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZTX776 | - - - | ![]() | 4606 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | ZTX776 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 200 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 200 Ma, 1a | 50 @ 500 mA, 5V | 30 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMTH46M7SFVW-13 | 0,6800 | ![]() | 1487 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powervdfn | DMTH46 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 16,3a (TA), 67,2a (TC) | 10V | 7.4mohm @ 20a, 10V | 4v @ 250 ähm | 14.8 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1315 PF @ 20 V | - - - | 3,2 W (TA), 54,5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | ES1D-13-F-52 | 0,1054 | ![]() | 1394 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | Es1d | Standard | SMA | Herunterladen | 31-ES1D-13-F-52 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 920 mv @ 1 a | 25 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 20pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
MMBZ5226BW-7-F | 0,3400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MMBZ5226 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 25 µa @ 1 V | 3.3 v | 28 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ9694Q-7 | - - - | ![]() | 3711 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | DDZ9694 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 NA @ 6.2 V. | 8.2 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LS4148W | - - - | ![]() | 8847 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik) | LS4148 | Standard | 1206 | - - - | 31-LS4148W | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 75 V | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µa @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 150 Ma | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C20-7-G | - - - | ![]() | 2925 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Bzx84 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZX84C20-7-GDI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTA115GKA-7-F | - - - | ![]() | 7088 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA115 | 200 MW | SC-59-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 82 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 100 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMMT411FDBW-7 | 1.3965 | ![]() | 2134 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-udfn exponiert pad | 1,7 w | W-DFN2020-3 (Typ A) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-FMMT411FDBW-7TR | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 15 v | 5 a | 100NA (ICBO) | Npn - avalanche -modus | 100 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 10 mA, 10 V. | 110 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZVN0124ASTZ | - - - | ![]() | 3725 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 240 V | 160 mA (ta) | 10V | 16ohm @ 250 mA, 10V | 3V @ 1ma | ± 20 V | 85 PF @ 25 V. | - - - | 700 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
FR803 | - - - | ![]() | 1641 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-2 | Standard | To-220ac | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 1,3 V @ 8 a | 150 ns | 10 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - - - |
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