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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
BZX84C3V9-7-G Diodes Incorporated BZX84C3V9-7-G - - -
RFQ
 ECAD 6842 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet Bzx84 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen BZX84C3V9-7-GDI Ear99 8541.10.0050 3.000
D3Z2V4BF-7 Diodes Incorporated D3Z2V4BF-7 0,4400
RFQ
 ECAD 700 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 4% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F D3Z2v4 400 MW SOD-323F Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 50 µa @ 1 V 2,53 v 100 Ohm
BZX84B7V5-7-F Diodes Incorporated BZX84B7V5-7-F 0,1900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 1 µa @ 5 V 7,5 v 15 Ohm
1SMB5936B-13 Diodes Incorporated 1SMB5936B-13 0,1257
RFQ
 ECAD 6309 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB 1SMB5936 550 MW SMB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen 1SMB5936B-13DI Ear99 8541.10.0050 3.000 1,5 V @ 200 Ma 1 µA @ 22,8 V. 30 v 28 Ohm
1SMB5937B-13 Diodes Incorporated 1SMB5937B-13 0,4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB 1SMB5937 550 MW SMB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,5 V @ 200 Ma 1 µA @ 25,1 V. 33 v 33 Ohm
DF10S Diodes Incorporated DF10S 0,9702
RFQ
 ECAD 4076 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel DF10 Standard Df-s Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 1 a 10 µa @ 1000 V 1 a Einphase 1 kv
BZX84C33W-7-F Diodes Incorporated BZX84C33W-7-F 0,0630
RFQ
 ECAD 1356 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6% -65 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 Bzx84 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 NA @ 23.1 V. 33 v 80 Ohm
DSRHD08-13 Diodes Incorporated DSRHD08-13 - - -
RFQ
 ECAD 2670 0.00000000 Dioden Eingenbaut Diodestar ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Flache Leitungen DSRHD08 Standard 4-T Minidip Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 1,1 V @ 1 a 10 µa @ 800 V 1 a Einphase 800 V
DDZ39ASF-7 Diodes Incorporated Ddz39asf-7 0,0314
RFQ
 ECAD 7969 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F DDZ39 500 MW SOD-323F Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 200 na @ 30 v 35,58 v 85 Ohm
BZT52C12TQ-7-F Diodes Incorporated BZT52C12TQ-7-F 0,2700
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5,4% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 BZT52 300 MW SOD-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 na @ 8 v 12 v 25 Ohm
DMNH4015SSDQ-13 Diodes Incorporated DMNH4015SSDQ-13 0,3969
RFQ
 ECAD 1638 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMNH4015 MOSFET (Metalloxid) 1.4W, 2W 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 2 n-kanal (dual) 40V 8.6a (ta) 15mohm @ 12a, 10V 3v @ 250 ähm 33nc @ 10v 1938pf @ 15V - - -
HDS20M-13 Diodes Incorporated HDS20m-13 0,4900
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel HDS20 Standard HDS Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 950 mv @ 1 a 5 µA @ 1000 V 2 a Einphase 1 kv
DBF310-13 Diodes Incorporated DBF310-13 0,5500
RFQ
 ECAD 514 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Flache Leitungen DBF310 Standard DBF Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 1 V @ 3 a 5 µA @ 1000 V 3 a Einphase 1 kv
DMMT3904WQ-7-F-52 Diodes Incorporated DMMT3904WQ-7-F-52 0,0880
RFQ
 ECAD 4154 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMMT3904 200 MW SOT-363 Herunterladen 31-DMMT3904WQ-7-F-52 Ear99 8541.21.0075 3.000 40V 200 ma 50na 300mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V 300 MHz
DMMT3906WQ-7-F-52 Diodes Incorporated DMMT3906WQ-7-F-52 0,0878
RFQ
 ECAD 9456 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMMT3906 200 MW SOT-363 Herunterladen 31-DMMT3906WQ-7-F-52 Ear99 8541.21.0075 3.000 40V 200 ma 50na 2 PNP (Dual) 400mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V 250 MHz
STPS1640 Diodes Incorporated STPS1640 0,7266
RFQ
 ECAD 3997 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte STPS16 Standard ITO220AB (Typ WX2) Herunterladen 31-STPS1640 Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 400 V 8a 1,3 V @ 8 a 35 ns 10 µa @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C.
DMT32M6LDG-7 Diodes Incorporated DMT32M6LDG-7 1.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMT32 MOSFET (Metalloxid) 1.1W (TA) PowerDI3333-8 (Typ G) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 2.000 2 n-kanal (dual) 30V 21A (TA), 47A (TC) 2,5 MOHM @ 18A, 10V 2,2 v Bei 400 ähm 15.6nc @ 4,5V 2101PF @ 15V Standard
DMN2055UQ-13 Diodes Incorporated DMN2055UQ-13 0,0640
RFQ
 ECAD 3184 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN2055 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 - - - 31-DMN2055UQ-13 Ear99 8541.29.0095 10.000 N-Kanal 20 v 4.8a (TA) 2,5 V, 4,5 V. 38mohm @ 3,6a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 4,3 NC @ 4,5 V. ± 8 v 400 PF @ 10 V. - - - 800 MW (TA)
DMC2991UDR4-7 Diodes Incorporated DMC2991Udr4-7 0,2800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-xfdfn exponiert Pad DMC2991 MOSFET (Metalloxid) 370 MW (TA) X2-DFN1010-6 (Typ UXC) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 5.000 N und p-kanal 20V 500 mA (TA), 360 mA (TA) 990MOHM @ 100 mA, 4,5 V, 1,9OHM @ 100 Ma, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 0,28 NC @ 4,5 V, 0,3nc @ 4,5 V. 14.6PF @ 16V, 17PF @ 16V Standard
DMP58D1LV-7 Diodes Incorporated DMP58D1LV-7 0,4100
RFQ
 ECAD 6027 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DMP58 MOSFET (Metalloxid) 490 MW (TA) SOT-563 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 2 p-kanal (dual) 50V 220 Ma (TA) 8ohm @ 100 mA, 5V 2v @ 250 ähm 1,2nc @ 10v 37pf @ 25v Standard
KBP4T10 Diodes Incorporated KBP4T10 0,3851
RFQ
 ECAD 3404 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, KBP KBP4 Standard KBP - - - 31-kbp4t10 Ear99 8541.10.0080 35 1,3 V @ 4 a 5 µA @ 1000 V 4 a Einphase 1 kv
DMTH15H017SPSW-13 Diodes Incorporated DMTH15H017SPSW-13 0,7738
RFQ
 ECAD 6262 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke 8-Powertdfn DMTH15 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 (Typ UX) - - - 31-DMTH15H017SPSW-13 2.500 N-Kanal 150 v 11A (TA), 61A (TC) 8 V, 10V 19Mohm @ 20a, 10V 4v @ 250 ähm 34 NC @ 10 V. ± 20 V 2344 PF @ 75 V - - - 1,5 W (TA), 107W (TC)
DMN62D0UV-13 Diodes Incorporated DMN62D0UV-13 0,0610
RFQ
 ECAD 5420 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DMN62 MOSFET (Metalloxid) 470 MW (TA) SOT-563 - - - 1 (unbegrenzt) 31-DMN62D0UV-13TR Ear99 8541.21.0095 10.000 2 n-kanal (dual) 60 v 490 mA (TA) 2OHM @ 100 mA, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 0,5nc @ 4,5 V 32pf @ 30v Standard
TT10M_HF Diodes Incorporated Tt10m_hf 0,6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel Tt10m Standard Ttl - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 1.500 1,05 V @ 5 a 5 µA @ 1000 V 10 a Einphase 1 kv
DMN1032UCP4-7 Diodes Incorporated DMN1032UCP4-7 0,1462
RFQ
 ECAD 4164 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-XFBGA, DSBGA DMN1032 MOSFET (Metalloxid) X1-dsn1010-4 (Typ b) Herunterladen 31-DMN1032UCP4-7 Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 12 v 5a (ta) 1,8 V, 4,5 V. 28mohm @ 1a, 10V 1,2 V @ 250 ähm 3,2 NC @ 4,5 V. ± 8 v 325 PF @ 6 V. - - - 790 MW (TA)
DMN33D8LVQ-7 Diodes Incorporated DMN33D8LVQ-7 0,4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DMN33 MOSFET (Metalloxid) 430 MW (TA) SOT-563 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 30V 350 Ma (TA) 2,4OHM @ 250 mA, 10V 1,5 V @ 100 µA 1.23nc @ 10v 48pf @ 5v Standard
DMN3061S-13 Diodes Incorporated DMN3061S-13 0,0626
RFQ
 ECAD 8308 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN3061 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 31-DMN3061S-13TR Ear99 8541.29.0095 10.000 N-Kanal 30 v 2.3a (TA) 3,3 V, 10 V. 59mohm @ 3.1a, 10V 1,8 V @ 250 ähm 5,5 NC @ 10 V. ± 20 V 233 PF @ 15 V - - - 770 MW (TA)
BC857CWQ-7 Diodes Incorporated BC857CWQ-7 0,3400
RFQ
 ECAD 7880 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 BC857 200 MW SOT-323 - - - Ear99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 ma 15NA (ICBO) PNP 650 mv @ 5ma, 100 mA 420 @ 2MA, 5V 200 MHz
DMP2541UCP9-7 Diodes Incorporated DMP2541UCP9-7 0,2491
RFQ
 ECAD 5783 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 9-XFBGA, DSBGA DMP2541 MOSFET (Metalloxid) X2-DSN1515-9 (Typ B) - - - 31-DMP2541UCP9-7 Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 25 v 3.8a (TA) 1,8 V, 4,5 V. 40mohm @ 2a, 4,5 V. 1,1 V @ 250 ähm 4,7 NC @ 4,5 V. -6v 566 PF @ 10 V. - - - 900 MW (TA)
TT4TM Diodes Incorporated Tt4tm 0,1700
RFQ
 ECAD 2236 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel Tt4 Standard Ttl - - - 31-TT4TM Ear99 8541.10.0080 1.500 1,3 V @ 4 a 5 µA @ 1000 V 4 a Einphase 1 kv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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