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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Spannung - Bewort Biebstemperatur Anwendungen Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) Kapazitätsverhöltnis Kapazitätsverhöltnis Q @ vr, f
DMN53D0LW-13 Diodes Incorporated DMN53D0LW-13 0,0357
RFQ
 ECAD 4212 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DMN53 MOSFET (Metalloxid) SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DMN53D0LW-13DITR Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 50 v 360 Ma (TA) 5v, 10V 2OHM @ 270 Ma, 10V 1,5 V @ 100 µA 1,2 nc @ 10 v ± 20 V 45,8 PF @ 25 V. - - - 320 MW (TA)
BZX84C22-7-F Diodes Incorporated BZX84C22-7-F 0,1500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 Na @ 15,4 V. 22 v 55 Ohm
ES1G-13-F Diodes Incorporated ES1G-13-F 0,4600
RFQ
 ECAD 181 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA Es1g Standard SMA Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1,25 V @ 1 a 25 ns 5 µa @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 20pf @ 4v, 1 MHz
DMN63D8LDW-7 Diodes Incorporated DMN63D8LDW-7 0,3100
RFQ
 ECAD 176 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN63 MOSFET (Metalloxid) 300 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 30V 220 Ma 2,8OHM @ 250 mA, 10V 1,5 V @ 250 ähm 0,87NC @ 10V 22pf @ 25v Logikpegel -tor
DMC62D0SVQ-13 Diodes Incorporated DMC62D0SVQ-13 0,1384
RFQ
 ECAD 1395 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Aktiv DMC62 - - - - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 - - -
ZXMN6A08E6TA Diodes Incorporated ZXMN6A08E6TA 0,8300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 ZXMN6 MOSFET (Metalloxid) SOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 60 v 2.8a (TA) 4,5 V, 10 V. 80MOHM @ 4.8a, 10V 1V @ 250 ähm 5.8 NC @ 10 V ± 20 V 459 PF @ 40 V. - - - 1.1W (TA)
DDTD114GC-7-F Diodes Incorporated DDTD114GC-7-F - - -
RFQ
 ECAD 3365 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTD114 200 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 500 mA 500NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA 56 @ 50 Ma, 5V 200 MHz 10 Kohms
CTA2P1N-7-F Diodes Incorporated CTA2P1N-7-F - - -
RFQ
 ECAD 8150 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 40 V PNP, 60 V n-Kanal Allgemein Zweck Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 CTA2P1 SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 600 mA PNP, 115 Ma n-Kanal PNP, N-Kanal
SD1A210GW Diodes Incorporated SD1A210GW 0,4700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv SD1A210 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 4.000
DCX4710H-7 Diodes Incorporated DCX4710H-7 - - -
RFQ
 ECAD 8577 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DCX4710 150 MW SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 500NA 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 250 mV @ 300 µA, 10 mA 35 @ 5MA, 5V / 80 @ 5MA, 5V 250 MHz 10kohm 10kohms, 47kohms
DGTD65T15H2TF Diodes Incorporated DGTD65T15H2TF 1.9100
RFQ
 ECAD 498 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte DGTD65 Standard 48 w ITO-220AB Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar Reichweiite Betroffen DGTD65T15H2TFDI Ear99 8541.29.0095 1.000 400 V, 15a, 10ohm, 15 V. 150 ns Feldstopp 650 V 30 a 60 a 2v @ 15V, 15a 270 µJ (EIN), 86 µJ (AUS) 61 NC 19ns/128ns
ZC830ATA Diodes Incorporated ZC830ATA - - -
RFQ
 ECAD 2186 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ZC830A SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 11pf @ 2v, 1 MHz Einzel 25 v 6 C2/C20 300 @ 3V, 50 MHz
DMN2004WK-7-50 Diodes Incorporated DMN2004WK-7-50 0,0702
RFQ
 ECAD 8177 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DMN2004 MOSFET (Metalloxid) SOT-323 Herunterladen 31-DMN2004WK-7-50 Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 20 v 540 mA (TA) 1,8 V, 4,5 V. 550MOHM @ 540 mA, 4,5 V. 1V @ 250 ähm ± 8 v 150 PF @ 16 V - - - 200 MW (TA)
DMC2990UDJQ-7-52 Diodes Incorporated DMC2990udjq-7-52 0,0839
RFQ
 ECAD 4654 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-963 DMC2990 MOSFET (Metalloxid) 350 MW (TA) SOT-963 Herunterladen 31-DMC2990udjq-7-52 Ear99 8541.21.0095 10.000 N-und p-kanal-krementär 20V 450 Ma (TA), 310 mA (TA) 990MOHM @ 100 mA, 4,5 V, 1,9OHM @ 100 Ma, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 0,5 NC @ 4,5 V, 0,4nc @ 4,5 V. 27.6PF @ 15V, 28.7PF @ 15V Standard
ZXM61N03FTA Diodes Incorporated ZXM61N03FTA 0,4600
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ZXM61N03 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 30 v 1,4a (ta) 4,5 V, 10 V. 220mohm @ 910 mA, 10V 1V @ 250 ähm 4.1 nc @ 10 v ± 20 V 150 PF @ 25 V. - - - 625 MW (TA)
ZMV931TC Diodes Incorporated ZMV931TC - - -
RFQ
 ECAD 8723 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 ZMV931 SOD-323 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 10.000 4PF @ 4V, 50 MHz Einzel 12 v - - - 300 @ 4V, 50 MHz
DDZ7V5B-7 Diodes Incorporated DDZ7V5B-7 0,2500
RFQ
 ECAD 3879 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2,5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 Ddz7v5 310 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 na @ 6 v 7,5 v 6 Ohm
ZC829BTC Diodes Incorporated ZC829BTC - - -
RFQ
 ECAD 2112 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ZC829B SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 10.000 8.61PF @ 2V, 1 MHz Einzel 25 v 5.8 C2/C20 250 @ 3V, 50 MHz
2DA1971Q-7 Diodes Incorporated 2DA1971Q-7 0,1673
RFQ
 ECAD 6279 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa 2DA1971 1,5 w SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 400 V 500 mA 100na PNP 400mv @ 40 mA, 200 mA 140 @ 20 mA, 5V 75 MHz
BZX84C16W-7-F Diodes Incorporated BZX84C16W-7-F 0,0630
RFQ
 ECAD 3895 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5,56% -65 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 Bzx84 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 NA @ 11.2 V. 16 v 40 Ohm
DMTH3004LFGQ-7 Diodes Incorporated DMTH3004LFGQ-7 0,2629
RFQ
 ECAD 6453 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMTH3004 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 30 v 15a (ta), 75a (TC) 4,5 V, 10 V. 5.5MOHM @ 20A, 10V 3v @ 250 ähm 44 NC @ 10 V. ± 16 v 2370 PF @ 15 V - - - 2,5 W (TA), 50 W (TC)
DDZ7V5CQ-7 Diodes Incorporated DDZ7V5CQ-7 - - -
RFQ
 ECAD 1837 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 Ddz7v5 310 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 na @ 6 v 7,5 v 6 Ohm
DMN7022LFG-7 Diodes Incorporated DMN7022LFG-7 0,7600
RFQ
 ECAD 6645 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMN7022 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 N-Kanal 75 V 7.8a (ta) 4,5 V, 10 V. 22mohm @ 7.2a, 10V 3v @ 250 ähm 56,5 NC @ 10 V. ± 20 V 2737 PF @ 35 V - - - 900 MW (TA)
ZXMN6A08GQTA Diodes Incorporated ZXMN6A08GQTA 0,3843
RFQ
 ECAD 2250 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa ZXMN6 MOSFET (Metalloxid) SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 60 v 3.8a (TA) 4,5 V, 10 V. 80MOHM @ 4.8a, 10V 1V @ 250 ähm 5.8 NC @ 10 V ± 20 V 459 PF @ 40 V. - - - 2W (TA)
ZVN3310ASTOB Diodes Incorporated ZVN3310ASTOB - - -
RFQ
 ECAD 4940 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3 MOSFET (Metalloxid) E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 4.000 N-Kanal 100 v 200 Ma (TA) 10V 10ohm @ 500 mA, 10V 2,4 V @ 1ma ± 20 V 40 PF @ 25 V. - - - 625 MW (TA)
DMN2230UQ-13 Diodes Incorporated DMN2230UQ-13 0,1048
RFQ
 ECAD 7039 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN2230 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 20 v 2a (ta) 1,8 V, 4,5 V. 110 MOHM @ 2,5A, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 2,3 NC @ 10 V. ± 12 V 188 PF @ 10 V. - - - 600 MW (TA)
BZX84C7V5Q-7-F Diodes Incorporated BZX84C7V5Q-7-F 0,0357
RFQ
 ECAD 3450 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 300 MW SOT-23-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-BZX84C7V5Q-7-FTR Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 1 µa @ 5 V 7,5 v 15 Ohm
MMBZ5242BW-7 Diodes Incorporated MMBZ5242BW-7 - - -
RFQ
 ECAD 7993 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 MMBZ5242B 200 MW SOT-323 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 1 µa @ 9,1 V 12 v 30 Ohm
BZX84C39-7-F-79 Diodes Incorporated BZX84C39-7-F-79 - - -
RFQ
 ECAD 9057 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet Bzx84 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen BZX84C39-7-F-79DI Ear99 8541.10.0050 3.000
DDZ9V1B-7 Diodes Incorporated DDZ9V1B-7 0,0630
RFQ
 ECAD 6576 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 Ddz9v1 500 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 na @ 7 v 8.79 v 8 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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