SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) Kapazitätsverhöltnis Kapazitätsverhöltnis Q @ vr, f
DCX4710H-7 Diodes Incorporated DCX4710H-7 - - -
RFQ
ECAD 8577 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DCX4710 150 MW SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 500NA 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 250 mV @ 300 µA, 10 mA 35 @ 5MA, 5V / 80 @ 5MA, 5V 250 MHz 10kohm 10kohms, 47kohms
DGTD65T15H2TF Diodes Incorporated DGTD65T15H2TF 1.9100
RFQ
ECAD 498 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte DGTD65 Standard 48 w ITO-220AB Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar Reichweiite Betroffen DGTD65T15H2TFDI Ear99 8541.29.0095 1.000 400 V, 15a, 10ohm, 15 V. 150 ns Feldstopp 650 V 30 a 60 a 2v @ 15V, 15a 270 µJ (EIN), 86 µJ (AUS) 61 NC 19ns/128ns
ZC830ATA Diodes Incorporated ZC830ATA - - -
RFQ
ECAD 2186 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ZC830A SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 11pf @ 2v, 1 MHz Einzel 25 v 6 C2/C20 300 @ 3V, 50 MHz
DMN2004WK-7-50 Diodes Incorporated DMN2004WK-7-50 0,0702
RFQ
ECAD 8177 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DMN2004 MOSFET (Metalloxid) SOT-323 Herunterladen 31-DMN2004WK-7-50 Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 20 v 540 mA (TA) 1,8 V, 4,5 V. 550MOHM @ 540 mA, 4,5 V. 1V @ 250 ähm ± 8 v 150 PF @ 16 V - - - 200 MW (TA)
DMC2990UDJQ-7-52 Diodes Incorporated DMC2990udjq-7-52 0,0839
RFQ
ECAD 4654 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-963 DMC2990 MOSFET (Metalloxid) 350 MW (TA) SOT-963 Herunterladen 31-DMC2990udjq-7-52 Ear99 8541.21.0095 10.000 N-und p-kanal-krementär 20V 450 Ma (TA), 310 mA (TA) 990MOHM @ 100 mA, 4,5 V, 1,9OHM @ 100 Ma, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 0,5 NC @ 4,5 V, 0,4nc @ 4,5 V. 27.6PF @ 15V, 28.7PF @ 15V Standard
ZXM61N03FTA Diodes Incorporated ZXM61N03FTA 0,4600
RFQ
ECAD 56 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ZXM61N03 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 30 v 1,4a (ta) 4,5 V, 10 V. 220mohm @ 910 mA, 10V 1V @ 250 ähm 4.1 nc @ 10 v ± 20 V 150 PF @ 25 V. - - - 625 MW (TA)
ZMV931TC Diodes Incorporated ZMV931TC - - -
RFQ
ECAD 8723 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 ZMV931 SOD-323 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 10.000 4PF @ 4V, 50 MHz Einzel 12 v - - - 300 @ 4V, 50 MHz
ZC829BTC Diodes Incorporated ZC829BTC - - -
RFQ
ECAD 2112 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ZC829B SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 10.000 8.61PF @ 2V, 1 MHz Einzel 25 v 5.8 C2/C20 250 @ 3V, 50 MHz
2DA1971Q-7 Diodes Incorporated 2DA1971Q-7 0,1673
RFQ
ECAD 6279 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa 2DA1971 1,5 w SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 400 V 500 mA 100na PNP 400mv @ 40 mA, 200 mA 140 @ 20 mA, 5V 75 MHz
BZX84C16W-7-F Diodes Incorporated BZX84C16W-7-F 0,0630
RFQ
ECAD 3895 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5,56% -65 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 Bzx84 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 NA @ 11.2 V. 16 v 40 Ohm
DMTH3004LFGQ-7 Diodes Incorporated DMTH3004LFGQ-7 0,2629
RFQ
ECAD 6453 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMTH3004 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 30 v 15a (ta), 75a (TC) 4,5 V, 10 V. 5.5MOHM @ 20A, 10V 3v @ 250 ähm 44 NC @ 10 V. ± 16 v 2370 PF @ 15 V - - - 2,5 W (TA), 50 W (TC)
DDZ7V5CQ-7 Diodes Incorporated DDZ7V5CQ-7 - - -
RFQ
ECAD 1837 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 Ddz7v5 310 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 na @ 6 v 7,5 v 6 Ohm
DMN7022LFG-7 Diodes Incorporated DMN7022LFG-7 0,7600
RFQ
ECAD 6645 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMN7022 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 N-Kanal 75 V 7.8a (ta) 4,5 V, 10 V. 22mohm @ 7.2a, 10V 3v @ 250 ähm 56,5 NC @ 10 V. ± 20 V 2737 PF @ 35 V - - - 900 MW (TA)
ZXMN6A08GQTA Diodes Incorporated ZXMN6A08GQTA 0,3843
RFQ
ECAD 2250 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa ZXMN6 MOSFET (Metalloxid) SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 60 v 3.8a (TA) 4,5 V, 10 V. 80MOHM @ 4.8a, 10V 1V @ 250 ähm 5.8 NC @ 10 V ± 20 V 459 PF @ 40 V. - - - 2W (TA)
ZVN3310ASTOB Diodes Incorporated ZVN3310ASTOB - - -
RFQ
ECAD 4940 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3 MOSFET (Metalloxid) E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 4.000 N-Kanal 100 v 200 Ma (TA) 10V 10ohm @ 500 mA, 10V 2,4 V @ 1ma ± 20 V 40 PF @ 25 V. - - - 625 MW (TA)
DMN2230UQ-13 Diodes Incorporated DMN2230UQ-13 0,1048
RFQ
ECAD 7039 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN2230 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 20 v 2a (ta) 1,8 V, 4,5 V. 110 MOHM @ 2,5A, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 2,3 NC @ 10 V. ± 12 V 188 PF @ 10 V. - - - 600 MW (TA)
BZX84C7V5Q-7-F Diodes Incorporated BZX84C7V5Q-7-F 0,0357
RFQ
ECAD 3450 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 300 MW SOT-23-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-BZX84C7V5Q-7-FTR Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 1 µa @ 5 V 7,5 v 15 Ohm
MMBZ5242BW-7 Diodes Incorporated MMBZ5242BW-7 - - -
RFQ
ECAD 7993 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 MMBZ5242B 200 MW SOT-323 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 1 µa @ 9,1 V 12 v 30 Ohm
BZX84C39-7-F-79 Diodes Incorporated BZX84C39-7-F-79 - - -
RFQ
ECAD 9057 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet Bzx84 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen BZX84C39-7-F-79DI Ear99 8541.10.0050 3.000
BZX84C3V9W-7 Diodes Incorporated BZX84C3V9W-7 - - -
RFQ
ECAD 9559 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 5% -65 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 Bzx84 200 MW SOT-323 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 3 µa @ 1 V 3,9 v 90 Ohm
SBR40U120CTE Diodes Incorporated SBR40U120CTE 2.5700
RFQ
ECAD 8966 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Rohr Aktiv K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa SBR40 Superbarriere To-262 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 120 v 20a 860 mv @ 20 a 500 µA @ 120 V -65 ° C ~ 150 ° C.
SBR2U150SA-13-50 Diodes Incorporated SBR2U150SA-13-50 0,1370
RFQ
ECAD 8129 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA SBR2U150 Superbarriere SMA Herunterladen 31-SBR2U150SA-13-50 Ear99 8541.10.0080 5.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 150 v 800 mV @ 2 a 75 µa @ 150 V -65 ° C ~ 175 ° C. 2a - - -
DMNH6021SPS-13 Diodes Incorporated DMNH6021SPS-13 0,2741
RFQ
ECAD 5933 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMNH6021 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 55a (TC) 4,5 V, 10 V. 23mohm @ 12a, 10V 3v @ 250 ähm 19.7 NC @ 10 V. ± 20 V 1016 PF @ 30 V - - - 1,6W (TA), 53W (TC)
SDM540P5-13 Diodes Incorporated SDM540P5-13 - - -
RFQ
ECAD 9003 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - - - - SDM540 - - - - - - - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-SDM540P5-13TR Veraltet 10.000 - - - - - -
DDZ9716T-7 Diodes Incorporated DDZ9716T-7 0,0840
RFQ
ECAD 3114 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 DDZ9716 150 MW SOD-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 50 NA @ 29.6 V. 39 v
SBR40U60CTE Diodes Incorporated SBR40U60CTE 2.0000
RFQ
ECAD 8530 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Rohr Aktiv K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa SBR40 Superbarriere To-262 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 60 v 20a 600 mv @ 20 a 500 µa @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C.
PDS3200Q-13 Diodes Incorporated PDS3200Q-13 1.7000
RFQ
ECAD 703 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung PowerDi ™ 5 PDS3200 Schottky PowerDi ™ 5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 880 mv @ 6 a 10 µA @ 200 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 3a - - -
MMSZ5238BS-7-F Diodes Incorporated MMSZ5238BS-7-F 0,0483
RFQ
ECAD 7146 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 MMSZ5238 200 MW SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 3 µA @ 6,5 V. 8,7 v 8 Ohm
DCX115EU-7-F Diodes Incorporated DCX115EU-7-F 0,4300
RFQ
ECAD 552 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DCX115 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 500NA 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 300 mV @ 500 µA, 10 mA 82 @ 5MA, 5V 250 MHz 100kohm 100kohm
BZX84C51Q-13-F Diodes Incorporated BZX84C51Q-13-F - - -
RFQ
ECAD 7884 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5,88% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 300 MW SOT-23-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-BZX84C51Q-13-FTR Ear99 8541.10.0050 10.000 900 mv @ 10 mA 100 NA @ 35.7 V. 51 v 180 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus