Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DCX4710H-7 | - - - | ![]() | 8577 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DCX4710 | 150 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 250 mV @ 300 µA, 10 mA | 35 @ 5MA, 5V / 80 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 10kohm | 10kohms, 47kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DGTD65T15H2TF | 1.9100 | ![]() | 498 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | DGTD65 | Standard | 48 w | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | Reichweiite Betroffen | DGTD65T15H2TFDI | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V, 15a, 10ohm, 15 V. | 150 ns | Feldstopp | 650 V | 30 a | 60 a | 2v @ 15V, 15a | 270 µJ (EIN), 86 µJ (AUS) | 61 NC | 19ns/128ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ZC830ATA | - - - | ![]() | 2186 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZC830A | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 11pf @ 2v, 1 MHz | Einzel | 25 v | 6 | C2/C20 | 300 @ 3V, 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DMN2004WK-7-50 | 0,0702 | ![]() | 8177 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DMN2004 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | 31-DMN2004WK-7-50 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 540 mA (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 550MOHM @ 540 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | ± 8 v | 150 PF @ 16 V | - - - | 200 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMC2990udjq-7-52 | 0,0839 | ![]() | 4654 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-963 | DMC2990 | MOSFET (Metalloxid) | 350 MW (TA) | SOT-963 | Herunterladen | 31-DMC2990udjq-7-52 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-und p-kanal-krementär | 20V | 450 Ma (TA), 310 mA (TA) | 990MOHM @ 100 mA, 4,5 V, 1,9OHM @ 100 Ma, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,5 NC @ 4,5 V, 0,4nc @ 4,5 V. | 27.6PF @ 15V, 28.7PF @ 15V | Standard | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ZXM61N03FTA | 0,4600 | ![]() | 56 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXM61N03 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 1,4a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 220mohm @ 910 mA, 10V | 1V @ 250 ähm | 4.1 nc @ 10 v | ± 20 V | 150 PF @ 25 V. | - - - | 625 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMV931TC | - - - | ![]() | 8723 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | ZMV931 | SOD-323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | 4PF @ 4V, 50 MHz | Einzel | 12 v | - - - | 300 @ 4V, 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ZC829BTC | - - - | ![]() | 2112 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZC829B | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | 8.61PF @ 2V, 1 MHz | Einzel | 25 v | 5.8 | C2/C20 | 250 @ 3V, 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2DA1971Q-7 | 0,1673 | ![]() | 6279 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2DA1971 | 1,5 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 400 V | 500 mA | 100na | PNP | 400mv @ 40 mA, 200 mA | 140 @ 20 mA, 5V | 75 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BZX84C16W-7-F | 0,0630 | ![]() | 3895 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,56% | -65 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bzx84 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 NA @ 11.2 V. | 16 v | 40 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMTH3004LFGQ-7 | 0,2629 | ![]() | 6453 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMTH3004 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 30 v | 15a (ta), 75a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.5MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 16 v | 2370 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 50 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ7V5CQ-7 | - - - | ![]() | 1837 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 3% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | Ddz7v5 | 310 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 6 v | 7,5 v | 6 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN7022LFG-7 | 0,7600 | ![]() | 6645 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMN7022 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 75 V | 7.8a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 22mohm @ 7.2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 56,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2737 PF @ 35 V | - - - | 900 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ZXMN6A08GQTA | 0,3843 | ![]() | 2250 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | ZXMN6 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 3.8a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 80MOHM @ 4.8a, 10V | 1V @ 250 ähm | 5.8 NC @ 10 V | ± 20 V | 459 PF @ 40 V. | - - - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZVN3310ASTOB | - - - | ![]() | 4940 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | N-Kanal | 100 v | 200 Ma (TA) | 10V | 10ohm @ 500 mA, 10V | 2,4 V @ 1ma | ± 20 V | 40 PF @ 25 V. | - - - | 625 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DMN2230UQ-13 | 0,1048 | ![]() | 7039 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN2230 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 20 v | 2a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 110 MOHM @ 2,5A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 2,3 NC @ 10 V. | ± 12 V | 188 PF @ 10 V. | - - - | 600 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BZX84C7V5Q-7-F | 0,0357 | ![]() | 3450 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-BZX84C7V5Q-7-FTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 1 µa @ 5 V | 7,5 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMBZ5242BW-7 | - - - | ![]() | 7993 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MMBZ5242B | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 1 µa @ 9,1 V | 12 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C39-7-F-79 | - - - | ![]() | 9057 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Bzx84 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZX84C39-7-F-79DI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BZX84C3V9W-7 | - - - | ![]() | 9559 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bzx84 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 1 V | 3,9 v | 90 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR40U120CTE | 2.5700 | ![]() | 8966 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | SBR40 | Superbarriere | To-262 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 120 v | 20a | 860 mv @ 20 a | 500 µA @ 120 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR2U150SA-13-50 | 0,1370 | ![]() | 8129 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SBR2U150 | Superbarriere | SMA | Herunterladen | 31-SBR2U150SA-13-50 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 150 v | 800 mV @ 2 a | 75 µa @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 2a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMNH6021SPS-13 | 0,2741 | ![]() | 5933 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMNH6021 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 55a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 23mohm @ 12a, 10V | 3v @ 250 ähm | 19.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1016 PF @ 30 V | - - - | 1,6W (TA), 53W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDM540P5-13 | - - - | ![]() | 9003 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | - - - | SDM540 | - - - | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-SDM540P5-13TR | Veraltet | 10.000 | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ9716T-7 | 0,0840 | ![]() | 3114 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | DDZ9716 | 150 MW | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 29.6 V. | 39 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR40U60CTE | 2.0000 | ![]() | 8530 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | SBR40 | Superbarriere | To-262 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 20a | 600 mv @ 20 a | 500 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDS3200Q-13 | 1.7000 | ![]() | 703 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | PDS3200 | Schottky | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 880 mv @ 6 a | 10 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5238BS-7-F | 0,0483 | ![]() | 7146 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | MMSZ5238 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µA @ 6,5 V. | 8,7 v | 8 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DCX115EU-7-F | 0,4300 | ![]() | 552 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DCX115 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 82 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 100kohm | 100kohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BZX84C51Q-13-F | - - - | ![]() | 7884 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5,88% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-BZX84C51Q-13-FTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 NA @ 35.7 V. | 51 v | 180 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus