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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT)
PBU805 Diodes Incorporated PBU805 - - -
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 ECAD 6920 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Kasten Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, PBU Standard PBU Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 500 1 V @ 2 a 10 µa @ 600 V 8 a Einphase 600 V
G20H150CTFW Diodes Incorporated G20H150CTFW - - -
RFQ
 ECAD 2945 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte Schottky ITO-220AB - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-G20H150CTFW Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 150 v 20a 820 mv @ 10 a 8 µA @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C.
UF1502S-B Diodes Incorporated UF1502S-B - - -
RFQ
 ECAD 5248 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet K. Loch Do-204Al, Do-41, axial Standard Do-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 1 V @ 1,5 a 50 ns 5 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 1,5a 35PF @ 4V, 1 MHz
GBJ1504 Diodes Incorporated GBJ1504 - - -
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 ECAD 5009 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Abgebrochen bei Sic -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, GBJ GBJ1504 Standard Gbj Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 15 1,05 V @ 7,5 a 10 µa @ 400 V 15 a Einphase 400 V
DMT8030LFDF-13 Diodes Incorporated DMT8030LFDF-13 0,2613
RFQ
 ECAD 7315 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad MOSFET (Metalloxid) U-DFN2020-6 (typ f) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMT8030LFDF-13TR Ear99 8541.29.0095 10.000 N-Kanal 80 v 7.5a (ta) 4,5 V, 10 V. 25mohm @ 5a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 10.4 NC @ 10 V ± 20 V 641 PF @ 25 V. - - - 1.2W (TA)
DMN2024UVTQ-7 Diodes Incorporated DMN2024UVTQ-7 0,1456
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 ECAD 6744 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 DMN2024 MOSFET (Metalloxid) 1W TSOT-26 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-dmn2024uvtq-7tr Ear99 8541.29.0095 3.000 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss 20V 7a (ta) 24MOHM @ 6,5A, 4,5 V. 900 MV @ 250 ähm 7.1nc @ 4.5v 647PF @ 10V - - -
2N7002KQ-13 Diodes Incorporated 2N7002KQ-13 0,3100
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 ECAD 6052 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 60 v 310 mA (TA) 5v, 10V 2OHM @ 500 mA, 10V 2,5 V @ 1ma 0,3 NC @ 4,5 V ± 20 V 50 PF @ 25 V. - - - 370 MW (TA)
DMT6008LFG-13 Diodes Incorporated DMT6008LFG-13 0,9000
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 ECAD 5840 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMT6008 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 60 v 13a (ta), 60a (TC) 4,5 V, 10 V. 7,5 MOHM @ 20A, 10V 2v @ 250 ähm 50,4 NC @ 10 V ± 12 V 2713 PF @ 30 V - - - 2,2 W (TA), 41W (TC)
DMP3030SN-7 Diodes Incorporated DMP3030SN-7 0,3700
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 ECAD 3659 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMP3030 MOSFET (Metalloxid) SC-59-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 30 v 700 mA (TA) 4,5 V, 10 V. 250 MOHM @ 400 mA, 10V 3V @ 1ma ± 20 V 160 PF @ 10 V. - - - 500 MW (TA)
GDZ6V0LP3-7 Diodes Incorporated GDZ6V0LP3-7 0,0425
RFQ
 ECAD 5198 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung 0201 (0603 Metrik) Gdz6v0 250 MW X3-DFN0603-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 1 µA @ 2,8 V. 6 v
BAT54Q-13 Diodes Incorporated BAT54Q-13 0,1800
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 ECAD 9 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bat54 Schottky SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 10.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 30 v 800 mV @ 100 mA 5 ns 2 µa @ 25 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 200 ma 10pf @ 1V, 1 MHz
B330CE-13 Diodes Incorporated B330CE-13 - - -
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 ECAD 8549 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC B330 Schottky SMC Herunterladen ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 500 mV @ 3 a 150 µa @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 140pf @ 4v, 1 MHz
DDZX18C-13 Diodes Incorporated DDZX18C-13 0,0321
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 ECAD 2245 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Ddzx18 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DDZX18C-13DI Ear99 8541.10.0050 10.000 900 mv @ 10 mA 50 na @ 14 v 18 v 23 Ohm
W005G Diodes Incorporated W005g - - -
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 ECAD 7811 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-kreiförmigerer Wog W005 Standard Wog Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen W005GDI Ear99 8541.10.0080 1.000 1 V @ 1,5 a 5 µa @ 50 V 1,5 a Einphase 50 v
DF02M Diodes Incorporated Df02m 0,4300
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 ECAD 61 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-EDIP (0,300 ", 7,62 mm) DF02 Standard DFM Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen DF02MDI Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 1 a 10 µA @ 200 V. 1 a Einphase 200 v
BSS84DWQ-13 Diodes Incorporated BSS84DWQ-13 0,0986
RFQ
 ECAD 7654 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BSS84 MOSFET (Metalloxid) 300 MW (TA) SOT-363 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-BSS84DWQ-13TR Ear99 8541.21.0095 10.000 2 p-kanal (dual) 50V 130 mA (ta) 10ohm @ 100 mA, 5V 2V @ 1ma - - - 45PF @ 25v - - -
DF06M Diodes Incorporated Df06m 0,4900
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-EDIP (0,300 ", 7,62 mm) DF06 Standard DFM Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen DF06MDI Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 1 a 10 µa @ 600 V 1 a Einphase 600 V
DDZX20C-7 Diodes Incorporated DDZX20C-7 0,0621
RFQ
 ECAD 1083 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2,48% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Ddzx20 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 50 na @ 15 V 20 v 28 Ohm
GBJ2010 Diodes Incorporated GBJ2010 - - -
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 ECAD 8856 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, GBJ GBJ2010 Standard Gbj Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Gbj2010di Ear99 8541.10.0080 15 1,05 V @ 10 a 10 µa @ 1000 V 20 a Einphase 1 kv
GBJ606 Diodes Incorporated GBJ606 - - -
RFQ
 ECAD 5380 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Abgebrochen bei Sic -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, GBJ Standard Gbj Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 15 1 V @ 3 a 5 µa @ 600 V 6 a Einphase 600 V
RS402LDI-F Diodes Incorporated RS402LDI-F - - -
RFQ
 ECAD 6297 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, RS-4L RS402 Standard RS-4L Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen RS402LDI-FDI Ear99 8541.10.0080 500 1 V @ 3 a 10 µa @ 100 V. 4 a Einphase 100 v
DF01M Diodes Incorporated Df01m 0,4600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-EDIP (0,300 ", 7,62 mm) DF01 Standard DFM Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen DF01MDI Ear99 8541.10.0080 50 1,1 V @ 1 a 10 µa @ 100 V. 1 a Einphase 100 v
GBJ10005 Diodes Incorporated GBJ10005 - - -
RFQ
 ECAD 8361 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Abgebrochen bei Sic -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, GBJ GBJ10005 Standard Gbj Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen GBJ10005DI Ear99 8541.10.0080 15 1,05 V @ 5 a 10 µa @ 50 V 10 a Einphase 50 v
DMN2710UT-13 Diodes Incorporated DMN2710ut-13 0,0598
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 ECAD 5031 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-523 DMN2710 MOSFET (Metalloxid) SOT-523 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMN2710UT-13TR Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 20 v 870 mA (TA) 1,8 V, 4,5 V. 450MOHM @ 600 Ma, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 0,6 NC @ 4,5 V. ± 6 V 42 PF @ 16 V. - - - 320 MW (TA)
GBJ1006-F Diodes Incorporated GBJ1006-F 1.7300
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 ECAD 172 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, GBJ GBJ1006 Standard Gbj Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 15 1,05 V @ 5 a 10 µa @ 600 V 10 a Einphase 600 V
GBJ25005 Diodes Incorporated GBJ25005 - - -
RFQ
 ECAD 3650 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Abgebrochen bei Sic -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, GBJ GBJ25005 Standard Gbj Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen GBJ25005di Ear99 8541.10.0080 15 1,05 V @ 12.5 a 10 µa @ 50 V 25 a Einphase 50 v
GBJ6005 Diodes Incorporated GBJ6005 - - -
RFQ
 ECAD 6290 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Abgebrochen bei Sic -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, GBJ Standard Gbj Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen GBJ6005di Ear99 8541.10.0080 15 1 V @ 3 a 5 µa @ 50 V 6 a Einphase 50 v
W10G Diodes Incorporated W10g - - -
RFQ
 ECAD 1587 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-kreiförmigerer Wog W10 Standard Wog Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen W10GDI Ear99 8541.10.0080 1.000 1 V @ 1,5 a 5 µA @ 1000 V 1,5 a Einphase 1 kv
MBR30H100CT-E1 Diodes Incorporated MBR30H100CT-E1 - - -
RFQ
 ECAD 7999 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 Schottky To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 15a 800 mv @ 15 a 4,5 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 175 ° C.
GBU1002 Diodes Incorporated GBU1002 1.4890
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 ECAD 6351 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, GBU GBU1002 Standard GBU Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 5 a 5 µa @ 200 V. 10 a Einphase 200 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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    2800+

    Weltweite Hersteller

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    15.000 m2

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