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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
BZX84C18Q-13-F Diodes Incorporated BZX84C18Q-13-F 0,0280
RFQ
 ECAD 8204 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6,39% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 300 MW SOT-23-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-BZX84C18Q-13-FTR Ear99 8541.10.0050 10.000 900 mv @ 10 mA 100 NA @ 12,6 V. 18 v 45 Ohm
BZX84C3V3W-7-F Diodes Incorporated BZX84C3V3W-7-F 0,3400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6% -65 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 Bzx84 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 5 µa @ 1 V 3.3 v 95 Ohm
ZXMP7A17KTC Diodes Incorporated ZXMP7A17KTC 0,9100
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 ZXMP7A17 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 70 V 3.8a (TA) 4,5 V, 10 V. 160 MOHM @ 2,1a, 10V 1V @ 250 ähm 18 NC @ 10 V. ± 20 V 635 PF @ 40 V - - - 2.11W (TA)
ZVN4206GTC Diodes Incorporated ZVN4206GTC 0,9400
RFQ
 ECAD 5841 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa ZVN4206 MOSFET (Metalloxid) SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 4.000 N-Kanal 60 v 1a (ta) 5v, 10V 1OHM @ 1,5a, 10V 3V @ 1ma ± 20 V 100 PF @ 25 V. - - - 2W (TA)
ZVNL110ASTOB Diodes Incorporated ZVNL110ASTOB - - -
RFQ
 ECAD 1298 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3 MOSFET (Metalloxid) E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 N-Kanal 100 v 320 Ma (TA) 5v, 10V 3OHM @ 500 mA, 10V 1,5 V @ 1ma ± 20 V 75 PF @ 25 V. - - - 700 MW (TA)
MURS460C-13-F Diodes Incorporated MURS460C-13-F 0,2575
RFQ
 ECAD 1483 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC Standard SMC Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-murs460c-13-Ftr Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,28 V @ 4 a 50 ns 10 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 4a 40pf @ 4v, 1 MHz
DDTA123EKA-7-F Diodes Incorporated DDTA123EKA-7-F - - -
RFQ
 ECAD 2305 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTA123 200 MW SC-59-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 20 @ 20 Ma, 5V 250 MHz 2.2 Kohms 2.2 Kohms
DMP2215L-7 Diodes Incorporated DMP2215L-7 0,3700
RFQ
 ECAD 165 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMP2215 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 20 v 2.7a (TA) 2,5 V, 4,5 V. 100MOHM @ 2,7a, 4,5 V. 1,25 V @ 250 ähm 5.3 NC @ 4.5 V ± 12 V 250 PF @ 10 V - - - 1.08W (TA)
MMSZ5251BQ-7-F Diodes Incorporated MMSZ5251BQ-7-F - - -
RFQ
 ECAD 9246 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-123 MMSZ5251 370 MW SOD-123 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-mmsz5251bq-7-Ftr Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 na @ 17 v 22 v 29 Ohm
BC56-16PA-7 Diodes Incorporated BC56-16PA-7 0,3600
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 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-udfn exponiert pad BC56 520 MW U-DFN2020-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 80 v 1 a 100NA (ICBO) Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 2V 125 MHz
DMP10H400SK3-13 Diodes Incorporated DMP10H400SK3-13 0,6400
RFQ
 ECAD 97 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DMP10 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 100 v 9a (TC) 4,5 V, 10 V. 240MOHM @ 5a, 10V 3v @ 250 ähm 17,5 NC @ 10 V. ± 20 V 1239 PF @ 25 V. - - - 42W (TC)
DMP58D0SV-7 Diodes Incorporated DMP58D0SV-7 - - -
RFQ
 ECAD 3575 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DMP58 MOSFET (Metalloxid) 400 MW SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 p-kanal (dual) 50V 160 ma 8ohm @ 100 mA, 5V 2,1 V @ 250 ähm - - - 27pf @ 25v Logikpegel -tor
BSS138DWQ-7 Diodes Incorporated BSS138DWQ-7 0,4200
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BSS138 MOSFET (Metalloxid) 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 50V 200 ma 3,5OHM @ 220 Ma, 10 V. 1,5 V @ 250 ähm - - - 50pf @ 10v - - -
DMN3027LFG-13 Diodes Incorporated DMN3027LFG-13 0,2588
RFQ
 ECAD 3943 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMN3027 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DMN3027LFG-13DI Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 5.3a (ta) 4,5 V, 10 V. 18,6 MOHM @ 10a, 10V 1,8 V @ 250 ähm 11.3 NC @ 10 V ± 25 V 580 PF @ 15 V - - - 1W (TA)
DMN39M1LK3-13 Diodes Incorporated DMN39M1LK3-13 0,6300
RFQ
 ECAD 2061 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DMN39 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen 31-DMN39M1LK3-13 Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 17,9a (TA), 89,3a (TC) 4,5 V, 10 V. 5,5 MOHM @ 30a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 38.6 NC @ 10 V. ± 20 V 2253 PF @ 15 V - - - 1,4W (TA), 65,7W (TC)
DMP4047SSD-13 Diodes Incorporated DMP4047SSD-13 0,6900
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMP4047 MOSFET (Metalloxid) 1.3W 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 2 p-kanal (dual) 40V 5.1a 45mohm @ 4.4a, 10V 3v @ 250 ähm 21.5nc @ 10v 1154PF @ 20V Logikpegel -tor
SBRT30A100CT Diodes Incorporated SBRT30A100CT - - -
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 ECAD 2045 0.00000000 Dioden Eingenbaut Trenchsbr Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 SBRT30 Superbarriere To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen SBRT30A100CTDI Ear99 8541.10.0080 50 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 15a 800 mv @ 15 a 150 µa @ 100 V. -55 ° C ~ 150 ° C.
DMMT2907A-7 Diodes Incorporated DMMT2907A-7 0,1238
RFQ
 ECAD 1525 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 DMMT2907 900 MW SOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 60 v 600 mA 10NA (ICBO) 2 PNP (Dual) 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V 307MHz
DMN2056U-7 Diodes Incorporated DMN2056U-7 0,3900
RFQ
 ECAD 111 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN2056 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 20 v 4a (ta) 1,5 V, 4,5 V. 38mohm @ 3,6a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 4,3 NC @ 4,5 V. ± 8 v 339 PF @ 10 V. - - - 940 MW
ZXMP10A16KTC Diodes Incorporated ZXMP10A16KTC 0,9400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 ZXMP10 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 100 v 3a (ta) 6 V, 10V 235mohm @ 2,1a, 10V 4v @ 250 ähm 16,5 NC @ 10 V. ± 20 V 717 PF @ 50 V - - - 2.15W (TA)
ZXMP6A18DN8TA Diodes Incorporated ZXMP6A18DN8TA 1.5600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) ZXMP6A18 MOSFET (Metalloxid) 1,8W 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 2 p-kanal (dual) 60 v 3.7a 55mohm @ 3,5a, 10V 1 V @ 250 um (min) 44nc @ 10v 1580PF @ 30V Logikpegel -tor
DMC1017UPD-13 Diodes Incorporated DMC1017UPD-13 - - -
RFQ
 ECAD 4146 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMC1017 MOSFET (Metalloxid) 2.3W PowerDI5060-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-und p-kanal-krementär 12V 13a (ta), 9,4a (ta) 17mohm @ 11,8a, 4,5 V, 32MOHM @ 8,9a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 18,6nc @ 4,5V, 23,7nc @ 4,5 V 1787pf @ 6v, 2100pf @ 6v - - -
ZXMP10A13FQTA Diodes Incorporated ZXMP10A13FQTA 0,7600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ZXMP10 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 100 v 600 mA (TA) 6 V, 10V 1ohm @ 600 mA, 10V 4v @ 250 ähm 1,8 NC @ 5 V. ± 20 V 141 PF @ 50 V - - - 625 MW (TA)
DMTH62M8LPS-13 Diodes Incorporated DMTH62M8LPS-13 0,5722
RFQ
 ECAD 5052 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMTH62 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 (Typ K) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 100a (TC) 4,5 V, 10 V. 2,8 MOHM @ 50A, 10V 3v @ 250 ähm 96,3 NC @ 10 V. ± 20 V 4515 PF @ 30 V - - - 3.13W
ZVN4306AVSTOB Diodes Incorporated ZVN4306AVSTOB - - -
RFQ
 ECAD 4241 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3 MOSFET (Metalloxid) E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 N-Kanal 60 v 1.1a (ta) 5v, 10V 330mohm @ 3a, 10V 3V @ 1ma ± 20 V 350 PF @ 25 V. - - - 850 MW (TA)
DMN2040UVT-7 Diodes Incorporated DMN2040UVT-7 0,0927
RFQ
 ECAD 2540 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 DMN2040 MOSFET (Metalloxid) TSOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 20 v 6.7a (ta) 2,5 V, 4,5 V. 24MOHM @ 6.2a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 7,5 NC @ 4,5 V ± 8 v 667 PF @ 10 V. - - - 1.2W (TA)
DMP2066LSD-13 Diodes Incorporated DMP2066LSD-13 - - -
RFQ
 ECAD 1859 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMP2066LSD MOSFET (Metalloxid) 2W 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 2 p-kanal (dual) 20V 5.8a 40mohm @ 4,6a, 4,5 V. 1,2 V @ 250 ähm 10.1nc @ 4.5v 820pf @ 15V Logikpegel -tor
DMP3056LSDQ-13 Diodes Incorporated DMP3056LSDQ-13 0,8900
RFQ
 ECAD 123 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMP3056 MOSFET (Metalloxid) 2.5W 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 2 p-kanal (dual) 30V 6.9a (ta) 45mohm @ 6a, 10V 2,1 V @ 250 ähm 13.7nc @ 4,5V 722pf @ 25v - - -
ZXMN3B01FTA Diodes Incorporated ZXMN3B01FTA 0,5300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ZXMN3 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 30 v 1.7a (ta) 2,5 V, 4,5 V. 150 MOHM @ 1,7A, 4,5 V. 700 MV @ 250 um (min) 2,93 NC @ 4,5 V. ± 12 V 258 PF @ 15 V - - - 625 MW (TA)
ZXMN3A04DN8TA Diodes Incorporated ZXMN3A04DN8TA 1.7300
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) ZXMN3 MOSFET (Metalloxid) 1,81W 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 2 n-kanal (dual) 30V 6.5a 20mohm @ 12.6a, 10V 1 V @ 250 um (min) 36.8nc @ 10v 1890pf @ 15V Logikpegel -tor
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