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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
DDZX10C-7 Diodes Incorporated DDZX10C-7 0,0435
RFQ
 ECAD 8795 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Ddzx10 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 na @ 8 v 10 v 8 Ohm
DDZX8V2C-7 Diodes Incorporated Ddzx8v2c-7 0,2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2,55% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Ddzx8 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 Na @ 6,5 V. 8.2 v 8 Ohm
AZ23C11-7 Diodes Incorporated AZ23C11-7 - - -
RFQ
 ECAD 9346 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 AZ23C11 300 MW SOT-23-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 11 v 20 Ohm
BZX84C22Q-7-F Diodes Incorporated BZX84C22Q-7-F 0,0357
RFQ
 ECAD 1477 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5,68% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 300 MW SOT-23-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-BZX84C22Q-7-FTR Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 Na @ 15,4 V. 22 v 55 Ohm
GBPC1502W Diodes Incorporated GBPC1502W - - -
RFQ
 ECAD 1654 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Tablett Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4 Quadratmeter, gbpc-w GBPC1502 Standard Gbpc-w Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen GBPC1502WDI Ear99 8541.10.0080 100 1,1 V @ 7,5 a 5 µa @ 200 V. 15 a Einphase 200 v
BCV47TA Diodes Incorporated BCv47ta 0,3500
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 ECAD 50 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BCV47 330 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 60 v 500 mA 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1 V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100 mA, 5V 170 MHz
B340AF-13-2477 Diodes Incorporated B340AF-13-2477 - - -
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 ECAD 4035 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Lets Kaufen Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA Flat Leads Schottky Smaf - - - 31-B340AF-13-2477 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 500 mV @ 3 a 200 µa @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 120pf @ 4V, 1 MHz
SDM02U30AP3-7B Diodes Incorporated SDM02U30AP3-7B 0,0250
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 ECAD 1786 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 31-SDM02U30AP3-7BTR 10.000
DMT6007LFGQ-13 Diodes Incorporated DMT6007LFGQ-13 1.1100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMT6007 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 60 v 15a (TA), 80A (TC) 4,5 V, 10 V. 6mohm @ 20a, 10V 2v @ 250 ähm 41,3 NC @ 10 V. ± 20 V 2090 PF @ 30 V - - - 2,2 W (TA), 62,5 W (TC)
DSC04A065D1-13 Diodes Incorporated DSC04A065D1-13 2.7400
RFQ
 ECAD 3276 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DSC04 SIC (Silicon Carbide) Schottky To-252 (Typ WX) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 2.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 650 V 1,5 V @ 4 a 170 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 4a 184pf @ 100MV, 1 MHz
1N4148-T Diodes Incorporated 1N4148-T - - -
RFQ
 ECAD 3340 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N4148 Standard Do-35 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0070 10.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 75 V 1 V @ 10 mA 4 ns 5 µa @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C. 150 Ma 4PF @ 0V, 1MHz
DMTH48M3SFVW-7 Diodes Incorporated DMTH48M3SFVW-7 0,2217
RFQ
 ECAD 8551 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke 8-Powervdfn MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMTH48M3SFVW-7TR Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 40 v 14,6a (TA), 52,4a (TC) 10V 8,9 MOHM @ 20A, 10V 4v @ 250 ähm 12.1 NC @ 10 V. ± 20 V 897 PF @ 20 V - - - 2,82W (TA), 36,6 W (TC)
ZXMN2A02N8TA Diodes Incorporated ZXMN2A02N8TA - - -
RFQ
 ECAD 1204 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) ZXMN2 MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 N-Kanal 20 v 8.3a (ta) 2,5 V, 4,5 V. 20mohm @ 11a, 4,5 V. 700 MV @ 250 um (min) 18,9 NC @ 4,5 V. ± 12 V 1900 PF @ 10 V. - - - 1,56W (TA)
ZVP4525E6TC Diodes Incorporated ZVP4525E6TC - - -
RFQ
 ECAD 3342 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10.000 P-Kanal 250 V 197ma (TA) 3,5 V, 10 V. 14ohm @ 200 mA, 10V 2V @ 1ma 3,45 NC @ 10 V. ± 40 V 73 PF @ 25 V. - - - 1.1W (TA)
MMSZ5256B-7 Diodes Incorporated MMSZ5256B-7 - - -
RFQ
 ECAD 9238 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 MMSZ5256B 500 MW SOD-123 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 na @ 23 v 30 v 49 Ohm
ZXTN25100DZTA-50 Diodes Incorporated ZXTN25100DZTA-50 0,1404
RFQ
 ECAD 3001 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa ZXTN25100 1,1 w SOT-89-3 Herunterladen 31-ZXTN25100DZTA-50 Ear99 8541.29.0075 1.000 100 v 2,5 a 100na Npn 345mv @ 250 mA, 2,5a 300 @ 10ma, 2v 175MHz
BZX84C39-7-G Diodes Incorporated BZX84C39-7-G - - -
RFQ
 ECAD 2293 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet Bzx84 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen BZX84C39-7-GDI Ear99 8541.10.0050 3.000
DMN3401LVQ-13 Diodes Incorporated DMN3401LVQ-13 0,3200
RFQ
 ECAD 8404 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DMN3401 MOSFET (Metalloxid) 490 MW (TA) SOT-563 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 10.000 2 n-kanal (dual) 30V 800 mA (TA) 400mohm @ 590 mA, 10V 1,6 V @ 100 µA 1,2nc @ 10v 50pf @ 15V Standard
DMN2024UQ-13 Diodes Incorporated DMN2024UQ-13 0,1075
RFQ
 ECAD 2208 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN2024 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMN2024UQ-13TR Ear99 8541.29.0095 10.000 N-Kanal 20 v 6.8a (ta) 1,8 V, 4,5 V. 25mo @ 6,5a, 4,5 V. 900 MV @ 250 ähm 6,5 NC @ 4,5 V. ± 10 V 647 PF @ 10 V. - - - 800 MW
DZ23C16-7-F Diodes Incorporated DZ23C16-7-F 0,4100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DZ23 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1 Paar Gemeinsamer Kathode 16 v 40 Ohm
BZT52C12S-7-F-79 Diodes Incorporated BZT52C12S-7-F-79 - - -
RFQ
 ECAD 5934 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet BZT52 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen BZT52C12S-7-F-79DI Ear99 8541.10.0050 3.000
DDZ12C-7 Diodes Incorporated DDZ12C-7 0,3800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 DDZ12 500 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 NA @ 9.1 V. 12 v 12 Ohm
DMP4065SQ-13-52 Diodes Incorporated DMP4065SQ-13-52 0,1411
RFQ
 ECAD 4329 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMP4065 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen 31-DMP4065SQ-13-52 Ear99 8541.29.0095 10.000 P-Kanal 40 v 2.4a (TA) 4,5 V, 10 V. 80MOHM @ 4.2a, 10V 3v @ 250 ähm 12.2 NC @ 10 V. ± 20 V 587 PF @ 20 V - - - 720 MW
B1100-13-F-2477 Diodes Incorporated B1100-13-F-2477 - - -
RFQ
 ECAD 2877 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Lets Kaufen Oberflächenhalterung Do-214AC, SMA Schottky SMA - - - 31-B1100-13-F-2477 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 790 mv @ 1 a 500 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 80pf @ 4V, 1 MHz
UF1506S-B Diodes Incorporated UF1506S-B - - -
RFQ
 ECAD 9841 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet K. Loch Do-204Al, Do-41, axial Standard Do-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 800 V 1,7 V @ 1,5 a 75 ns 5 µa @ 800 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1,5a 20pf @ 4v, 1 MHz
BC857BWQ-13-F Diodes Incorporated BC857BWQ-13-F 0,2100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 BC857 200 MW Umt3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 120 v 50 ma 500NA (ICBO) PNP 500mv @ 1ma, 10 mA 180 @ 2ma, 6v 140 MHz
BZT52C2V7-7-G Diodes Incorporated BZT52C2V7-7-G - - -
RFQ
 ECAD 2518 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet BZT52 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen BZT52C2V7-7-GDI Ear99 8541.10.0050 3.000
MMBZ5229B-7 Diodes Incorporated MMBZ5229B-7 - - -
RFQ
 ECAD 2111 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBZ5229B 350 MW SOT-23-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 5 µa @ 1 V 4.3 v 22 Ohm
DMG4406LSS-13 Diodes Incorporated DMG4406LSS-13 - - -
RFQ
 ECAD 7247 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMG4406 MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 10.3a (ta) 4,5 V, 10 V. 11Mohm @ 12a, 10V 2v @ 250 ähm 26.7 NC @ 10 V. ± 20 V 1281 PF @ 15 V - - - 1,5 W (TA)
DMN33D8LV-7 Diodes Incorporated DMN33D8LV-7 0,4600
RFQ
 ECAD 6522 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DMN33 MOSFET (Metalloxid) 430 MW (TA) SOT-563 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 30V 350 Ma (TA) 2,4OHM @ 250 mA, 10V 1,5 V @ 100 µA 1.23nc @ 10v 48pf @ 5v - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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    Weltweite Hersteller

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