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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT)
KBP304G Diodes Incorporated KBP304G 0,8300
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, KBP KBP304 Standard KBP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 35 1,1 V @ 3 a 5 µa @ 400 V 3 a Einphase 400 V
KBP310G Diodes Incorporated KBP310G 0,8200
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, KBP KBP310 Standard KBP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 35 1,1 V @ 3 a 5 µA @ 1000 V 3 a Einphase 1 kv
KBP406G Diodes Incorporated KBP406G 0,7400
RFQ
 ECAD 3118 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, KBP KBP406 Standard KBP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 35 1,1 V @ 4 a 5 µa @ 600 V 4 a Einphase 600 V
KBP408G Diodes Incorporated KBP408G 0,7400
RFQ
 ECAD 6899 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, KBP KBP408 Standard KBP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 35 1,1 V @ 4 a 5 µa @ 800 V 4 a Einphase 800 V
RABF154-13 Diodes Incorporated Rabf154-13 - - -
RFQ
 ECAD 9900 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel Rabf154 Standard 4-Sopa - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 1,3 V @ 1,5 a 5 µa @ 400 V 1,5 a Einphase 400 V
RABF28-13 Diodes Incorporated Rabf28-13 - - -
RFQ
 ECAD 1518 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel Rabf28 Standard 4-Sopa - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 1,3 V @ 2 a 5 µa @ 800 V 2 a Einphase 800 V
RDBF152U-13 Diodes Incorporated RDBF152U-13 0,1945
RFQ
 ECAD 3355 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Flache Leitungen RDBF152 Standard DBF - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 1,3 V @ 1,5 a 5 µa @ 200 V. 1,5 a Einphase 200 v
RDBF251-13 Diodes Incorporated RDBF251-13 0,2272
RFQ
 ECAD 6542 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Flache Leitungen RDBF251 Standard DBF - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 1,3 V @ 2,5 a 5 µa @ 100 V. 2,5 a Einphase 100 v
RDBF252-13 Diodes Incorporated RDBF252-13 0,2272
RFQ
 ECAD 4206 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Flache Leitungen RDBF252 Standard DBF - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 1,3 V @ 2,5 a 5 µa @ 200 V. 2,5 a Einphase 200 v
RDBF32-13 Diodes Incorporated RDBF32-13 0,6400
RFQ
 ECAD 1062 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Flache Leitungen RDBF32 Standard DBF - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 1,3 V @ 2,5 a 5 µa @ 200 V. 3 a Einphase 200 v
RDBF34-13 Diodes Incorporated RDBF34-13 0,2456
RFQ
 ECAD 4706 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Flache Leitungen RDBF34 Standard DBF - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 1,3 V @ 2,5 a 5 µa @ 400 V 3 a Einphase 400 V
RS1DB-13-F Diodes Incorporated RS1DB-13-F 0,4200
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB RS1D Standard SMB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 1,3 V @ 1 a 150 ns 5 µa @ 200 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 15PF @ 4V, 1 MHz
DMP2120U-13 Diodes Incorporated DMP2120U-13 0,0560
RFQ
 ECAD 1228 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMP2120 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 P-Kanal 20 v 3.8a (TA) 1,8 V, 4,5 V. 62mohm @ 4,2a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 6,3 NC @ 4,5 V. ± 8 v 487 PF @ 20 V - - - 800 MW
SDMP0340LCT-7-F Diodes Incorporated SDMP0340LCT-7-F 0,4500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-523 SDMG0340 Schottky SOT-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar Gemeinsamer Kathode 40 v 30 mA (DC) 370 mv @ 1 mA 1 µa @ 10 V -40 ° C ~ 125 ° C.
MMBZ5241B-7-F Diodes Incorporated MMBZ5241B-7-F 0,2100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBZ5241 350 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 2 µa @ 8,4 V 11 v 22 Ohm
DMHC6070LSD-13 Diodes Incorporated DMHC6070LSD-13 1.1200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMHC6070 MOSFET (Metalloxid) 1.6W 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 2 n und 2 p-kanal (Halbe Brücke) 60 v 3.1a, 2.4a 100mohm @ 1a, 10 V. 3v @ 250 ähm 11.5nc @ 10v 731pf @ 20V - - -
DMP6110SVT-13 Diodes Incorporated DMP6110SVT-13 0,1843
RFQ
 ECAD 1506 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 DMP6110 MOSFET (Metalloxid) TSOT-23-6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10.000 P-Kanal 60 v 7.3a (TC) 4,5 V, 10 V. 105mohm @ 4,5a, 10V 3v @ 250 ähm 17.2 NC @ 10 V. ± 20 V 969 PF @ 30 V - - - 1,2 W (TA)
SBR10120CTL-13 Diodes Incorporated SBR10120CTL-13 0,2755
RFQ
 ECAD 6396 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 SBR10120 Superbarriere To-252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 2.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 120 v 5a 880 mv @ 5 a 100 µA @ 120 V -65 ° C ~ 175 ° C.
FZT955TA-79 Diodes Incorporated FZT955TA-79 - - -
RFQ
 ECAD 7852 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 31-FZT955TA-79TR Veraltet 3.000
BZT52C16TQ-7-F Diodes Incorporated BZT52C16TQ-7-F 0,2700
RFQ
 ECAD 3413 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5,63% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 BZT52 300 MW SOD-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 NA @ 11.2 V. 16 v 40 Ohm
DMN2026UVT-13 Diodes Incorporated DMN2026UVT-13 0,1173
RFQ
 ECAD 5796 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 DMN2026 MOSFET (Metalloxid) TSOT-23-6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DMN2026UVT-13DI Ear99 8541.29.0095 10.000 N-Kanal 20 v 6.2a (TC) 2,5 V, 4,5 V. 24MOHM @ 6.2a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 18,4 NC @ 8 V. ± 10 V 887 PF @ 10 V. - - - 1.15W (TA)
ZMM5254B-7 Diodes Incorporated ZMM5254B-7 - - -
RFQ
 ECAD 3150 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 Zmm5254 500 MW Mini Melf Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0050 2.500 1,5 V @ 200 Ma 100 na @ 21 V 27 v 41 Ohm
ZVN4525GTA Diodes Incorporated Zvn4525gta 0,9100
RFQ
 ECAD 4017 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa ZVN4525 MOSFET (Metalloxid) SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 250 V 310 mA (TA) 2,5 V, 10 V. 8,5OHM @ 500 mA, 10V 1,8 V @ 1ma 3,65 NC @ 10 V. ± 40 V 72 PF @ 25 V. - - - 2W (TA)
DMT6013LSS-13 Diodes Incorporated DMT6013LSS-13 0,1914
RFQ
 ECAD 6293 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMT6013 MOSFET (Metalloxid) 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DMT6013LSS-13DI Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 10a (ta) 4,5 V, 10 V. 14.3mohm @ 10a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 15 NC @ 10 V ± 20 V 1081 PF @ 30 V - - - 1.4W (TA)
ZMM5225B-7 Diodes Incorporated ZMM5225B-7 - - -
RFQ
 ECAD 6167 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C. Oberflächenhalterung Do-213aa Zmm5225 500 MW Mini Melf Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0050 2.500 1,5 V @ 200 Ma 50 µa @ 1 V 3 v 29 Ohm
BZX84C4V7-7-G Diodes Incorporated BZX84C4V7-7-G - - -
RFQ
 ECAD 9595 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet Bzx84 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen BZX84C4V7-7-GDI Ear99 8541.10.0050 3.000
DDZ16-7 Diodes Incorporated DDZ16-7 0,2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 DDZ16 500 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 50 na @ 12 v 16 v 18 Ohm
DMP1022UFDE-7 Diodes Incorporated DMP1022UFDE-7 - - -
RFQ
 ECAD 3629 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-Powerudfn DMP1022 MOSFET (Metalloxid) U-DFN2020-6 (Typ E) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 12 v 9.1a (ta) 1,2 V, 4,5 V. 16mohm @ 8.2a, 4,5 V. 800 MV @ 250 ähm 42,6 NC @ 5 V. ± 8 v 2953 PF @ 4 V. - - - 660 MW (TA)
SF30FG-T Diodes Incorporated SF30FG-T - - -
RFQ
 ECAD 4285 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch Do-201ad, axial Standard Do-201ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 1.200 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 300 V 1,3 V @ 3 a 40 ns 5 µA @ 300 V -65 ° C ~ 150 ° C. 3a - - -
DDZ9688-7 Diodes Incorporated DDZ9688-7 0,2400
RFQ
 ECAD 73 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-123 DDZ9688 500 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 5 µa @ 3 V 4,7 v
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