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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
UF1502S-B Diodes Incorporated UF1502S-B - - -
RFQ
 ECAD 5248 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet K. Loch Do-204Al, Do-41, axial Standard Do-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 1 V @ 1,5 a 50 ns 5 µa @ 100 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 1,5a 35PF @ 4V, 1 MHz
LZ52C15W Diodes Incorporated LZ52C15W 0,1900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Lets Kaufen ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 1206 (3216 Metrik) LZ52C 500 MW 1206 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 5.000 1,5 V @ 200 Ma 100 na @ 11 v 15 v 30 Ohm
DMP3164LVT-7 Diodes Incorporated DMP3164LVT-7 0,4700
RFQ
 ECAD 785 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 DMP3164 MOSFET (Metalloxid) TSOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 2 p-kanal (dual) 2.8a (TA) 95mohm @ 2,7a, 10V 2,1 V @ 250 ähm - - -
DMT6008LFG-13 Diodes Incorporated DMT6008LFG-13 0,9000
RFQ
 ECAD 5840 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMT6008 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 60 v 13a (ta), 60a (TC) 4,5 V, 10 V. 7,5 MOHM @ 20A, 10V 2v @ 250 ähm 50,4 NC @ 10 V ± 12 V 2713 PF @ 30 V - - - 2,2 W (TA), 41W (TC)
BZX84C5V1-7-F-79 Diodes Incorporated BZX84C5V1-7-F-79 - - -
RFQ
 ECAD 6677 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5,88% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 300 MW SOT-23-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-BZX84C5V1-7-F-79TR Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 2 µa @ 2 V 5.1 v 60 Ohm
BZX84C39TS-7-F Diodes Incorporated BZX84C39TS-7-F - - -
RFQ
 ECAD 9199 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bzx84 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 3 Unabhängig 900 mv @ 10 mA 100 NA @ 27,3 V. 39 v 130 Ohm
DDA122LU-7-F Diodes Incorporated DDA122LU-7-F - - -
RFQ
 ECAD 9486 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDA122 200 MW SOT-363 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 500NA 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 56 @ 10ma, 5V 200 MHz 220 Ohm 10kohm
DMTH69M8LFVWQ-7 Diodes Incorporated DMTH69M8LFVWQ-7 0,2601
RFQ
 ECAD 4970 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke 8-Powervdfn DMTH69 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DMTH69M8LFVWQ-7DI Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 60 v 15,9a (TA), 45,4a (TC) 4,5 V, 10 V. 9,5 MOHM @ 13,5a, 10V 3v @ 250 ähm 33,5 NC @ 10 V. ± 16 v 1925 PF @ 30 V - - - 3,6 W (TA), 29,4W (TC)
DMP2035U-7 Diodes Incorporated DMP2035U-7 0,4300
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMP2035 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 20 v 3.6a (TA) 1,8 V, 4,5 V. 35mohm @ 4a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 15,4 NC @ 4,5 V. ± 8 v 1610 PF @ 10 V - - - 810 MW (TA)
DDZ9716Q-13 Diodes Incorporated DDZ9716Q-13 - - -
RFQ
 ECAD 7898 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-123 DDZ9716 500 MW SOD-123 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-DDZ9716Q-13tr Ear99 8541.10.0050 10.000 900 mv @ 10 mA 50 NA @ 29.6 V. 39 v
BZT52C20-7-G Diodes Incorporated BZT52C20-7-G - - -
RFQ
 ECAD 2229 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet BZT52 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen BZT52C20-7-GDI Ear99 8541.10.0050 3.000
B140HW-7 Diodes Incorporated B140HW-7 0,4600
RFQ
 ECAD 103 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOD-123 B140 Schottky SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 550 mV @ 1 a 40 µa @ 40 V -65 ° C ~ 125 ° C. 1a - - -
ZVP4424GTC Diodes Incorporated ZVP4424GTC - - -
RFQ
 ECAD 1913 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa MOSFET (Metalloxid) SOT-223-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 P-Kanal 240 V 480 mA (TA) 3,5 V, 10 V. 9OHM @ 200 Ma, 10V 2V @ 1ma ± 40 V 200 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA)
DMN3013LFG-7 Diodes Incorporated DMN3013LFG-7 0,3398
RFQ
 ECAD 6067 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerldfn DMN3013 MOSFET (Metalloxid) 2.16W (TA) PowerDI3333-8 (Typ D) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1.000 2 n-kanal (dual) 30V 9,5a (TA), 15a (TC) 14.3mohm @ 4a, 8v 1,2 V @ 250 ähm 5.7nc @ 4.5V 600PF @ 15V - - -
FUS1DE Diodes Incorporated Fus1de 0,3300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-219aa Standard F1A (DO219AA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 10.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 200 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 20pf @ 4v, 1 MHz
DMN3025LFG-13 Diodes Incorporated DMN3025LFG-13 0,1628
RFQ
 ECAD 4440 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMN3025 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 7.5a (ta) 4,5 V, 10 V. 18mohm @ 7.8a, 10V 2v @ 250 ähm 11.6 NC @ 10 V ± 20 V 605 PF @ 15 V - - - 2W (TA)
SDT8A60VP5-7 Diodes Incorporated SDT8A60VP5-7 0,4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung PowerDi ™ 5 Schottky PowerDi ™ 5 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 1.500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 540 mv @ 8 a 200 µa @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a - - -
DMN2016LFG-7 Diodes Incorporated DMN2016LFG-7 0,6500
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerudfn DMN2016 MOSFET (Metalloxid) 770 MW U-DFN3030-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss 20V 5.2a 18mohm @ 6a, 4,5 V. 1,1 V @ 250 ähm 16nc @ 4,5V 1472pf @ 10v Logikpegel -tor
BZX84C2V7W-7-F Diodes Incorporated BZX84C2V7W-7-F 0,3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 7% -65 ° C ~ 125 ° C. Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 Bzx84 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 20 µa @ 1 V 2,7 v 100 Ohm
SBR1A40S3-7 Diodes Incorporated SBR1A40S3-7 0,4200
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 SBR1A40 Superbarriere SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 550 mV @ 1 a 100 µa @ 40 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a - - -
MMBZ5233BW-7-F Diodes Incorporated MMBZ5233BW-7-F 0,0557
RFQ
 ECAD 4884 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 MMBZ5233 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 5 µa @ 3,5 V 6 v 7 Ohm
DMP3045LFVW-7 Diodes Incorporated DMP3045LFVW-7 0,1733
RFQ
 ECAD 7800 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke 8-Powervdfn DMP3045 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMP3045LFVW-7TR Ear99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 30 v 5.7a (TA), 19,9a (TC) 4,5 V, 10 V. 42mohm @ 4,9a, 10V 2,1 V @ 250 ähm 13.6 NC @ 10 V ± 20 V 782 PF @ 15 V - - - 900 MW (TA)
ZXTN2005ZQTA Diodes Incorporated ZXTN2005ZQTA 0,3990
RFQ
 ECAD 3286 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa ZXTN2005 1,5 w SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen ZXTN2005ZQTADI Ear99 8541.29.0075 1.000 25 v 5.5 a 20na Npn 200mv @ 150 mA, 6,5a 300 @ 1a, 1V 150 MHz
BZX84C3V3S-7-F-79 Diodes Incorporated BZX84C3V3S-7-F-79 - - -
RFQ
 ECAD 1456 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet Bzx84 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen BZX84C3V3S-7-F-79DI Ear99 8541.10.0050 3.000
SBR20A45CTFP Diodes Incorporated SBR20A45CTFP 0,8968
RFQ
 ECAD 7232 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte SBR20 Superbarriere ITO-220AB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 10a 500 mV @ 10 a 500 µa @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C.
FCX605TA Diodes Incorporated Fcx605ta 0,6500
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa FCX605 1 w SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 1.000 120 v 1 a 10 µA NPN - Darlington 1,5 V @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 5V 150 MHz
SBRT40V100CT Diodes Incorporated SBRT40V100CT 1.2600
RFQ
 ECAD 6241 0.00000000 Dioden Eingenbaut Trenchsbr Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 SBRT40 Superbarriere To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 20a 730 MV @ 20 a 300 µa @ 100 V. -55 ° C ~ 150 ° C.
DSS5220TQ-13 Diodes Incorporated DSS5220TQ-13 0,0906
RFQ
 ECAD 2570 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DSS5220 600 MW SOT-23-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 20 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 250mv @ 100 mA, 2a 225 @ 100 mA, 2V 100 MHz
FZT690BQTA Diodes Incorporated FZT690BQTA 0,4262
RFQ
 ECAD 9827 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa 1,2 w SOT-223 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-FZT690BQTATR Ear99 8541.29.0075 1.000 45 V 3 a 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 5ma, 1a 500 @ 100 mA, 2V 150 MHz
SBRT20M60SP5-13 Diodes Incorporated SBRT20M60SP5-13 0,8500
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung PowerDi ™ 5 SBRT20 Superbarriere PowerDi ™ 5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 60 v 570 mv @ 20 a 180 µa @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 20a - - -
  • Daily average RFQ Volume

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    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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    Weltweite Hersteller

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