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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
TT8M_HF Diodes Incorporated Tt8m_hf 0,5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel Tt8 Standard Tt - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 1.500 1 V @ 4 a 5 µA @ 1000 V 8 a Einphase 1 kv
TT10M-13 Diodes Incorporated TT10M-13 0,6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel Tt10m Standard Ttl - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.10.0080 1.500 1,05 V @ 5 a 5 µA @ 1000 V 10 a Einphase 1 kv
DMN62D0UV-7 Diodes Incorporated DMN62D0UV-7 0,4100
RFQ
 ECAD 9574 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DMN62 MOSFET (Metalloxid) 470 MW (TA) SOT-563 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 60 v 490 mA (TA) 2OHM @ 100 mA, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 0,5nc @ 4,5 V 32pf @ 30v Standard
ZXMP6A13GTA-52 Diodes Incorporated ZXMP6A13GTA-52 0,2283
RFQ
 ECAD 6882 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa ZXMP6A13 MOSFET (Metalloxid) SOT-223 Herunterladen 31-Zxmp6a13gta-52 Ear99 8541.29.0095 1.000 P-Kanal 60 v 1.7a (ta) 4,5 V, 10 V. 390MOHM @ 900 mA, 10V 3v @ 250 ähm 5,9 NC @ 10 V. ± 20 V 219 PF @ 30 V - - - 2W (TA)
DMP26M1UPSW-13 Diodes Incorporated DMP26M1UPSW-13 0,3271
RFQ
 ECAD 9432 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke 8-Powertdfn DMP26 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 (Typ UX) Herunterladen 31-DMP26M1UPSW-13 Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 20 v 83a (TC) 2,5 V, 4,5 V. 6mohm @ 15a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 164 NC @ 10 V. ± 10 V 5392 PF @ 10 V - - - 1,9W (TA), 2,6 W (TC)
DMP22D5UFB4-7B Diodes Incorporated DMP22D5UFB4-7B 0,0340
RFQ
 ECAD 7931 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-xfdfn DMP22 MOSFET (Metalloxid) X2-DFN1006-3 Herunterladen 31-DMP22D5UFB4-7B Ear99 8541.21.0095 10.000 P-Kanal 20 v 400 mA (TA) 1,5 V, 4,5 V. 1,9OHM @ 100 mA, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 0,3 NC @ 4,5 V ± 8 v 17 PF @ 15 V - - - 460 MW (TA)
SD103AWS-7-F-50 Diodes Incorporated SD103AWS-7-F-50 0,0288
RFQ
 ECAD 9892 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 SD103 Schottky SOD-323 Herunterladen 31-SD103AWS-7-F-50 Ear99 8541.10.0070 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 600 MV @ 200 Ma 10 ns 5 µa @ 30 V -65 ° C ~ 125 ° C. 350 Ma 35PF @ 0V, 1 MHz
BZT52HC27WFQ-7 Diodes Incorporated BZT52HC27WFQ-7 0,0662
RFQ
 ECAD 4039 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv ± 5,88% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F Herunterladen 31-BZT52HC27WFQ-7 Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 50 na @ 18,9 v 27 v 40 Ohm
TT6JL-13 Diodes Incorporated TT6JL-13 0,6552
RFQ
 ECAD 8268 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel Tt6j Standard Tt Herunterladen 31-TT6JL-13 Ear99 8541.10.0080 5.000 900 mv @ 3 a 5 µa @ 600 V 6 a Einphase 600 V
BSS84DW-7-01-50 Diodes Incorporated BSS84DW-7-01-50 0,0850
RFQ
 ECAD 2136 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv BSS84 - - - 1 (unbegrenzt) 31-BSS84DW-7-01-50 3.000
ZHCS400TA-52 Diodes Incorporated ZHCS400TA-52 0,1304
RFQ
 ECAD 8821 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 ZHCS400 Schottky SOD-323 Herunterladen 31-ZHCS400TA-52 Ear99 8541.10.0070 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 500 MV @ 400 mA 40 µa @ 30 V - - - 1a 20pf @ 25v, 1 MHz
DZT5551Q-13-52 Diodes Incorporated DZT5551Q-13-52 0,1488
RFQ
 ECAD 2750 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa 2 w SOT-223 Herunterladen 31-DZT5551Q-13-52 Ear99 8541.29.0075 2.500 160 v 600 mA 50na (ICBO) Npn 200mv @ 5ma, 50 mA 80 @ 10ma, 5V 300 MHz
DFLS240LQ-7-52 Diodes Incorporated DFLS240LQ-7-52 0,1511
RFQ
 ECAD 8873 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung PowerDI®123 DFLS240 Schottky PowerDi ™ 123 Herunterladen 31-DFLS240LQ-7-52 Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 500 mV @ 2 a 12 ns 100 µa @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 2a 90pf @ 10v, 1 MHz
BSS123-7-F-50 Diodes Incorporated BSS123-7-F-50 0,0357
RFQ
 ECAD 6601 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BSS123 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) 31-BSS123-7-F-50 Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 100 v 170 mA (ta) 4,5 V, 10 V. 6OHM @ 170 mA, 10V 2V @ 1ma ± 20 V 60 PF @ 25 V - - - 300 MW (TA)
GBJ15JL-TU Diodes Incorporated Gbj15jl-tu 2.3000
RFQ
 ECAD 3235 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C. K. Loch 4-SIP, GBJ GBJ15 Standard Gbj Herunterladen 31-GBJ15JL-TU Ear99 8541.10.0080 15 900 mV @ 7,5 a 10 µa @ 600 V 15 a Einphase 600 V
ZVP1320FTA-52 Diodes Incorporated ZVP1320FTA-52 0,2252
RFQ
 ECAD 8371 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen 31-ZVP1320fta-52 Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 200 v 35 mA (ta) 10V 80OHM @ 50 Ma, 10V 3,5 V @ 1ma ± 20 V 50 PF @ 25 V. - - - 350 MW (TA)
DMN30H4D0L-7-52 Diodes Incorporated DMN30H4D0L-7-52 0,2501
RFQ
 ECAD 4198 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN30 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen 31-DMN30H4D0L-7-52 Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 300 V 250 mA (TA) 2,7 V, 10 V. 4OHM @ 300 mA, 10V 3v @ 250 ähm 7.6 NC @ 10 V ± 20 V 187.3 PF @ 25 V. - - - 310 MW (TA)
DMP3036SFVQ-13 Diodes Incorporated DMP3036SFVQ-13 0,2223
RFQ
 ECAD 7551 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMP3036 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 (Typ UX) Herunterladen 31-DMP3036SFVQ-13 Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 30 v 8.7a (TA), 30a (TC) 5v, 10V 20mohm @ 8a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 16,5 NC @ 10 V. ± 25 V 1931 PF @ 15 V - - - 900 MW (TA)
DMTH47M2LFVWQ-7 Diodes Incorporated DMTH47M2LFVWQ-7 0,2610
RFQ
 ECAD 1993 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke 8-Powervdfn DMTH47 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX Herunterladen 31-DMTH47M2LFVWQ-7 Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 40 v 13,6a (TA), 49A (TC) 4,5 V, 10 V. 8,9 MOHM @ 20A, 10V 2,3 V @ 250 ähm 12.3 NC @ 10 V. ± 20 V 881 PF @ 20 V - - - 2,9W (TA), 37,5W (TC)
DMN4060SVTQ-13 Diodes Incorporated DMN4060SVTQ-13 0,1369
RFQ
 ECAD 1885 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 DMN4060 MOSFET (Metalloxid) TSOT-26 - - - 31-DMN4060SVTQ-13 Ear99 8541.29.0095 10.000 N-Kanal 45 V 4.3a (TA) 4,5 V, 10 V. 46mohm @ 4.3a, 10V 3v @ 250 ähm 20 nc @ 10 v ± 20 V 1159 PF @ 25 V. - - - 1.2W (TA)
MJD42CQ-13 Diodes Incorporated MJD42CQ-13 0,5800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MJD42 1,5 w To-252, (d-pak) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0075 2.500 100 v 6 a 1 µA PNP 1,5 V @ 600 Ma, 6a 30 @ 300 mA, 4V 3MHz
LZ52C36WS Diodes Incorporated LZ52C36WS - - -
RFQ
 ECAD 1425 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Lets Kaufen ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 1206 (3216 Metrik) LZ52C 500 MW 1206 - - - 31-lz52C36WS Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 200 Ma 100 na @ 27 V 36 v 80 Ohm
DMN62D2UQ-13 Diodes Incorporated DMN62D2UQ-13 0,0495
RFQ
 ECAD 7493 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 31-DMN62D2UQ-13TR Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 60 v 390 Ma (TA) 1,8 V, 5 V. 2OHM @ 50 Ma, 5V 1V @ 250 ähm 0,8 nc @ 10 v ± 20 V 41 PF @ 30 V - - - 500 MW (TA)
TT8T08-13 Diodes Incorporated TT8T08-13 0,1700
RFQ
 ECAD 5576 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel Standard Ttl Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 31-TT8T08-13TR Ear99 8541.10.0080 1.500 1,1 V @ 4 a 5 µa @ 800 V 8 a Einphase 800 V
DPLS160V-7 Diodes Incorporated DPLS160V-7 0,3500
RFQ
 ECAD 4463 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 Dpls160 300 MW SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 60 v 1 a 100na PNP 330 MV @ 100 Ma, 1a 150 @ 500 mA, 5V 220 MHz
2W01G Diodes Incorporated 2W01G - - -
RFQ
 ECAD 5196 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-kreiförmigerer Wog 2W01 Standard Wog Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen 2W01GDI Ear99 8541.10.0080 1.000 1,1 V @ 2 a 5 µa @ 100 V. 2 a Einphase 100 v
GBPC1501W Diodes Incorporated GBPC1501W - - -
RFQ
 ECAD 8801 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Tablett Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4 Quadratmeter, gbpc-w GBPC1501 Standard Gbpc-w Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen GBPC1501WDI Ear99 8541.10.0080 100 1,1 V @ 7,5 a 5 µa @ 100 V. 15 a Einphase 100 v
GBPC3506W Diodes Incorporated GBPC3506W - - -
RFQ
 ECAD 7175 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Tablett Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4 Quadratmeter, gbpc-w GBPC3506 Standard Gbpc-w Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen GBPC3506WDI Ear99 8541.10.0080 100 1,1 V @ 17.5 a 5 µa @ 600 V 35 a Einphase 600 V
DDZ22CSF-7 Diodes Incorporated DDZ22CSF-7 0,1600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F DDZ22 500 MW SOD-323F Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 70 na @ 20 V 21.63 v 55 Ohm
GDZ5V6LP3-7 Diodes Incorporated Gdz5v6lp3-7 0,3300
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung 0201 (0603 Metrik) Gdz5v6 250 MW X3-DFN0603-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 1 µa @ 2,5 V 5.6 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    15.000 m2

    Lagerhaus

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