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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Strom - Hold (ih) (max) ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) Spannung - Im Zustand (VTM) (max) Aktuell - Aus dem Zustand (max) SCR -Typ Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Kapazitätsverhöltnis Q @ vr, f
MB1505W Diodes Incorporated MB1505W - - -
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 ECAD 7042 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4 Quadratmeter, mb-w Standard Mb-w Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen MB1505WDI Ear99 8541.10.0080 100 1,1 V @ 7,5 a 10 µa @ 50 V 15 a Einphase 50 v
S08M02600A Diodes Incorporated S08M02600A 0,3700
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 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut S08XXA Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) S08M02600 To-92 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.30.0080 2.000 5 Ma 600 V 800 mA 800 mV 10a @ 60Hz 200 µA 1,7 v 10 µA Sensibler tor
DMN2004DWKQ-7 Diodes Incorporated DMN2004DWKQ-7 0,1193
RFQ
 ECAD 1683 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN2004 MOSFET (Metalloxid) 200 MW SOT-363 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 20V 540 mA (TA) 550MOHM @ 540 mA, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 0,95nc @ 8v 150pf @ 16v - - -
ZVN0540ASTZ Diodes Incorporated ZVN0540ASTZ - - -
RFQ
 ECAD 6440 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3 MOSFET (Metalloxid) E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 N-Kanal 400 V 90 mA (TA) 10V 50 Ohm @ 100 Ma, 10 V 3V @ 1ma ± 20 V 70 PF @ 25 V. - - - 700 MW (TA)
DMG1016VQ-13 Diodes Incorporated DMG1016VQ-13 0,1418
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 ECAD 8468 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DMG1016 MOSFET (Metalloxid) 530 MW SOT-563 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DMG1016VQ-13DI Ear99 8541.21.0095 10.000 N und p-kanal 20V 870 mA, 640 mA 400 MOHM @ 600 Ma, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 0,74nc @ 4,5 V 60.67PF @ 16V Logikpegel -tor
FZT603QTA Diodes Incorporated FZT603QTA 0,9200
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 ECAD 988 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa FZT603 1,2 w SOT-223-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 1.000 80 v 2 a 10 µA NPN - Darlington 1,13v @ 20 mA, 2a 5000 @ 500 mA, 5V 150 MHz
DMC25D0UVT-7 Diodes Incorporated DMC25D0UVT-7 0,4100
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 ECAD 10 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 DMC25 MOSFET (Metalloxid) 1.2W TSOT-23-6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N und p-kanal 25 V, 30 V 400 Ma, 3,2a 4OHM @ 400 mA, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 0,7nc @ 8v 26.2PF @ 10V - - -
DMP22D5UDJ-7A Diodes Incorporated DMP22D5UDJ-7A 0,0473
RFQ
 ECAD 9297 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-963 DMP22 MOSFET (Metalloxid) 380 MW (TA) SOT-963 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMP22D5UDJ-7ATR Ear99 8541.21.0095 10.000 2 p-kanal (dual) 20V 360 Ma (TA) 1,9OHM @ 100 mA, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 0,3nc @ 4,5 v 17pf @ 15V - - -
RABF158-13 Diodes Incorporated Rabf158-13 - - -
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 ECAD 5255 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Möwenflügel Rabf158 Standard 4-Sopa - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 1,3 V @ 1,5 a 5 µa @ 800 V 1,5 a Einphase 800 V
PBPC802 Diodes Incorporated PBPC802 - - -
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 ECAD 6871 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Kasten Veraltet -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) K. Loch 4 Quadratmeter, PBPC-8 Standard PBPC-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 150 1,1 V @ 4 a 10 µa @ 100 V. 6 a Einphase 100 v
ZXMN3B04N8TA Diodes Incorporated ZXMN3B04N8TA 1.1400
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 ECAD 6 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) ZXMN3 MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 N-Kanal 30 v 7.2a (ta) 2,5 V, 4,5 V. 25mo @ 7.2a, 4,5 V. 700 MV @ 250 um (min) 23.1 NC @ 4,5 V. ± 12 V 2480 PF @ 15 V - - - 2W (TA)
ZXMP3A16GTA Diodes Incorporated ZXMP3A16GTA 0,9400
RFQ
 ECAD 3934 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa ZXMP3A16 MOSFET (Metalloxid) SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1.000 P-Kanal 30 v 5.4a (TA) 4,5 V, 10 V. 45mohm @ 4.2a, 10V 1V @ 250 ähm 29.6 NC @ 10 V. ± 20 V 1022 PF @ 15 V - - - 2W (TA)
DMN2710UW-7 Diodes Incorporated DMN2710UW-7 0,0481
RFQ
 ECAD 9740 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DMN2710 MOSFET (Metalloxid) SOT-323 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-DMN2710UW-7TR Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 20 v 900 mA (TA) 1,8 V, 4,5 V. 450MOHM @ 600 Ma, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 0,6 NC @ 4,5 V. ± 6 V 42 PF @ 16 V. - - - 470 MW (TA)
ZC934ATA Diodes Incorporated ZC934ATA - - -
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 ECAD 8557 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ZC934a SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 25pf @ 4v, 50 MHz Einzel 12 v - - - 80 @ 4V, 50 MHz
BZX84C6V2Q-7-F Diodes Incorporated BZX84C6V2Q-7-F 0,0357
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 ECAD 6190 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6,45% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 300 MW SOT-23-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-BZX84C6V2Q-7-FTR Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 3 µa @ 4 V. 6.2 v 10 Ohm
B250-13-F-2477 Diodes Incorporated B250-13-F-2477 - - -
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 ECAD 5961 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Lets Kaufen Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB Schottky SMB - - - 31-B250-13-F-2477 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 700 mv @ 2 a 500 µa @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 2a 200pf @ 4v, 1 MHz
MMSZ5221BQ-7-F Diodes Incorporated MMSZ5221BQ-7-F 0,0365
RFQ
 ECAD 7208 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-123 370 MW SOD-123 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-mmsz5221bq-7-Ftr Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 µa @ 1 V 2,4 v 30 Ohm
DMTH6004SCTB-13 Diodes Incorporated DMTH6004SCTB-13 2.2800
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 ECAD 5318 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab DMTH6004 MOSFET (Metalloxid) To-263 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 60 v 100a (TC) 10V 3.4mohm @ 100a, 10 V. 4v @ 250 ähm 95.4 NC @ 10 V. ± 20 V 4556 PF @ 30 V - - - 4,7W (TA), 136W (TC)
DMP2035UVT-13 Diodes Incorporated DMP2035UVT-13 - - -
RFQ
 ECAD 9338 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 DMP2035 MOSFET (Metalloxid) TSOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10.000 P-Kanal 20 v 7.2a (ta) 1,8 V, 4,5 V. 35mohm @ 4a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 23.1 NC @ 4,5 V. ± 12 V 2400 PF @ 10 V. - - - 2W (TA)
ZXM66P02N8TC Diodes Incorporated ZXM66P02N8TC - - -
RFQ
 ECAD 2035 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 20 v 6.4a (ta) 2,5 V, 4,5 V. 25mo @ 3,2a, 4,5 V. 700 MV @ 250 um (min) 43,3 NC @ 4,5 V. ± 12 V 2068 PF @ 15 V - - - 1,56W (TA)
DMTH6006SPS-13 Diodes Incorporated DMTH6006SPS-13 0,3837
RFQ
 ECAD 6310 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMTH6006 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen DMTH6006SPS-13DI Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 17,8a (TA), 100A (TC) 10V 6.2mohm @ 10.5a, 10V 4v @ 250 ähm 27.9 NC @ 10 V. ± 20 V 1721 PF @ 30 V - - - 2,94W (TA), 107W (TC)
BAS116Q-13-F Diodes Incorporated BAS116Q-13-F 0,0337
RFQ
 ECAD 1806 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bas116 Standard SOT-23-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-Bas116q-13-Ftr Ear99 8541.10.0070 10.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 85 V 1,25 V @ 150 mA 3 µs 5 Na @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C. 215 Ma 2PF @ 0V, 1MHz
DMN2053UVTQ-7 Diodes Incorporated DMN2053UVTQ-7 0,1020
RFQ
 ECAD 7054 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 DMN2053 MOSFET (Metalloxid) 700 MW (TA) TSOT-26 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-dmn2053uvtq-7tr Ear99 8541.29.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 20V 4.6a (TA) 35mohm @ 5a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 3.6nc @ 4.5V 369pf @ 10v - - -
DSC08C065FP Diodes Incorporated DSC08C065FP 3.4300
RFQ
 ECAD 4836 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-2 Full Pack, Isolierte RegisterKarte SIC (Silicon Carbide) Schottky ITO-220AC (Typ WX) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 31-dsc08c065fp Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 650 V 1,7 V @ 8 a 200 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 8a 273PF @ 100MV, 1 MHz
DMP4050SSDQ-13 Diodes Incorporated DMP4050SSDQ-13 1.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMP4050 MOSFET (Metalloxid) 1.25W 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 2 p-kanal (dual) 40V 4a 50mohm @ 6a, 10V 3v @ 250 ähm 13.9nc @ 10v 674PF @ 20V - - -
DMT8012LPS-13 Diodes Incorporated DMT8012LPS-13 0,4116
RFQ
 ECAD 5305 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMT8012 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 80 v 9A (TA), 65A (TC) 4,5 V, 10 V. 17mohm @ 12a, 10V 3v @ 250 ähm 34 NC @ 10 V. ± 20 V 1949 PF @ 40 V. - - - 2.1W (TA), 113W (TC)
DMTH3004LK3-13 Diodes Incorporated DMTH3004LK3-13 0,4521
RFQ
 ECAD 5038 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DMTH3004 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 21A (TA), 75A (TC) 4,5 V, 10 V. 4mohm @ 20a, 10V 3v @ 250 ähm 44 NC @ 10 V. +20V, -16v 2370 PF @ 15 V - - - 1,9W (TA)
FZT789ATA-79 Diodes Incorporated FZT789ATA-79 - - -
RFQ
 ECAD 5570 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet FZT789A - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 31-FZT789ATA-79TR Veraltet 3.000
BAV21WSQ-7-F-52 Diodes Incorporated BAV21WSQ-7-F-52 0,0432
RFQ
 ECAD 2384 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 BAV21 Standard SOD-323 Herunterladen 31-BAV21WSQ-7-F-52 Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 200 v 1,25 V @ 200 Ma 50 ns 100 Na @ 200 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 200 ma 5PF @ 0V, 1MHz
MMBT3904-13 Diodes Incorporated MMBT3904-13 - - -
RFQ
 ECAD 5200 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBT3904 310 MW SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 40 v 200 ma 50na (ICBO) Npn 300mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V 300 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

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    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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    Weltweite Hersteller

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