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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SBR10H300D1-13 | 0,8800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SBR10 | Superbarriere | To-252, (d-pak) typt th | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 300 V | 920 mv @ 10 a | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 10a | - - - | |||||||||||||||||||||
![]() | DMT5015LFDF-13 | - - - | ![]() | 4311 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | DMT5015 | MOSFET (Metalloxid) | U-DFN2020-6 (typ f) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 50 v | 9.1a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 15mohm @ 8a, 10V | 2v @ 250 ähm | 14 NC @ 10 V | ± 16 v | 902.7 PF @ 25 V. | - - - | 820 MW (TA) | ||||||||||||||||
![]() | PD3Z284C9V1-7 | 0,1465 | ![]() | 5989 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,04% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 323 | 500 MW | PowerDi ™ 323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Pd3z284c9v1didkr | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 500 na @ 6 v | 9.1 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5225BT-7-F | 0,0736 | ![]() | 4566 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOT-523 | MMBZ5225 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 µa @ 1 V | 3 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||
![]() | B0530WS-7-G | - - - | ![]() | 7951 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | B0530 | Schottky | SOD-323 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-B0530WS-7-GTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 450 MV @ 500 mA | 500 µa @ 30 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 500 mA | 58PF @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | DDZ9693Q-7 | 0,0508 | ![]() | 3152 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | DDZ9693 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 NA @ 5.7 V. | 7,5 v | |||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5256B-7-G | - - - | ![]() | 2717 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | MMBZ5256B-7-GDI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C7V5-13-G | - - - | ![]() | 4030 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | BZT52 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZT52C7V5-13-GDI | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C4V7LP-7B-79 | - - - | ![]() | 8918 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | BZT52 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZT52C4V7LP-7B-79DI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C6V2-13-F | 0,0269 | ![]() | 2583 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZT52C6V2-13-FDI | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 4 V. | 6.2 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | DMG7430LFG-7 | 0,4100 | ![]() | 156 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMG7430 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 30 v | 10.5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 11Mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 26.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1281 PF @ 15 V | - - - | 900 MW (TA) | ||||||||||||||||
ZXMP10A13FTA-50 | 0,1494 | ![]() | 4972 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXMP10 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 (Typ DN) | Herunterladen | 31-Zxmp10A13FTA-50 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 100 v | 700 mA (TA) | 6 V, 10V | 1ohm @ 600 mA, 10V | 4v @ 250 ähm | 1,8 NC @ 5 V. | ± 20 V | 141 PF @ 50 V | - - - | 625 MW | |||||||||||||||||||
![]() | GBPC1508 | - - - | ![]() | 4998 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Tablett | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC -terminal | 4 Quadratmeter, GBPC | GBPC1508 | Standard | GBPC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | GBPC1508DI | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 7,5 a | 5 µa @ 800 V | 15 a | Einphase | 800 V | |||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5250B-7 | 0,4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP2100UFU-7 | 0,1736 | ![]() | 8343 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-UFDFN exponiert Pad | DMP2100 | MOSFET (Metalloxid) | 900 MW | U-DFN2030-6 (Typ B) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 P-Kanal (Dual) Gemeinsamer Abfluss | 20V | 5.7a | 38mohm @ 3,5a, 10V | 1,4 V @ 250 ähm | 21.4nc @ 10v | 906PF @ 10V | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | SBR8M100P5Q-13 | 0,5700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | SBR8M100 | Superbarriere | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 100 v | 880 mv @ 8 a | 2 µa @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - - - | |||||||||||||||||||||
![]() | DFLS160-7-2477 | - - - | ![]() | 9605 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | PowerDI®123 | Schottky | PowerDi ™ 123 | - - - | 31-DFLS160-7-2477 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 500 mV @ 1 a | 100 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 67PF @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN2028UFDH-7 | 0,4000 | ![]() | 128 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMN2028 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | PowerDI3030-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | 20V | 6.8a | 20mohm @ 4a, 10V | 1V @ 250 ähm | 8,5nc @ 4,5V | 151pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||
DMN2058UW-13 | 0,0562 | ![]() | 4682 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DMN2058 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 20 v | 3,5a (TA) | 1,8 V, 10 V. | 42mohm @ 3a, 10V | 1,2 V @ 250 ähm | 7,7 NC @ 10 V | ± 12 V | 281 PF @ 10 V. | - - - | 500 MW (TA) | |||||||||||||||||
![]() | DMNH6021SPD-13 | 0,5250 | ![]() | 1924 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMNH6021 | MOSFET (Metalloxid) | 1,5W | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 8.2a, 32a | 25mohm @ 15a, 10V | 3v @ 250 ähm | 20.1nc @ 10v | 1143pf @ 25v | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | BZT52C9V1-7-F-79 | - - - | ![]() | 5563 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | BZT52 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZT52C9V1-7-F-79DI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN15H310SK3-13 | 0,2284 | ![]() | 1485 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DMN15 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 150 v | 8.3a (TC) | 4 V, 10V | 310mohm @ 1,5a, 10 V. | 3v @ 250 ähm | 8.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 405 PF @ 25 V | - - - | 32W (TA) | ||||||||||||||||
![]() | DMTH6004SPSQ-13 | 0,9923 | ![]() | 1331 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMTH6004 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 25A (TA), 100A (TC) | 10V | 3.1Mohm @ 50a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 95.4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 4556 PF @ 30 V | - - - | 2.1W (TA), 167W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | DMP4013LFGQ-13 | 0,9100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMP4013 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 40 v | 10.3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 13mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 68,6 NC @ 10 V | ± 20 V | 3426 PF @ 20 V | - - - | 1W (TA) | ||||||||||||||||
![]() | DMN2990UDJQ-7 | 0,4600 | ![]() | 1680 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-963 | DMN2990 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-963 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | 2 n-kanal (dual) | 450 Ma (TA) | 990MOHM @ 100 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,5nc @ 4,5 V | 27.6PF @ 16V | - - - | ||||||||||||||||||||
![]() | DMP22M2UPS-13 | 0,9214 | ![]() | 6140 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMP22 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 (Typ K) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 20 v | 60a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 2,5 MOHM @ 25a, 10V | 1,4 V @ 250 ähm | 476 NC @ 10 V | ± 12 V | 12826 PF @ 10 V | - - - | 2,3 W (TA) | ||||||||||||||||
![]() | DMN10H099SFG-7 | 0,6500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMN10 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 100 v | 4.2a (TA) | 6 V, 10V | 80MOHM @ 3.3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 25,2 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1172 PF @ 50 V | - - - | 980 MW (TA) | ||||||||||||||||
![]() | DMT10H072LFDF-7 | 0,2619 | ![]() | 3226 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | DMT10 | MOSFET (Metalloxid) | U-DFN2020-6 (typ f) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 4a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 62mohm @ 4,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 5.1 NC @ 10 V | ± 20 V | 266 PF @ 50 V | - - - | 800 MW (TA) | ||||||||||||||||
![]() | DMTH4008LPSQ-13 | 0,8400 | ![]() | 9036 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMTH4008 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 14,4a (TA), 64,8a (TC) | 5v, 10V | 8.8mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 15.3 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1088 PF @ 20 V | - - - | 2,99W (TA), 55,5W (TC) | ||||||||||||||||
DMN67D8L-13 | 0,0278 | ![]() | 9630 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN67 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 60 v | 210 mA (TA) | 5v, 10V | 5ohm @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 0,82 NC @ 10 V. | ± 30 v | 22 PF @ 25 V. | - - - | 340 MW (TA) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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