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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | DMT3020LSDQ-13 | 0,6400 | ![]() | 7166 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMT3020 | MOSFET (Metalloxid) | 1W (TA) | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 16a (TC) | 20mohm @ 9a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 7nc @ 10v | 393PF @ 15V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
ADTA124ecaq-7 | 0,3500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ADTA124 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-atta124ecaq-7tr | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR40U60CTB | - - - | ![]() | 6985 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SBR40 | Superbarriere | To-263ab (d²pak) | - - - | 1 (unbegrenzt) | 31-SBR40U60CTB | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 20a | 600 mv @ 20 a | 500 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR30A45CTFP-JT | - - - | ![]() | 3880 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SBR30 | Superbarriere | ITO-220AB | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 31-SBR30A45CTFP-JT | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 45 V | 15a | 500 mV @ 15 a | 500 µa @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR60A150CT-G | - - - | ![]() | 4726 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | SBR60 | Superbarriere | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-SBR60A150CT-G | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 30a | 930 mv @ 30 a | 300 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR30150CTFP-JT | - - - | ![]() | 3887 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SBR30150 | Superbarriere | ITO-220AB | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 31-SBR30150CTFP-JT | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 15a | 920 mv @ 15 a | 100 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR10U200CTB-13-G | - - - | ![]() | 3356 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SBR10 | Superbarriere | To-263ab (d²pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-SBR10U200CTB-13-GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 5a | 820 mv @ 5 a | 30 ns | 200 µA @ 200 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR30A120CT-E1 | - - - | ![]() | 4314 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 | SBR30 | Superbarriere | To-220-3 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 31-SBR30A120CT-E1 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 120 v | 15a | 830 mv @ 15 a | 100 µA @ 120 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR20A40CTFP-JT | - - - | ![]() | 8904 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SBR20 | Superbarriere | ITO-220AB | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 31-SBR20A40CTFP-JT | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 20a | 600 mv @ 20 a | 500 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR40100CTFP-G | - - - | ![]() | 4601 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SBR40100 | Superbarriere | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-SBR40100CTFP-G | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 20a | 820 MV @ 20 a | 100 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR30A50CTFP-G | - - - | ![]() | 4044 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SBR30 | Superbarriere | ITO-220AB | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 31-SBR30A50CTFP-G | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 50 v | 15a | 550 mv @ 15 a | 500 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
BAS70-06-7-F-79 | - - - | ![]() | 3094 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas70 | Schottky | SOT-23-3 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 31-Bas70-06-7-F-79TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 70 V | 70 Ma (DC) | 1 V @ 15 mA | 5 ns | 100 na @ 50 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR30100CTFP-JT | - - - | ![]() | 8002 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SBR30100 | Superbarriere | ITO-220AB | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 31-SBR30100CTFP-JT | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 100 v | 15a | 850 mv @ 15 a | 100 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 175 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT13003DU-E1 | - - - | ![]() | 2680 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | APT13003 | 1,1 w | To-126 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 31-APT13003DU-E1 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 450 V | 1,5 a | 10 µA | NPN - Darlington | 400 mV @ 250 mA, 1a | 16 @ 500 mA, 2V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP1018UCB9-7 | - - - | ![]() | 7904 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 9-UFBGA, WLBGA | DMP1018 | MOSFET (Metalloxid) | U-WLB1515-9 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 31-DMP1018UCB9-7TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 7.6a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 18mohm @ 2a, 4,5 V. | 1,3 V @ 250 ähm | 4,9 NC @ 4,5 V. | -6v | 457 PF @ 6 V. | - - - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
Fmmt493aw | - - - | ![]() | 2742 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 500 MW | SOT-23 (Typ DN) | - - - | 31-FMMT493AW | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 100 v | 1 a | 100na | Npn | 600mv @ 100 mA, 1a | 100 @ 250 mA, 10 V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP2004TK-7-79 | - - - | ![]() | 8088 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DMP2004 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-523 | - - - | 31-DMP2004TK-7-79 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | P-Kanal | 20 v | 430 Ma (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 1,1OHM @ 430 Ma, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,97 NC @ 8 V | ± 8 v | 47 PF @ 16 V. | - - - | 230 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
DMB54D0UV-13 | - - - | ![]() | 6319 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | 45 V PNP, 50 V n-Kanal | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DMB54 | SOT-563 | Herunterladen | 31-DMB54D0UV-13 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 100 mA PNP, 160 Ma n-kanal | PNP, N-Kanal | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN5L06DWK-7-79 | - - - | ![]() | 3097 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMN5L06 | MOSFET (Metalloxid) | 250 MW (TA) | SOT-363 | - - - | 31-DMN5L06DWK-7-79 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 n-kanal (dual) | 50V | 305 Ma (TA) | 2OHM @ 50 Ma, 5V | 1V @ 250 ähm | 0,4nc @ 4,5 V | 50pf @ 25v | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7002T-7-F-79 | - - - | ![]() | 6368 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | 2N7002 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-523 | - - - | 31-2N7002T-7-F-79 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | N-Kanal | 60 v | 115 Ma (TA) | 5v, 10V | 7.5OHM @ 50 Ma, 5V | 2v @ 250 ähm | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 150 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RTT410 | 0,5100 | ![]() | 384 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | Standard | Tt | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1,3 V @ 4 a | 5 µA @ 1000 V | 4 a | Einphase | 1 kv | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
T16M50T600B | 0,8600 | ![]() | 1625 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | T16m50 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-t16m50T600b | Ear99 | 8541.30.0080 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Babs1100 | 0,4700 | ![]() | 342 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | Babs11 | Schottky | ABS | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 850 mV @ 1 a | 10 µa @ 100 V. | 1 a | Einphase | 100 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBP208 | 0,6300 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBP | Standard | GBP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-GBP208 | Ear99 | 8541.10.0080 | 35 | 1,05 V @ 1 a | 5 µa @ 800 V | 2 a | Einphase | 800 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTH6007PT | 3.0827 | ![]() | 2476 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Nicht für Designs | K. Loch | To-247-2 | - - - | To-247-2 (Typ er) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-DTH6007PT | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 650 V | 2,4 V @ 60 a | 60 ns | 100 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 60a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Babs2100 | 0,5000 | ![]() | 1352 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | Babs21 | Schottky | ABS | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 850 mV @ 2 a | 50 µa @ 100 V. | 2 a | Einphase | 100 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Gbu10v08-tu | 0,8500 | ![]() | 5681 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBU | Standard | GBU | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-GBU10v08-TU | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 920 mv @ 5 a | 5 µa @ 800 V | 10 a | Einphase | 800 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
Rabs20m | 0,4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | Standard | 4-Sopa (Typ WX) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 1,3 V @ 2 a | 1 µA @ 1000 V | 2 a | Einphase | 1 kv | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Babs140 | - - - | ![]() | 2768 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | Babs14 | Schottky | ABS | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 500 mV @ 1 a | 200 µa @ 40 V | 1 a | Einphase | 40 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
Babs260 | - - - | ![]() | 3253 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | Babs26 | Schottky | ABS | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 720 mv @ 2 a | 20 µa @ 60 V | 2 a | Einphase | 60 v |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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