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Diskette HalblerProdukte (13379)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	FET -Typ	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Diodenkonfiguration	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Cutoff (max)	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	Ausflussbasis (R1)	Ausfluss - Emitterbasis (R2)
B220AE-13	- - -	RFQ	9171	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet			Oberflächenhalterung	Do-214AC, SMA	B220	Schottky		SMA	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.10.0080	5.000		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)													20 v		500 mV @ 2 a		100 µa @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	2a	93pf @ 4v, 1 MHz
MBR10100CT-E1	- - -	RFQ	3925	Dioden Eingenbaut	- - -	Rohr	Veraltet			K. Loch	To-220-3	MBR1010	Schottky		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen	MBR10100CT-E1DI	Ear99	8541.10.0080	1.000		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)												1 Paar Gemeinsamer Kathode	100 v	5a	850 mv @ 5 a		100 µa @ 100 V.	-65 ° C ~ 175 ° C.
SBL2045CTP	- - -	RFQ	3165	Dioden Eingenbaut	- - -	Rohr	Veraltet			K. Loch	To-220-3 isolierte RegisterKarte	SBL2045	Schottky		Ito-220s	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen	SBL2045CTPDI	Ear99	8541.10.0080	50		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)												1 Paar Gemeinsamer Kathode	45 V	10a	600 mv @ 10 a		500 µa @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
2a06g-t	0,2100	RFQ	196	Dioden Eingenbaut	*	Klebeband (CT) Schneiden	Aktiv					2A06				Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.10.0080	4.000
MBR730	- - -	RFQ	5599	Dioden Eingenbaut	- - -	Rohr	Veraltet			K. Loch	To-220-2		Schottky		To-220ac	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.10.0080	50		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)													30 v		840 mv @ 15 a		100 µa @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	7.5a	400PF @ 4V, 1 MHz
SBR20A300CTB	1.7700	RFQ	2	Dioden Eingenbaut	SBR®	Rohr	Aktiv			Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	SBR20	Superbarriere		To-263ab (d²pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen	SBR20A300CTBDI	Ear99	8541.10.0080	50		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)												1 Paar Gemeinsamer Kathode	300 V	10a	920 mv @ 10 a	35 ns	100 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 175 ° C.
DDZ9686-7	0,3300	RFQ	2	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOD-123	DDZ9686		500 MW	SOD-123	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.000																	900 mv @ 10 mA		5 µa @ 2 V.							3,9 v
DMT2004UFDF-7	0,6400	RFQ	7658	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-udfn exponiert pad	DMT2004	MOSFET (Metalloxid)		U-DFN2020-6 (typ f)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	3.000			N-Kanal	24 v	14.1a (ta)	2,5 V, 10 V.	6mohm @ 9a, 10V	1,45 V @ 250 ähm	53.7 NC @ 10 V.	± 12 V	1683 PF @ 15 V	- - -	800 MW (TA), 12,5 W (TC)
1n5257b-t	- - -	RFQ	2497	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial	1N5257		500 MW	Do-35	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.10.0050	10.000																	1,1 V @ 200 Ma		100 Na @ 25 V.							33 v	58 Ohm
Bas20-7-g	- - -	RFQ	1423	Dioden Eingenbaut	*	Band & Rollen (TR)	Veraltet					Bas20				- - -		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	BAS20-7-GDI	Ear99	8541.10.0070	3.000
ADA114YUQ-13	0,0621	RFQ	6172	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	ADA114		270 MW	SOT-363	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	10.000																							50V	100 ma	- - -			2 PNP - Voreeinnensmen (Dual)	- - -	- - -	250 MHz	10kohms, 47kohms	10kohms, 47kohms
MBRF20150CT-LJ	- - -	RFQ	1127	Dioden Eingenbaut	- - -	Rohr	Veraltet			K. Loch	To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte	MBRF20150	Schottky		ITO-220AB	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.10.0080	50		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)												1 Paar Gemeinsamer Kathode	150 v	10a	900 mv @ 10 a		50 µa @ 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C.
Fcx491qta	0,2125	RFQ	7483	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-243aa	FCX491		1 w	SOT-89-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Fcx491qtadi	Ear99	8541.29.0075	1.000																							60 v	1 a	100na			Npn	500mv @ 100 mA, 1a	100 @ 500 mA, 5V	150 MHz
SD101BW-13	- - -	RFQ	4409	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Abgebrochen bei Sic			Oberflächenhalterung	SOD-123	SD101B	Schottky		SOD-123	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0070	10.000		Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit													50 v		950 mv @ 15 mA	1 ns	200 Na @ 40 V	-65 ° C ~ 125 ° C.	15 Ma	2.1pf @ 0v, 1 MHz
DMT4005SCT	1.7200	RFQ	50	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Rohr	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	DMT4005	MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	50			N-Kanal	40 v	100a (TC)	10V	4.7mohm @ 50a, 10V	4v @ 250 ähm	49.1 NC @ 10 V.	± 20 V	3062 PF @ 20 V	- - -	2,3 W (TA), 104W (TC)
SDT12A120P5-13	0,7500	RFQ	5	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	PowerDi ™ 5	SDT12	Schottky		PowerDi ™ 5	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.10.0080	5.000		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)													120 v		800 mV @ 12 a		500 µA @ 120 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	12a	- - -
Bat54st-7	- - -	RFQ	6126	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Abgebrochen bei Sic			Oberflächenhalterung	SOT-523	Bat54	Schottky		SOT-523	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0070	3.000		Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit												1 Paar Serie Verbindung	30 v	200 Ma (DC)	1 V @ 100 mA	5 ns	2 µa @ 25 V.	-65 ° C ~ 125 ° C.
ZXMN10A07FTC	- - -	RFQ	1928	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3		MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	10.000			N-Kanal	100 v	700 mA (TA)	6 V, 10V	700 MOHM @ 1,5A, 10V	4v @ 250 ähm	2,9 NC @ 10 V.	± 20 V	138 PF @ 50 V	- - -	625 MW (TA)
Ddzx16q-7	- - -	RFQ	8977	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Veraltet	± 2,56%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	Ddzx16		300 MW	SOT-23-3	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	31-ddzx16q-7tr	Ear99	8541.10.0050	3.000																	900 mv @ 10 mA		50 na @ 12 v							16 v	18 Ohm
2N7002KX-7	- - -	RFQ	9638	Dioden Eingenbaut	*	Band & Rollen (TR)	Veraltet					2N7002				- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2N7002KX-7di	Ear99	8541.21.0095	3.000
Mmbz5240b-7-g	- - -	RFQ	1588	Dioden Eingenbaut	*	Band & Rollen (TR)	Veraltet									- - -		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	MMBZ5240B-7-GDI	Ear99	8541.10.0050	3.000
HBDM60V600X-7	0,1280	RFQ	4211	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	HBDM60V600		200 MW	SOT-363	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	31-HBDM60V600X-7TR	Ear99	8541.21.0095	3.000																							60 V, 80V	600 mA, 500 mA	100na, 50na			1 NPN, 1 PNP (H-Bridge)	400mv @ 10 mA, 100 mA / 500mv @ 50 mA, 500 mA	250 @ 10 mA, 1 V / 100 @ 150 mA, 10 V.	- - -
N6270d	- - -	RFQ	2298	Dioden Eingenbaut	- - -	Schüttgut	Veraltet									- - -		1 (unbegrenzt)			Veraltet	0000.00.0000	1
DMTH6016LFDFW-7	0,2725	RFQ	8530	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-udfn exponiert pad	DMTH6016	MOSFET (Metalloxid)		U-DFN2020-6 (SWP) (Typ F)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	3.000			N-Kanal	60 v	9,4a (TA)	4,5 V, 10 V.	18mohm @ 10a, 10V	3v @ 250 ähm	15.3 NC @ 10 V.	± 20 V	925 PF @ 30 V	- - -	1.06W (TA)
ZVN4306AV	1.5800	RFQ	2213	Dioden Eingenbaut	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)	ZVN4306	MOSFET (Metalloxid)		To-92	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen	ZVN4306AV-NDR	Ear99	8541.21.0095	4.000			N-Kanal	60 v	1.1a (ta)	5v, 10V	330mohm @ 3a, 10V	3V @ 1ma		± 20 V	350 PF @ 25 V.	- - -	850 MW (TA)
BAS16HTW-13	0,3400	RFQ	1205	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Bas16	Standard		SOT-363	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0070	10.000		Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit												3 Unabhängig	100 v	200 Ma (DC)	1,25 V @ 150 mA	4 ns	500 na @ 80 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
DMC25D0UVT-13	0,1276	RFQ	5589	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6	DMC25	MOSFET (Metalloxid)	1.2W	TSOT-23-6	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	DMC25D0UVT-13DI	Ear99	8541.29.0095	10.000	N und p-kanal			25 V, 30 V	400 Ma, 3,2a		4OHM @ 400 mA, 4,5 V.	1,5 V @ 250 ähm	0,7nc @ 8v		26.2PF @ 10V	- - -
RS2J-13-F	0,4600	RFQ	10	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	Do-214aa, SMB	RS2J	Standard		SMB	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.10.0080	3.000		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)													600 V		1,3 V @ 1,5 a	250 ns	5 µa @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	1,5a	30pf @ 4v, 1 MHz
DMN53D0LV-7	0,4400	RFQ	84	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-563, SOT-666	DMN53	MOSFET (Metalloxid)	430 MW (TA)	SOT-563	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	3.000	2 n-kanal (dual)			50V	350 Ma (TA)		1,6OHM @ 500 mA, 10 V.	1,5 V @ 250 ähm	0,6nc @ 4,5 V		46PF @ 25v	- - -
BZT52C15TQ-7-F	0,0474	RFQ	1359	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SC-79, SOD-523	BZT52		300 MW	SOD-523	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.000																	900 mv @ 10 mA		100 Na @ 10,5 V.							15 v	30 Ohm

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (13379)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²