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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
BFS17NTA Diodes Incorporated BFS17NTA 0,3900
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BFS17 330 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 3.000 - - - 11V 50 ma Npn 56 @ 5MA, 10 V. 3,2 GHz - - -
BZT52C7V5S-7-F Diodes Incorporated BZT52C7V5S-7-F 0,2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 BZT52 200 MW SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 700 NA @ 5 V. 7,5 v 15 Ohm
DMN2004K-7 Diodes Incorporated DMN2004K-7 0,3700
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN2004 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 20 v 630 Ma (TA) 1,8 V, 4,5 V. 550MOHM @ 540 mA, 4,5 V. 1V @ 250 ähm ± 8 v 150 PF @ 16 V - - - 350 MW (TA)
ZXTN2007GTA Diodes Incorporated ZXTN2007GTA 0,8200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa ZXTN2007 3 w SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 1.000 30 v 7 a 50na (ICBO) Npn 220 MV @ 300 Ma, 6,5a 100 @ 1a, 1V 140 MHz
ZTX751STOB Diodes Incorporated Ztx751Stob - - -
RFQ
 ECAD 6806 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads ZTX751 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 60 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200 Ma, 2a - - - 140 MHz
ZXMHN6A07T8TA Diodes Incorporated ZXMHN6A07T8TA - - -
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 ECAD 8594 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-223-8 ZXMHN6A07T8 MOSFET (Metalloxid) 1.6W Sm8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1.000 4 N-Kanal (Halbe Brücke) 60 v 1.4a 300 MOHM @ 1,8a, 10V 3v @ 250 ähm 3.2nc @ 10v 166PF @ 40V Logikpegel -tor
DMN1033UCB4-7 Diodes Incorporated DMN1033UCB4-7 - - -
RFQ
 ECAD 1971 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-UFBGA, WLBGA DMN1033 MOSFET (Metalloxid) 1.45W U-WLB1818-4 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss - - - - - - - - - - - - 37nc @ 4,5V - - - Logikpegel -tor
BST62-70TA Diodes Incorporated BST62-70TA - - -
RFQ
 ECAD 9207 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - Oberflächenhalterung To-243aa BST62 1 w SOT-89-3 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 72 v 500 mA 10 µA PNP - Darlington 1,3 V @ 500 µA, 500 mA 1000 @ 150 mA, 10V - - -
MMDT4126-7 Diodes Incorporated MMDT4126-7 - - -
RFQ
 ECAD 7844 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mmdt4126 200 MW SOT-363 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 25 v 200 ma 50na (ICBO) 2 PNP (Dual) 400mv @ 5ma, 50 mA 120 @ 2MA, 1V 250 MHz
ZTX457STOB Diodes Incorporated Ztx457Stob - - -
RFQ
 ECAD 6835 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads ZTX457 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 300 V 500 mA 100NA (ICBO) Npn 300mv @ 10 mA, 100 mA 50 @ 50 Ma, 10 V 75 MHz
FZT591TC Diodes Incorporated FZT591TC - - -
RFQ
 ECAD 5222 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa FZT591 2 w SOT-223-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 4.000 60 v 1 a 100na PNP 600mv @ 100 mA, 1a 100 @ 500 mA, 5V 150 MHz
DMN3025LSS-13 Diodes Incorporated DMN3025LSS-13 0,1279
RFQ
 ECAD 1554 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMN3025 MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 7.2a (ta) 4,5 V, 10 V. 20mohm @ 10a, 10V 2v @ 250 ähm 13.2 NC @ 10 V ± 20 V 641 PF @ 15 V - - - 1.4W (TA)
UF5A400D1 Diodes Incorporated UF5A400D1 - - -
RFQ
 ECAD 3897 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Veraltet Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Standard To-252-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen UF5A400D1DI Ear99 8541.10.0080 80 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 400 V 1,4 V @ 5 a 35 ns 10 µa @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C. 5a 50pf @ 10v, 1 MHz
ZTX601ASTZ Diodes Incorporated Ztx601astz - - -
RFQ
 ECAD 9843 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Box (TB) Veraltet -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads ZTX601 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 160 v 1 a 10 µA NPN - Darlington 1,2 V @ 10ma, 1a 2000 @ 500 mA, 10V 250 MHz
DDC114YH-7 Diodes Incorporated DDC114YH-7 0,4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DDC114 150 MW SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 500NA 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 68 @ 10ma, 5V 250 MHz 10kohm 47kohm
DZT5401-13 Diodes Incorporated DZT5401-13 0,3900
RFQ
 ECAD 492 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa DZT5401 1 w SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.500 150 v 600 mA 50na (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50 mA 60 @ 10ma, 5V 300 MHz
ZXTDCM832TA Diodes Incorporated ZXTDCM832TA - - -
RFQ
 ECAD 3370 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-VDFN Exposed Pad ZXTDCM832 1.7W 8-mlp (3x2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 3.000 50V 4a 25na 2 NPN (Dual) 320mv @ 200ma, 4a 100 @ 2a, 2v 165 MHz
1N4007GL-T Diodes Incorporated 1N4007gl-t - - -
RFQ
 ECAD 6521 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N4007 Standard Do-41 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen IN4007GL-T Ear99 8541.10.0080 5.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1000 v 1 V @ 1 a 2 µs 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 8PF @ 4V, 1 MHz
ZTX957STZ Diodes Incorporated Ztx957stz 0,4970
RFQ
 ECAD 8775 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Box (TB) Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads ZTX957 1,2 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 2.000 300 V 1 a 50na (ICBO) PNP 200mv @ 300 mA, 1a 100 @ 500 mA, 10V 85 MHz
SBR8E45P5-7D Diodes Incorporated SBR8E45P5-7D 0,2210
RFQ
 ECAD 1010 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung PowerDi ™ 5 SBR8E45 Superbarriere PowerDi ™ 5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen SBR8E45P5-7DDI Ear99 8541.10.0080 1.500 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 45 V 510 mv @ 8 a 350 µa @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a - - -
ZXT2M322TA Diodes Incorporated ZXT2M322ta - - -
RFQ
 ECAD 3360 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-Powermd, Flache Leitungen ZXT2M322 3 w 3-mlp/dfn (2x2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 3.000 20 v 3.5 a 25na PNP 300 MV @ 350 Ma, 3,5a 150 @ 2a, 2v 180 MHz
DMC10H220LSD-13 Diodes Incorporated DMC10H220LSD-13 0,3103
RFQ
 ECAD 4992 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMC10 MOSFET (Metalloxid) 1W (TA) 8-so Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMC10H220LSD-13TR Ear99 8541.29.0095 2.500 N-und p-kanal-krementär 100V 1.7a (ta) 220MOHM @ 1,6a, 10 V, 250 MOHM @ 1A, 10 V 3v @ 250 ähm 8.3nc @ 10v, 17.5nc @ 10v 340pf @ 50V, 1030pf @ 50V - - -
BSS127SSN-7 Diodes Incorporated BSS127SSN-7 0,4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BSS127 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 600 V 50 mA (ta) 5v, 10V 160OHM @ 16MA, 10V 4,5 V @ 250 ähm 1,08 NC @ 10 V ± 20 V 21.8 PF @ 25 V. - - - 610 MW (TA)
MMSZ5235BQ-7-F Diodes Incorporated MMSZ5235BQ-7-F 0,0365
RFQ
 ECAD 9244 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-123 370 MW SOD-123 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-mmsz5235bq-7-Ftr Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 3 µa @ 5 V 6,8 v 5 Ohm
BZX84C6V2TS-7-F Diodes Incorporated BZX84C6V2TS-7-F 0,0945
RFQ
 ECAD 3920 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6,45% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bzx84 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen BZX84C6V2TS-FDIDKR Ear99 8541.10.0050 3.000 3 Unabhängig 900 mv @ 10 mA 3 µa @ 4 V. 6.2 v 10 Ohm
DDTC125TE-7 Diodes Incorporated DDTC125TE-7 0,3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Aktiv DDTC125 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000
MMBTH10-7-F Diodes Incorporated MMBTH10-7-F 0,2600
RFQ
 ECAD 563 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MmbTH10 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 - - - 25 v 50 ma Npn 60 @ 4ma, 10V 650 MHz - - -
1N4004-BU Diodes Incorporated 1N4004-bu - - -
RFQ
 ECAD 2099 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N4004 Standard Do-41 Herunterladen 31-1n4004-bu Veraltet 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 400 V 1 V @ 1 a 5 µa @ 400 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 15PF @ 4V, 1 MHz
ZTX957 Diodes Incorporated ZTX957 0,4970
RFQ
 ECAD 5698 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3 ZTX957 1,2 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 4.000 300 V 1 a 50na (ICBO) PNP 200mv @ 300 mA, 1a 100 @ 500 mA, 10V 85 MHz
DDTA124TUA-7-F Diodes Incorporated DDTA124TUA-7-F 0,0435
RFQ
 ECAD 5351 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DDTA124 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 5 mA 100 @ 1ma, 5V 250 MHz 22 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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    2800+

    Weltweite Hersteller

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