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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
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MMBZ5226B-7 | - - - | ![]() | 2383 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5226B | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 25 µa @ 1 V | 3.3 v | 28 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C18T-7-F | 0,0630 | ![]() | 9070 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOT-523 | Bzx84 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 NA @ 12,6 V. | 18 v | 45 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Fmmt918ta | - - - | ![]() | 4090 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt918 | 330 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 15 dB | 15 v | 100 ma | Npn | 20 @ 3ma, 1V | 600 MHz | 6db @ 60MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ADC143ZUQ-7 | 0,0651 | ![]() | 3379 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | ADC143 | 270 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7kohm | 47kohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C27-7-F-79 | - - - | ![]() | 1127 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Bzx84 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZX84C27-7-F-79DI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AZ23C20-7-F | 0,4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AZ23C20 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 20 v | 50 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBJ604-F | 1.3900 | ![]() | 185 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBJ | GBJ604 | Standard | Gbj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1 V @ 3 a | 5 µa @ 400 V | 6 a | Einphase | 400 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ztx789astoa | - - - | ![]() | 3833 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | Ztx789a | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 25 v | 3 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100 mA, 3a | 300 @ 10ma, 2v | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTD142JU-7 | 0,3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | DDTD142 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZHB6792TC | - - - | ![]() | 9904 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-223-8 | ZHB6792 | 1.25W | Sm8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 70V | 1a | 100NA (ICBO) | 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge) | 750 MV @ 50 Ma, 2a | 300 @ 100 mA, 2 V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP6110SVTQ-13 | 0,2389 | ![]() | 1544 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | DMP6110 | MOSFET (Metalloxid) | TSOT-23-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | P-Kanal | 60 v | 7.3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 105mohm @ 4,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 17.2 NC @ 10 V. | ± 20 V | 969 PF @ 30 V | - - - | 1,8W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
Fmmt451ta | 0,3800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt451 | 500 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 350 MV @ 15ma, 150 mA | 50 @ 150 mA, 10V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SB360B-02 | - - - | ![]() | 6591 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54TW-7-F | 0,4300 | ![]() | 153 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bat54 | Schottky | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 3 Unabhängig | 30 v | 200 Ma (DC) | 1 V @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | -65 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXMN2B03E6TA | 0,7700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | ZXMN2 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 4.3a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 40mohm @ 4,3a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 14,5 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 1160 PF @ 10 V. | - - - | 1.1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UG1005-T | - - - | ![]() | 1831 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Standard | Do-41 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN3018SFG-7 | 0,1434 | ![]() | 3232 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMN3018 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 30 v | 8.5a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 21mohm @ 10a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 13.2 NC @ 10 V | ± 25 V | 697 PF @ 15 V | - - - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2dd1664p-13 | 0,1320 | ![]() | 4239 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2dd1664 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 32 v | 1 a | 100na | Npn | 400 mv @ 50 mA, 500 mA | 82 @ 100 mA, 3V | 280 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
BC857BV-7 | 0,4600 | ![]() | 7059 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | BC857 | 150 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSS123-7 | - - - | ![]() | 1274 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BSS123 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 170 mA (ta) | 10V | 6OHM @ 170 mA, 10V | 2V @ 1ma | ± 20 V | 60 PF @ 25 V | - - - | 300 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DSC08A065D1-13 | 3.9000 | ![]() | 4498 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DSC08 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-252 (Typ WX) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 650 V | 1,5 V @ 8 a | 230 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | 348PF @ 100MV, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF1045CT | - - - | ![]() | 5177 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Rohr | Veraltet | MBRF104 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | MBRF1045CTDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS70DW-05Q-7-F | 0,4700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bas70 | Schottky | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Paar Gemeinsame Kathode Passen | 70 V | 70 Ma (DC) | 1 V @ 15 mA | 5 ns | 100 na @ 50 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZDT6790TC | - - - | ![]() | 2145 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-223-8 | ZDT6790 | 2.75W | Sm8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 45 V, 40 V. | 2a | 100NA (ICBO) | NPN, PNP | 500mv @ 5ma, 1a / 750 mV @ 50 mA, 2a | 400 @ 1a, 2v / 300 @ 10 mA, 2 V. | 150 MHz, 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZDT1053TA | 1.5400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-223-8 | ZDT1053 | 2.75W | Sm8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 75 V | 5a | 10na | 2 NPN (Dual) | 440mv @ 250 mA, 5a | 300 @ 1a, 2v | 140 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMTH10H003SPSW-13 | 1.0399 | ![]() | 1317 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMTH10 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 (Typ q) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMTH10H003SPSW-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 166a (TC) | 6 V, 10V | 3mohm @ 30a, 10V | 4v @ 250 ähm | 85 NC @ 10 V | ± 20 V | 5542 PF @ 50 V | - - - | 2,6 W (TA), 167W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR30150CTFP | - - - | ![]() | 6858 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SBR30150 | Superbarriere | ITO-220AB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 15a | 920 mv @ 15 a | 100 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Zdt6758ta | - - - | ![]() | 7691 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-223-8 | ZDT6758 | 2.75W | Sm8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 400V | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN, PNP | 500mv @ 10 mA, 100 mA | 40 @ 200 Ma, 10V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
FZT705ta | 0,8300 | ![]() | 6909 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT705 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 120 v | 2 a | 10 µA | PNP - Darlington | 2,5 V @ 2MA, 2a | 3000 @ 1a, 5V | 160 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
Zumts17nta | 0,4900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Zumts17 | 330 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | - - - | 11V | 50 ma | Npn | 56 @ 5MA, 10 V. | 3,2 GHz | - - - |
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