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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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DMP4065S-13 | 0,4300 | ![]() | 2263 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMP4065 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | P-Kanal | 40 v | 2.4a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 80MOHM @ 4.2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 12.2 NC @ 10 V. | ± 20 V | 587 PF @ 20 V | - - - | 720 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
DMC2400UV-13 | 0,4000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DMC2400 | MOSFET (Metalloxid) | 450 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N und p-kanal | 20V | 1.03a, 700 mA | 480MOHM @ 200 Ma, 5V | 900 MV @ 250 ähm | 0,5nc @ 4,5 V | 37.1pf @ 10v | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5254BS-7 | - - - | ![]() | 3326 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | MMSZ5254B | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 21 V | 27 v | 41 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT3009UFVW-13 | 0,1719 | ![]() | 8266 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powervdfn | DMT3009 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMT3009UFVW-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 10.6a (TA), 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 11Mohm @ 11a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 7.4 NC @ 10 V | ± 12 V | 894 PF @ 15 V | - - - | 1,2W (TA), 2,6W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C27S-7-F | 0,2800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 7% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZT52 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 Na @ 18,9 V. | 27 v | 80 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT585B5V1TQ-7 | 0,2700 | ![]() | 7373 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BZT585 | 350 MW | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 2 µa @ 2 V | 5.1 v | 60 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
DMP3165L-13 | 0,0699 | ![]() | 2579 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMP3165 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | P-Kanal | 30 v | 3.3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 90 MOHM @ 2,7a, 10 V | 2,1 V @ 250 ähm | 2 NC @ 10 V. | ± 20 V | 300 PF @ 10 V. | - - - | 800 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ztx601astz | - - - | ![]() | 9843 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX601 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 160 v | 1 a | 10 µA | NPN - Darlington | 1,2 V @ 10ma, 1a | 2000 @ 500 mA, 10V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
ZXTP25100BFHTA | 0,5600 | ![]() | 7635 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXTP25100 | 1,25 w | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 100 v | 2 a | 50na (ICBO) | PNP | 295mv @ 200 Ma, 2a | 100 @ 10ma, 2v | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
FZT692BTA | 0,8200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT692 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 70 V | 2 a | 100na | Npn | 500mv @ 200 Ma, 2a | 150 @ 1a, 2v | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B250Q-13-F | 0,1300 | ![]() | 9988 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | B250 | Schottky | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 700 mv @ 2 a | 500 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 200pf @ 40V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C3V3S-7-F | 0,2800 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZT52 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 95 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTA144GCA-7 | 0,3900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | DDTA144 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1034-DDTA144GCA-7DKR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMBZ5232BQ-7-F | 0,0337 | ![]() | 2922 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-MMBZ5232BQ-7-FTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 3 V | 5.6 v | 11 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR20U60CT-G | - - - | ![]() | 6632 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | SBR20 | Superbarriere | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-SBR20U60CT-G | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 20a | 710 mv @ 20 a | 500 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
BZX84C2V4-7 | - - - | ![]() | 7934 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 8% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 µa @ 1 V | 2,4 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Zvn2120astoa | - - - | ![]() | 2529 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 200 v | 180 ma (ta) | 10V | 10ohm @ 250 mA, 10V | 3V @ 1ma | ± 20 V | 85 PF @ 25 V. | - - - | 700 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C7V5LP-7 | 0,0840 | ![]() | 8133 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52 | 250 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 1 µa @ 5 V | 7,5 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
Ddta124eca-7-f | 0,2200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA124 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
MMSTA55-7-F | 0,0840 | ![]() | 4359 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MMSTA55 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 60 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 50 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZVNL120CSTOB | - - - | ![]() | 9521 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | K. Loch | E-Line-3 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 200 v | 180 ma (ta) | 3V, 5V | 10ohm @ 250 mA, 5V | 1,5 V @ 1ma | ± 20 V | 85 PF @ 25 V. | - - - | 700 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMM5231B-7 | - - - | ![]() | 1893 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Zmm5231 | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 5 µa @ 2 V. | 5.1 v | 17 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bas16t-7-g | - - - | ![]() | 6013 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Bas16 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BAS16T-7-GDI | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ30DS-7 | 0,0531 | ![]() | 3589 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | DDZ30 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 23 v | 30 v | 55 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N7002DWKX-13 | - - - | ![]() | 4039 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 2N7002 | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 2N7002DWKX-13DI | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP2035UFCL-7 | 0,5900 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-UFDFN exponiert Pad | DMP2035 | MOSFET (Metalloxid) | U-DFN1616-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 6.6a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 24MOHM @ 8a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 44 NC @ 8 V | ± 8 v | 2200 PF @ 10 V. | - - - | 740 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | B150-13 | - - - | ![]() | 3587 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | B150 | Schottky | SMA | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 700 mv @ 1 a | 500 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 110PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
ADTC143ECAQ-13 | 0,3500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ADTC143 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZTX601BSTOA | - - - | ![]() | 5188 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX601 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 160 v | 1 a | 10 µA | NPN - Darlington | 1,2 V @ 10ma, 1a | 10000 @ 500 mA, 10V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR8E45P5-7D | 0,2210 | ![]() | 1010 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | SBR8E45 | Superbarriere | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | SBR8E45P5-7DDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 45 V | 510 mv @ 8 a | 350 µa @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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