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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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ZXT12P20DXTA | - - - | ![]() | 1363 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) | ZXT12P20D | 1.04W | 8-msop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 20V | 2.5a | 100na | 2 PNP (Dual) | 200mv @ 125 Ma, 2,5a | 300 @ 1a, 2v | 110 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
DMC2053uvtq-13 | 0,1505 | ![]() | 3823 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | DMC2053 | MOSFET (Metalloxid) | 700 MW (TA) | TSOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMC2053uvtq-13tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-und p-kanal-krementär | 20V | 4,6a (TA), 3,2a (TA) | 35MOHM @ 5A, 4,5 V, 74MOHM @ 3,5A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 3,6nc @ 4,5V, 5,9nc @ 4,5 V. | 369pf @ 10v, 440pf @ 10v | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXT14P40DXTA | 0,4700 | ![]() | 112 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FZT549ta | 0,6400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT549 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 30 v | 1 a | 100na | PNP | 750 MV @ 200ma, 2a | 100 @ 500 mA, 2V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
FZTA42TC | - - - | ![]() | 8483 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZTA42 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 300 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 40 @ 30 ma, 10V | 50 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
DMP3165SVT-7 | - - - | ![]() | 5093 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | DMP3165 | MOSFET (Metalloxid) | TSOT-26 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMP3165SVT-7DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 2.7a (TA) | 3,3 V, 10 V. | 95mohm @ 2,7a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 6,8 nc @ 10 v | ± 20 V | 287 PF @ 15 V | - - - | 800 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
DZ23C33-7-F | 0,0756 | ![]() | 1637 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DZ23 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 33 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Zxtem322ta | - - - | ![]() | 5366 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Powermd, Flache Leitungen | ZXTEM322 | 3 w | 3-mlp/dfn (2x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 80 v | 3.5 a | 25na | Npn | 325mv @ 300 mA, 3,5a | 300 @ 200 Ma, 2V | 160 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
BZX84C39-7-F | 0,1500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 NA @ 27,3 V. | 39 v | 130 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXTDA1M832TA | - - - | ![]() | 2592 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | ZXTDA1M832 | 1W | 8-mlp (3x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 15 V, 12V | 4,5a, 4a | 25na | NPN, PNP | 280 mv @ 50 mA, 4,5a / 300mv @ 150 mA, 4a | 200 @ 3a, 2v / 180 @ 2,5a, 2V | 120 MHz, 110 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
FZT49A3TA | - - - | ![]() | 7764 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 2 w | SOT-223-3 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 100 v | 1 a | 100na | Npn | 600mv @ 100 mA, 1a | 100 @ 250 mA, 10 V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
DDTA124XUA-7-F | 0,0435 | ![]() | 5401 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTA124 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTC144TE-7-F | 0,0605 | ![]() | 7488 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DDTC144 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 MV @ 250 UA, 2,5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
ZXTN25100DFHTA-50 | 0,1287 | ![]() | 8818 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXTN25100 | 730 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 31-ZXTN25100DFHTA-50 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 v | 2,5 a | 100na | Npn | 330 MV @ 250 Ma, 2,5a | 300 @ 10ma, 2v | 175MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
DMN3020UTS-13 | 0,5600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | DMN3020 | MOSFET (Metalloxid) | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 15a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 20mohm @ 4,5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 27 NC @ 8 V | ± 12 V | 1304 PF @ 15 V | - - - | 1.4W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DCX53-13 | - - - | ![]() | 8835 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | DCX53 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP3013SFV-13 | 0,5800 | ![]() | 6525 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMP3013 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 (Typ UX) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 12a (TA), 35A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,5 MOHM @ 11,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 33.7 NC @ 10 V. | ± 25 V | 1674 PF @ 15 V | - - - | 940 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR5E60P5-7D | 0,2040 | ![]() | 5114 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | SBR5E60 | Superbarriere | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 60 v | 520 mv @ 5 a | 220 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C3V0-7-F-79 | - - - | ![]() | 9031 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | BZT52 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZT52C3V0-7-F-79DI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN2036UCB4-7 | 0,2187 | ![]() | 7012 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, WLBGA | DMN2036 | MOSFET (Metalloxid) | 1.45W | X2-WLB1616-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | - - - | - - - | - - - | - - - | 12.6nc @ 4,5V | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4732a-t | - - - | ![]() | 9612 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1N4732 | 1 w | Do-41 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 1 V | 4,7 v | 8 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDT10H50P5-7D | 0,2356 | ![]() | 8007 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | Schottky | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-SDT10H50P5-7DTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 450 mV @ 10 a | 300 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMG9926USD-13 | 0,4600 | ![]() | 130 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMG9926 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 8a | 24MOHM @ 8.2a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 8,8nc @ 4,5V | 867PF @ 15V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS2JA-13 | - - - | ![]() | 7952 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | RS2J | Standard | SMA | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,3 V @ 1,5 a | 250 ns | 5 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 30pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fcx491ta | 0,4600 | ![]() | 91 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | FCX491 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 1 a | 100na | Npn | 500mv @ 100 mA, 1a | 100 @ 500 mA, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
DNLS320A-7 | - - - | ![]() | 8628 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DNLS320 | 600 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 310mv @ 300 mA, 3a | 220 @ 1a, 2v | 220 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF1035CT | - - - | ![]() | 2325 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Rohr | Veraltet | MBRF1035 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | MBRF1035CTDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN62D1LFB-7B | 0,4000 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Ufdfn | DMN62 | MOSFET (Metalloxid) | X1-DFN1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 60 v | 320 Ma (TA) | 1,5 V, 4V | 2OHM @ 100 mA, 4V | 1V @ 250 ähm | 0,9 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 64 PF @ 25 V. | - - - | 500 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR8A45SP5-13-2169 | - - - | ![]() | 3316 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | Superbarriere | PowerDi ™ 5 | - - - | 31-SBR8A45SP5-13-2169 | 1 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 45 V | 600 mv @ 8 a | 300 µa @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 8a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DXTN03060BFG-7 | 0,2319 | ![]() | 3310 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powervdfn | 1,2 w | PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DXTN03060BFG-7TR | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 60 v | 6 a | 100na | Npn | 260mv @ 300 mA, 6a | 100 @ 2a, 2v | 140 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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