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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
DMN2600UFB-7 Diodes Incorporated DMN2600UFB-7 0,3600
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-Ufdfn DMN2600 MOSFET (Metalloxid) X1-DFN1006-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 25 v 1,3a (ta) 1,8 V, 4,5 V. 350MOHM @ 200 Ma, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 0,85 NC @ 4,5 V ± 8 v 70.13 PF @ 15 V - - - 540 MW (TA)
ZXMN10A09KTC Diodes Incorporated ZXMN10A09KTC 1.7000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 ZXMN10 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 100 v 5a (ta) 6 V, 10V 85mohm @ 4,6a, 10V 4v @ 250 ähm 26 NC @ 10 V ± 20 V 1313 PF @ 50 V - - - 2.15W (TA)
MMBZ5232BTS-7-F Diodes Incorporated MMBZ5232BTS-7-F 0,1300
RFQ
 ECAD 3528 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMBZ5232 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 3 Unabhängig 900 mv @ 10 mA 5 µa @ 3 V 5.6 v 11 Ohm
DZ9F6V2S92-7 Diodes Incorporated DZ9F6V2S92-7 0,3500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-923 DZ9F6 200 MW SOD-923 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 900 mv @ 10 mA 1 µa @ 3 V 6.2 v 60 Ohm
B160B-13-F Diodes Incorporated B160B-13-F 0,6700
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB B160 Schottky SMB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 700 mv @ 1 a 500 µa @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 110PF @ 4V, 1 MHz
1SMB5922B-13 Diodes Incorporated 1SMB5922B-13 0,4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB 1SMB5922 3 w SMB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,5 V @ 200 Ma 5 µa @ 6 V 7,5 v 3 Ohm
MMBZ5245B-7 Diodes Incorporated MMBZ5245B-7 - - -
RFQ
 ECAD 8770 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBZ5245B 350 MW SOT-23-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 na @ 11 v 15 v 16 Ohm
ZXM66N02N8TA Diodes Incorporated ZXM66N02N8TA - - -
RFQ
 ECAD 2786 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Digi-reel® Veraltet Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 20 v 9a (ta) 15mohm @ 4,1a, 4,5 V. 700 MV @ 250 um (min) - - -
FZT2222ATA Diodes Incorporated FZT2222ATA - - -
RFQ
 ECAD 7858 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Digi-reel® Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa FZT2222A 2 w SOT-223-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 1.000 40 v 600 mA - - - Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V 300 MHz
DFLZ5V6Q-7 Diodes Incorporated DFLZ5V6Q-7 0,1417
RFQ
 ECAD 8272 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung PowerDI®123 DFLZ5 1 w PowerDi ™ 123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen DFLZ5v6q-7di Ear99 8541.10.0050 3.000 1,2 V @ 200 Ma 10 µa @ 2 V 5.6 v 1 Ohm
D3Z27BF-7 Diodes Incorporated D3Z27BF-7 0,4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F D3Z27 400 MW SOD-323F Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 50 na @ 21 v 26.86 v 40 Ohm
MMBZ5221B-7-F Diodes Incorporated MMBZ5221B-7-F 0,2100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBZ5221 350 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 µa @ 1 V 2,4 v 30 Ohm
FES1JE Diodes Incorporated Fes1je 0,3600
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung Do-219aa Standard F1A (DO219AA) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 10.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 1,3 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 20pf @ 4v, 1 MHz
DDTC143XE-7 Diodes Incorporated DDTC143XE-7 - - -
RFQ
 ECAD 7590 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung SOT-523 DDTC143 150 MW SOT-523 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 10ma, 5v 250 MHz 4.7 Kohms 10 Kohms
BST62-70TA Diodes Incorporated BST62-70TA - - -
RFQ
 ECAD 9207 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - Oberflächenhalterung To-243aa BST62 1 w SOT-89-3 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 72 v 500 mA 10 µA PNP - Darlington 1,3 V @ 500 µA, 500 mA 1000 @ 150 mA, 10V - - -
MMBD4448-7 Diodes Incorporated MMBD4448-7 - - -
RFQ
 ECAD 6912 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MMBD4448 Standard SOT-23-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 75 V 1,25 V @ 150 mA 4 ns 2,5 µa @ 75 V -65 ° C ~ 150 ° C. 250 Ma 4PF @ 0V, 1MHz
APD260VG-E1 Diodes Incorporated APD260VG-E1 - - -
RFQ
 ECAD 5855 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet K. Loch DO-204AC, DO-15, Axial APD260 Schottky Do-15 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 500 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 500 mV @ 2 a 500 µa @ 40 V -65 ° C ~ 125 ° C. 2a - - -
FZT717TC Diodes Incorporated FZT717TC - - -
RFQ
 ECAD 6770 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa FZT717 2 w SOT-223-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 4.000 12 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 320 MV @ 50 Ma, 3a 300 @ 100 mA, 2 V 110 MHz
ZTX614STZ Diodes Incorporated Ztx614stz 0,3403
RFQ
 ECAD 6948 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Box (TB) Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads ZTX614 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 100 v 800 mA 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1,25 V @ 8ma, 800 mA 10000 @ 500 mA, 5V - - -
DZ23C5V6-7 Diodes Incorporated DZ23C5v6-7 - - -
RFQ
 ECAD 1292 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DZ23C5v6 300 MW SOT-23-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1 Paar Gemeinsamer Kathode 5.6 v 40 Ohm
ZXMD63N03XTC Diodes Incorporated ZXMD63N03XTC - - -
RFQ
 ECAD 4916 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) ZXMD63 MOSFET (Metalloxid) 1.04W 8-msop Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 2 n-kanal (dual) 30V 2.3a 135mohm @ 1,7a, 10V 1 V @ 250 um (min) 8nc @ 10v 290pf @ 25v Logikpegel -tor
ZTX749STOA Diodes Incorporated Ztx749stoa - - -
RFQ
 ECAD 4829 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads ZTX749 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 25 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200 Ma, 2a 100 @ 1a, 2v 160 MHz
DDTA123JUA-7-F Diodes Incorporated DDTA123JUA-7-F 0,0435
RFQ
 ECAD 6003 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DDTA123 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 10ma, 5V 250 MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
DDA144EH-7 Diodes Incorporated DDA144EH-7 0,4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DDA144 150 MW SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma - - - 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5ma, 5v 250 MHz 47kohm 47kohm
2A05-T Diodes Incorporated 2a05-t - - -
RFQ
 ECAD 2790 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch DO-204AC, DO-15, Axial 2A05 Standard Do-15 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 4.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 600 V 1,1 V @ 2 a 5 µa @ 600 V -65 ° C ~ 150 ° C. 2a 15PF @ 4V, 1 MHz
BZT52C5V1-7-G Diodes Incorporated BZT52C5V1-7-G - - -
RFQ
 ECAD 6917 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet BZT52 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen BZT52C5V1-7-GDI Ear99 8541.10.0050 3.000
FMMT5179TC Diodes Incorporated Fmmt5179tc - - -
RFQ
 ECAD 4729 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Fmmt5179 330 MW SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 15 dB 12V 50 ma Npn 25 @ 3ma, 1V 2GHz 4,5 dB bei 200 MHz
DMMT3904W-7 Diodes Incorporated DMMT3904W-7 - - -
RFQ
 ECAD 9259 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMMT3904 200 MW SOT-363 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 40V 200 ma - - - 2 NPN (Dual) Matchieres Paar 300mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V 300 MHz
BS170FTC Diodes Incorporated BS170ftc - - -
RFQ
 ECAD 8923 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BS170 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 60 v 150 µA (TA) 10V 5ohm @ 200 mA, 10V 3V @ 1ma ± 20 V 60 PF @ 10 V - - - 330 MW (TA)
SBL1640CT Diodes Incorporated SBL1640CT - - -
RFQ
 ECAD 9143 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 SBL1640 Schottky To-220-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 40 v 16a 550 mV @ 8 a 500 µa @ 40 V -65 ° C ~ 150 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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