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Diskette HalblerProdukte (13379)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	FET -Typ	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Diodenkonfiguration	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Cutoff (max)	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	Ausfluss - Emitterbasis (R2)
Mmbz5254bs-7-f	0,0756	RFQ	1123	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MMBZ5254		200 MW	SOT-363	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.000	2 Unabhängig																900 mv @ 10 mA		100 na @ 21 V							27 v	41 Ohm
ZTX550Stob	- - -	RFQ	1561	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	K. Loch	E-Line-3, Gebildete Leads	ZTX550		1 w	E-line (bis 92 kompatibel)	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0075	2.000																							45 V	1 a	100NA (ICBO)			PNP	250mv @ 15ma, 150 mA	100 @ 150 mA, 10V	150 MHz
DMTH47M2LFVW-13	0,2333	RFQ	3851	Dioden Eingenbaut	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke	8-Powervdfn	DMTH47	MOSFET (Metalloxid)		PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX	Herunterladen				31-DMTH47M2LFVW-13	Ear99	8541.29.0095	3.000			N-Kanal	40 v	13,6a (TA), 49A (TC)	4,5 V, 10 V.	8,9 MOHM @ 20A, 10V	2,3 V @ 250 ähm	12.3 NC @ 10 V.	± 20 V	881 PF @ 20 V	- - -	2,9W (TA), 37,5W (TC)
HS1DDF-13	0,0896	RFQ	6050	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	2-smd, Flaches Blei	HS1D	Standard		D-Flat	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.10.0080	10.000		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)													200 v		1,1 V @ 1 a	15 ns	5 µa @ 200 V.	-55 ° C ~ 150 ° C.	1a	16PF @ 4V, 1 MHz
1n5402-t	- - -	RFQ	5332	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet			K. Loch	Do-201ad, axial	1N5402	Standard		Do-201ad	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.10.0080	1.200		Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)													200 v		1 V @ 3 a		10 µA @ 200 V.	-65 ° C ~ 150 ° C.	3a	50pf @ 4v, 1 MHz
US2JDFQ-13	0,3600	RFQ	3	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	2-smd, Flaches Blei	US2	Standard		D-Flat	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.10.0080	10.000		Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)													600 V		1,7 V @ 1 a		5 µa @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C.	2a	10pf @ 4v, 1 MHz
SBR10U60CTFP	1.1760	RFQ	6581	Dioden Eingenbaut	SBR®	Rohr	Aktiv			K. Loch	To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte	SBR10	Superbarriere		ITO-220AB	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen	SBR10U60CTFPDI	Ear99	8541.10.0080	50		Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)												1 Paar Gemeinsamer Kathode	60 v	5a	620 mv @ 10 a		500 µa @ 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
SDT30100CT	0,8400	RFQ	2408	Dioden Eingenbaut	- - -	Rohr	Aktiv			K. Loch	To-220-3	SDT30100	Schottky		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.10.0080	50		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)												1 Paar Gemeinsamer Kathode	100 v	15a	750 mv @ 15 a		100 µa @ 100 V.	-55 ° C ~ 150 ° C.
DXT2012P5-13	0,6100	RFQ	8225	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	PowerDi ™ 5	DXT2012		3.2 w	PowerDi ™ 5	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0075	5.000																							60 v	5.5 a	20na (ICBO)			PNP	250mv @ 500 mA, 5a	100 @ 2a, 1V	120 MHz
DMP2225LQ-7	0,1173	RFQ	1493	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	DMP2225	MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	Herunterladen			UnberÜHrt Ereichen	31-DMP2225LQ-7TR	Ear99	8541.29.0095	3.000			P-Kanal	20 v	2.6a (TA)	2,5 V, 4,5 V.	110 MOHM @ 2,6a, 4,5 V.	1,25 V @ 250 ähm	5.3 NC @ 4.5 V	± 12 V	250 PF @ 10 V	- - -	1.08W
BZT52C51-7-F-79	- - -	RFQ	8783	Dioden Eingenbaut	*	Band & Rollen (TR)	Veraltet					BZT52				- - -		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	BZT52C51-7-F-79DI	Ear99	8541.10.0050	3.000
DMP6110SVTQ-13	0,2389	RFQ	1544	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6	DMP6110	MOSFET (Metalloxid)		TSOT-23-6	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10.000			P-Kanal	60 v	7.3a (ta)	4,5 V, 10 V.	105mohm @ 4,5a, 10V	3v @ 250 ähm	17.2 NC @ 10 V.	± 20 V	969 PF @ 30 V	- - -	1,8W (TA)
BZX84C4V3-7-G	- - -	RFQ	2992	Dioden Eingenbaut	*	Band & Rollen (TR)	Veraltet					Bzx84				- - -		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	BZX84C4V3-7-GDI	Ear99	8541.10.0050	3.000
BC857BFZ-7B	0,1256	RFQ	1473	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	3-xfdfn	BC857		435 MW	X2-DFN0606-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	10.000																							45 V	100 ma	15na			PNP	500 mV @ 5ma, 100 mA	200 @ 2MA, 5V	100 MHz
DMN1004UFDF-7	0,5400	RFQ	2	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-udfn exponiert pad	DMN1004	MOSFET (Metalloxid)		U-DFN2020-6	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	3.000			N-Kanal	12 v	15a (ta)	2,5 V, 4,5 V.	4,8 MOHM @ 15a, 4,5 V.	1V @ 250 ähm	47 NC @ 10 V	± 8 v	2385 PF @ 6 V.	- - -	2.1W (TA)
IMT17-7	- - -	RFQ	9044	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-23-6	IMT17		300 MW	SOT-26	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000																							50V	500 mA	100NA (ICBO)			2 PNP (Dual)	600mv @ 50 mA, 500 mA	120 @ 100 mA, 3V	200 MHz
Fmmta92ta	0,4300	RFQ	2	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	Fmmta92		330 MW	SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	3.000																							300 V	200 ma	250na (ICBO)			PNP	500 mv @ 2MA, 20 mA	25 @ 30 Ma, 10V	50 MHz
Ztx776Stob	- - -	RFQ	3153	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	K. Loch	E-Line-3, Gebildete Leads	ZTX776		1 w	E-line (bis 92 kompatibel)	- - -		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0075	2.000																							200 v	1 a	100NA (ICBO)			PNP	500mv @ 200 Ma, 1a	50 @ 500 mA, 5V	30 MHz
DMN3053L-7	0,3900	RFQ	27	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	DMN3053	MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	3.000			N-Kanal	30 v	4a (ta)	2,5 V, 10 V.	45mohm @ 4a, 10V	1,4 V @ 250 ähm	17.2 NC @ 10 V.	± 12 V	676 PF @ 15 V	- - -	760 MW (TA)
BAV21HWF-7	0,3600	RFQ	52	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	SOD-123F	BAV21	Standard		SOD-123F	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0070	3.000		Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit													200 v		1,25 V @ 200 Ma	50 ns	100 Na @ 200 V.	-65 ° C ~ 150 ° C.	200 ma	5PF @ 0V, 1MHz
DDTA115GCA-7	0,1000	RFQ	3	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	DDTA115		200 MW	SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000																							50 v	100 ma	500NA (ICBO)			PNP - VoreInensmen	300 mV @ 500 µA, 10 mA	82 @ 5MA, 5V	250 MHz	100 Kohms
Zdt1147ta	- - -	RFQ	3188	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		- - -	Oberflächenhalterung	To-261-4, to-261aa	ZDT1147		2.75W	SOT-223-3	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0075	1.000																							12V	5a	100na			2 PNP (Dual)	380mv @ 50 Ma, 5a	250 @ 500 mA, 2V	115 MHz
DDTC144WUA-7	0,1000	RFQ	4	Dioden Eingenbaut	*	Band & Rollen (TR)	Aktiv					DDTC144				Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000
1N4001gl-t	- - -	RFQ	4804	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet			K. Loch	Do-204Al, Do-41, axial	1N4001	Standard		Do-41	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen	In4001gl-t	Ear99	8541.10.0080	5.000		Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)													50 v		1 V @ 1 a	2 µs	5 µa @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C.	1a	8PF @ 4V, 1 MHz
B170-13-f	0,4600	RFQ	20	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	Do-214AC, SMA	B170	Schottky		SMA	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.10.0080	5.000		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)													70 V		790 mv @ 1 a		500 µA @ 70 V	-65 ° C ~ 150 ° C.	1a	80pf @ 4V, 1 MHz
S3D-13	- - -	RFQ	5145	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Abgebrochen bei Sic			Oberflächenhalterung	Do-214AB, SMC	S3d	Standard		SMC	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	3.000		Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)													200 v		1,15 V @ 3 a		10 µA @ 200 V.	-65 ° C ~ 150 ° C.	3a	40pf @ 4v, 1 MHz
BZX84C16-7-F	0,2100	RFQ	308	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	Bzx84		300 MW	SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.000																	900 mv @ 10 mA		100 NA @ 11.2 V.							16 v	40 Ohm
FZT758ta	0,8300	RFQ	32	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-261-4, to-261aa	FZT758		2 w	SOT-223-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0075	1.000																							400 V	500 mA	100na			PNP	500mv @ 10 mA, 100 mA	40 @ 200 Ma, 10V	50 MHz
MBRB10200CT	0,5766	RFQ	1276	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Rohr	Aktiv			Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	MBRB10200	Schottky		To-263	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.10.0080	50		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)												1 Paar Gemeinsamer Kathode	200 v	5a	910 mv @ 5 a		100 µA @ 200 V.	-55 ° C ~ 175 ° C.
BZT52C47-7-F	0,2100	RFQ	50	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	SOD-123	BZT52		410 MW	SOD-123	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.000																			100 na @ 35 V							47 v	100 Ohm

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerlager

Diskette HalblerProdukte (13379)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²