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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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ADTA143XUAQ-7 | 0,0432 | ![]() | 7346 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | ADTA143 | 330 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 ma | - - - | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SD103BWS-7 | - - - | ![]() | 6750 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | SD103B | Schottky | SOD-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 600 MV @ 200 Ma | 10 ns | 5 µa @ 20 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 350 Ma | 28PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
Fmmt494ta | 0,4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt494 | 500 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 120 v | 1 a | 100na | Npn | 300 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 250 mA, 10 V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
BC848AW-7-F | 0,0386 | ![]() | 9543 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC848 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 100 ma | 20na (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR4040CTFP-JT | - - - | ![]() | 2279 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | SBR4040 | Superbarriere | ITO-220AB | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 31-SBR4040CTFP-JT | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 20a | 530 mv @ 20 a | 500 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B330AQ-13-F | 0.0950 | ![]() | 3663 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | B330 | Schottky | SMA | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 30 v | 500 mV @ 3 a | 500 µa @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 200pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
DSS5320T-7 | 0,3600 | ![]() | 5697 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DSS5320 | 600 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20 v | 2 a | 100na | PNP | 300mv @ 300 mA, 3a | 200 @ 1a, 2v | 180 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C2V7-7-F-79 | - - - | ![]() | 3389 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Bzx84 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZX84C2V7-7-F-79DI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Bas40W-06-7-F | 0,4000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bas40 | Schottky | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 40 v | 200 Ma (DC) | 1 V @ 40 mA | 5 ns | 200 na @ 30 v | -55 ° C ~ 125 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBL1645CT | 1.1700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Rohr | Veraltet | SBL1645 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | Reichweiite Betroffen | SBL1645CTDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ZXMN3F30FHTA | 0,4500 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXMN3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 3.8a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 47mohm @ 3.2a, 10 V. | 3v @ 250 ähm | 7,7 NC @ 10 V | ± 20 V | 318 PF @ 15 V | - - - | 950 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN2550UFA-7B | 0,3700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | DMN2550 | MOSFET (Metalloxid) | X2-DFN0806-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 20 v | 600 mA (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 450MOHM @ 200 Ma, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,88 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 52,5 PF @ 16 V. | - - - | 360 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
MMBZ5226B-7 | - - - | ![]() | 2383 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBZ5226B | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 25 µa @ 1 V | 3.3 v | 28 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PD3Z284C5V1Q-7 | 0,3500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,88% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 323 | 500 MW | PowerDi ™ 323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-PD3Z284C5V1Q-7DKR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 2 µa @ 2 V | 5.1 v | 60 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DFLS140-7 | 0,4700 | ![]() | 73 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDI®123 | DFLS140 | Schottky | PowerDi ™ 123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 530 MV @ 1,1 a | 20 µa @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1.1a | 28PF @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B350BE-13 | - - - | ![]() | 1110 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | B350 | Schottky | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 650 mv @ 3 a | 100 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 110PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
DMP3068L-7 | 0,4200 | ![]() | 79 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMP3068 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 3.3a (ta) | 1,8 V, 10 V. | 72mohm @ 4.2a, 10V | 1,3 V @ 250 ähm | 15,9 NC @ 10 V. | ± 12 V | 708 PF @ 15 V | - - - | 700 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
FMMT6520TC | - - - | ![]() | 5234 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt6520 | 330 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 350 V | 500 mA | 50na (ICBO) | PNP | 1v @ 5 ma, 50 mA | 20 @ 50 Ma, 10 V | 50 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP32D5SFB-7B | 0,4300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Ufdfn | DMP32 | MOSFET (Metalloxid) | X1-DFN1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | P-Kanal | 30 v | 400 mA (TA) | 4,5 V, 10 V. | 2,4OHM @ 200 Ma, 10V | 2,3 V @ 250 ähm | 4 NC @ 10 V. | ± 25 V | 100 PF @ 15 V | - - - | 500 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
DMN2053UVT-13 | 0,0889 | ![]() | 9135 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | DMN2053 | MOSFET (Metalloxid) | 700 MW (TA) | TSOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 4.6a (TA) | 35mohm @ 5a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 3.6nc @ 4.5V | 369pf @ 10v | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5239bs-7 | 0,1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDMP0340LCT-7 | 0,3100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | SDMG0340 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1034-SDMP0340LCT-7DKR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | US1J-13-F | 0,4300 | ![]() | 82 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | US1J | Standard | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,7 V @ 1 a | 75 ns | 5 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK16-13-F | - - - | ![]() | 1612 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SK16 | Schottky | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 700 mv @ 1 a | 500 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 110PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
BCP6925ta | - - - | ![]() | 9699 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BCP69 | 2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 20 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 100 mA, 1a | 160 @ 500 mA, 1V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
BAT54CW-7-F-79 | - - - | ![]() | 2078 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bat54 | Schottky | SOT-323 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-BAT54CW-7-F-79TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 200 Ma (DC) | 1 V @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | -65 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTC143TKA-7-F | - - - | ![]() | 2288 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC143 | 200 MW | SC-59-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 MV @ 250 UA, 2,5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR20150CTF-G1 | - - - | ![]() | 1384 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack | Schottky | To-220f-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 10a | 900 mv @ 10 a | 50 µa @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT69M8LSS-13 | - - - | ![]() | 3588 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 9,8a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 13.5a, 10V | 2v @ 250 ähm | 33,5 NC @ 10 V. | ± 16 v | 1925 PF @ 30 V | - - - | 1,25W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
DMG2301U-7 | 0,4300 | ![]() | 116 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMG2301 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2,5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 130 MOHM @ 2,8a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 6,5 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 608 PF @ 6 V | - - - | 800 MW (TA) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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