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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
BCX6916TA Diodes Incorporated BCX6916ta - - -
RFQ
 ECAD 6443 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa BCX6916 1 w SOT-89-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 20 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100 mA, 1a 100 @ 500 mA, 1V 100 MHz
DMG6301UDW-7 Diodes Incorporated DMG6301Udw-7 0,4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMG6301 MOSFET (Metalloxid) 300 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 25 v 240 ma 4OHM @ 400 mA, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 0,36nc @ 4,5 V 27.9pf @ 10v - - -
ZXTDCM832TA Diodes Incorporated ZXTDCM832TA - - -
RFQ
 ECAD 3370 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-VDFN Exposed Pad ZXTDCM832 1.7W 8-mlp (3x2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 3.000 50V 4a 25na 2 NPN (Dual) 320mv @ 200ma, 4a 100 @ 2a, 2v 165 MHz
FR1D-13-F Diodes Incorporated FR1D-13-F - - -
RFQ
 ECAD 9409 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB FR1D Standard SMB Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 1,3 V @ 1 a 150 ns 5 µa @ 200 V. -65 ° C ~ 175 ° C. 1a - - -
MMSTA05-7-F Diodes Incorporated MMSTA05-7-F 0,4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 MMSTA05 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 60 v 500 mA 100na Npn 250mv @ 10 mA, 100 mA 100 @ 100 mA, 1V 100 MHz
BAT40V-7 Diodes Incorporated BAT40V-7 0,3400
RFQ
 ECAD 128 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 Bat40 Schottky SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 2 Unabhängig 40 v 200 Ma (DC) 1 V @ 200 Ma 5 ns 500 NA @ 25 V. -65 ° C ~ 125 ° C.
ZXTD1M832TA Diodes Incorporated ZXTD1M832TA - - -
RFQ
 ECAD 7395 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-VDFN Exposed Pad ZXTD1M832 1.7W 8-mlp (3x2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 3.000 12V 4a 25na 2 PNP (Dual) 300 mV @ 150 mA, 4a 180 @ 2,5a, 2V 110 MHz
DMN7022LFG-13 Diodes Incorporated DMN7022LFG-13 - - -
RFQ
 ECAD 4153 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMN7022 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 75 V 7.8a (ta) 4,5 V, 10 V. 22mohm @ 7.2a, 10V 3v @ 250 ähm 56,5 NC @ 10 V. ± 20 V 2737 PF @ 35 V - - - 900 MW (TA)
ZXTN4240F-7 Diodes Incorporated ZXTN4240F-7 0,3800
RFQ
 ECAD 121 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ZXTN4240 730 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 2 a 100NA (ICBO) Npn 320mv @ 200ma, 2a 300 @ 1a, 2v 100 MHz
ZTX451 Diodes Incorporated ZTX451 0,6000
RFQ
 ECAD 8838 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3 ZTX451 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 4.000 60 v 1 a 100NA (ICBO) Npn 350 MV @ 15ma, 150 mA 50 @ 150 mA, 10V 150 MHz
ZTX550STZ Diodes Incorporated Ztx550stz 0,6000
RFQ
 ECAD 9222 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Klebeband (CT) Schneiden Veraltet -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads ZTX550 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 45 V 1 a 100NA (ICBO) PNP 250mv @ 15ma, 150 mA 100 @ 150 mA, 10V 150 MHz
BZX84C24-7 Diodes Incorporated BZX84C24-7 - - -
RFQ
 ECAD 2453 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 300 MW SOT-23-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 NA @ 16,8 V. 24 v 70 Ohm
DMN2041UFDB-7 Diodes Incorporated DMN2041UFDB-7 0,3197
RFQ
 ECAD 5116 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMN2041 MOSFET (Metalloxid) 1.4W U-DFN2020-6 (Typ B) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 20V 4.7a 40mohm @ 4,2a, 4,5 V. 1,4 V @ 250 ähm 15nc @ 8v 713PF @ 10V - - -
PR1503S-B Diodes Incorporated PR1503S-B - - -
RFQ
 ECAD 8595 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet K. Loch Do-204Al, Do-41, axial Standard Do-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 1.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 1,2 V @ 1,5 a 150 ns 5 µa @ 200 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 1,5a 20pf @ 4v, 1 MHz
RS2K-13 Diodes Incorporated RS2K-13 - - -
RFQ
 ECAD 4001 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB RS2K Standard SMB Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 800 V 1,3 V @ 1,5 a 500 ns 5 µa @ 800 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1,5a 30pf @ 4v, 1 MHz
ZLLS2000TA Diodes Incorporated Zlls2000ta 0,8100
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-23-6 Zlls2000 Schottky SOT-23-6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 540 mv @ 2 a 6 ns 40 µa @ 30 V 150 ° C (max) 2.2a 65PF @ 30V, 1 MHz
LZ52C27WS Diodes Incorporated LZ52C27WS - - -
RFQ
 ECAD 9708 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Lets Kaufen ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 1206 (3216 Metrik) LZ52C 500 MW 1206 - - - 31-lz52C27WS Ear99 8541.10.0050 1 1,5 V @ 200 Ma 100 Na @ 20 V 27 v 80 Ohm
LL4148-13 Diodes Incorporated LL4148-13 - - -
RFQ
 ECAD 5204 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 LL4148 Standard Mini Melf Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0070 10.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 75 V 1 V @ 10 mA 4 ns 5 µa @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C. 150 Ma - - -
DDZ24CS-7 Diodes Incorporated DDZ24CS-7 0,3000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 DDZ24 200 MW SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 50 na @ 19 v 24 v 35 Ohm
FZT651QTA Diodes Incorporated FZT651qta 0,7600
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa FZT651 3 w SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 1.000 60 v 3 a 100NA (ICBO) Npn 600mv @ 300 mA, 3a 100 @ 500 mA, 2V 175MHz
1N4148WT-7-52 Diodes Incorporated 1N4148WT-7-52 0,0288
RFQ
 ECAD 3252 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 1N4148 Standard SOD-523 Herunterladen 31-1N4148WT-7-52 Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 80 v 1 V @ 50 Ma 4 ns 1 µa @ 75 V -55 ° C ~ 150 ° C. 125 Ma 2PF @ 0V, 1MHz
MBR3045CT-G1 Diodes Incorporated MBR3045CT-G1 - - -
RFQ
 ECAD 8141 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 MBR3045 Schottky To-220-3 - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 15a 620 mv @ 15 a 100 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C.
S3GB-13 Diodes Incorporated S3GB-13 - - -
RFQ
 ECAD 6883 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB S3g Standard SMB Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 400 V 1,15 V @ 3 a 10 µa @ 400 V -65 ° C ~ 150 ° C. 3a 40pf @ 4v, 1 MHz
ZVP3306FTA Diodes Incorporated ZVP3306fta 0,4600
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ZVP3306 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 60 v 90 mA (TA) 10V 14ohm @ 200 mA, 10V 3,5 V @ 1ma ± 20 V 50 PF @ 18 V - - - 330 MW (TA)
DDTC113ZE-7-F Diodes Incorporated Ddtc113ze-7-f 0,0605
RFQ
 ECAD 1174 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-523 DDTC113 150 MW SOT-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 33 @ 5ma, 5v 250 MHz 1 Kohms 10 Kohms
SDM20U30Q-7 Diodes Incorporated SDM20U30Q-7 0,2100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 SDM20 Schottky SOD-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 30 v 500 MV @ 200 Ma 150 µa @ 30 V -65 ° C ~ 125 ° C. 200 ma 20pf @ 0v, 1 MHz
SBR3045CTBQ-13 Diodes Incorporated SBR3045CTBQ-13 1.5120
RFQ
 ECAD 7360 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automotive, AEC-Q101, SBR® Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab SBR3045 Superbarriere To-263 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 800 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 15a 700 mv @ 15 a 500 µa @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C.
GDZ11LP3-7 Diodes Incorporated GDZ11LP3-7 0,2700
RFQ
 ECAD 59 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 0201 (0603 Metrik) Gdz11 250 MW X3-DFN0603-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 100 na @ 8 v 11 v
PDS560-13 Diodes Incorporated PDS560-13 0,9900
RFQ
 ECAD 151 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung PowerDi ™ 5 PDS560 Schottky PowerDi ™ 5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 60 v 670 mv @ 5 a 150 µa @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C. 5a - - -
DMN2005K-7 Diodes Incorporated DMN2005K-7 0,3800
RFQ
 ECAD 872 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN2005 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 20 v 300 mA (TA) 1,8 V, 2,7 V. 1,7OHM @ 200 Ma, 2,7 V. 900 mV @ 100 µA ± 10 V - - - 350 MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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