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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | B240T-01DL-F | - - - | ![]() | 9423 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | B240 | Schottky | SMB | - - - | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 31-B240T-01DL-FTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 2 a | 500 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 200pf @ 40V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
MMBZ5240B-7 | - - - | ![]() | 3430 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Mmbz5240b | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 8 V | 10 v | 17 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR10150CTFP | - - - | ![]() | 1959 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SBR10150 | Superbarriere | To-220f-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 5a | 920 mv @ 5 a | 250 µa @ 150 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV3004WQ-7-F-52 | 0,0639 | ![]() | 2961 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BAV3004 | Standard | SOD-123 | Herunterladen | 31-BAV3004WQ-7-F-52 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 300 V | 1,25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 NA @ 240 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 225 Ma | 1pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
DMP2900UVQ-7 | 0,3600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DMP2900 | MOSFET (Metalloxid) | 500 MW (TA) | SOT-563 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 850 Ma (TA) | 750 MOHM @ 430 Ma, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,7nc @ 4,5 v | 49pf @ 16v | Standard | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN12M3UCA6-7 | 0,4063 | ![]() | 4426 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Keine Frotung | DMN12 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | X4-DN3118-6 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMN12M3UCA6-7TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 14V | 24,4a (TA) | 2,75 MOHM @ 6a, 4,5 V. | 1,4 V @ 1,41 Ma | 68.6nc @ 4v | 4593PF @ 10V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5221b-t | - - - | ![]() | 7372 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5221 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 µa @ 1 V | 2,4 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C16Q-7-F | 0,0384 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,63% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52 | 370 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-BZT52C16Q-7-FTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 NA @ 11.2 V. | 16 v | 40 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT35M8LDG-13 | 0,4116 | ![]() | 5843 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | 980 MW (TA), 2W (TC) | PowerDI3333-8 (Typ G) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 31-DMT35M8LDG-13TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch | 30V | 17a (ta), 15,3a (ta) | 4,7 MOHM @ 20A, 10V, 5,8 Mohm @ 18a, 10 V | 1,9 V @ 250 ähm | 22.7nc @ 10v, 16.3nc @ 10v | 1510pf @ 15V, 1032pf @ 15V | Standard | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GDZ5V1LP3-7 | 0,3300 | ![]() | 432 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 0201 (0603 Metrik) | Gdz5v1 | 250 MW | X3-DFN0603-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 200 na @ 2 v | 5.1 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ADTC143ecaq-7 | 0,0658 | ![]() | 3954 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ADTC143 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-attc143ecaq-7tr | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBJ1506-F | 1.7300 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBJ | GBJ1506 | Standard | Gbj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,05 V @ 7,5 a | 10 µa @ 600 V | 15 a | Einphase | 600 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
BZX84C3V9-7 | - - - | ![]() | 8841 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 1 V | 3,9 v | 90 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
ZHCS500TA-52 | 0,1026 | ![]() | 9577 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Schottky | SOT-23-3 | Herunterladen | 31-ZHCS500TA-52 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 780 mv @ 1 a | 10 ns | 40 µa @ 30 V | 125 ° C. | 1a | 20pf @ 25v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DXT458P5-13 | 0,4800 | ![]() | 47 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | DXT458 | 2,8 w | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 5.000 | 400 V | 300 ma | 100na | Npn | 500mv @ 6ma, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 10 V | 50 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
DSS5220V-7 | 0,0800 | ![]() | 8332 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DSS5220 | 600 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20 v | 2 a | 100na | PNP | 390mv @ 200 Ma, 2a | 155 @ 1a, 2v | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBJ1502-F | 1.7300 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4-SIP, GBJ | GBJ1502 | Standard | Gbj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1,05 V @ 7,5 a | 10 µA @ 200 V. | 15 a | Einphase | 200 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmbz5229bs-7-f | 0,0756 | ![]() | 1524 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MMBZ5229 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 Unabhängig | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 1 V | 4.3 v | 22 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBRT25U50SLP-13 | - - - | ![]() | 3236 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | Superbarriere | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 50 v | 520 mv @ 25 a | 500 µa @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 25a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF1060CT-LS | - - - | ![]() | 6786 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | MBRF106 | Schottky | ITO-220AB | Herunterladen | 31-MBRF1060CT-LS | Veraltet | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 5a | 750 mv @ 5 a | 100 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ZXTP25060BFHTA | 0,5600 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXTP25060 | 1,25 w | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 60 v | 3 a | 50na (ICBO) | PNP | 235mv @ 300 mA, 3a | 100 @ 10ma, 2v | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDC124EU-7-F | 0,4100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DDC124 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22kohm | 22kohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5254BQ-7-F | 0,0365 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5254 | 370 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-mmsz5254bq-7-Ftr | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 21 V | 27 v | 41 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ15Q-7 | 0,3300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2,5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | DDZ15 | 310 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 12 v | 15 v | 18 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
DMN2991UFO-7B | 0,0367 | ![]() | 3767 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | DMN2991 | MOSFET (Metalloxid) | X2-DFN0604-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMN2991UFO-7BTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 20 v | 540 mA (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 990MOHM @ 100 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,35 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 21.5 PF @ 15 V | - - - | 440 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
DMC2004VK-7 | - - - | ![]() | 4965 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DMC2004 | MOSFET (Metalloxid) | 450 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V | 670 Ma, 530 mA | 550MOHM @ 540 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | - - - | 150pf @ 16v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||||||||
DMN2170U-7 | - - - | ![]() | 7291 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN2170 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 2.3a (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 70 Mohm @ 3a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | ± 12 V | 217 PF @ 10 V | - - - | 600 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ10B-7 | 0,2500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 3% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | Ddz10 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 8 v | 9.66 v | 8 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMBZ5242BW-7-F | 0,0557 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MMBZ5242 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 1 µa @ 9,1 V | 12 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SD1A120GW | 0,4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | SD1A120 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 2.000 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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