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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET DATENBLATT ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
ZTX449STOA Diodes Incorporated Ztx449stoa - - -
RFQ
 ECAD 2317 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads ZTX449 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 30 v 1 a 100NA (ICBO) Npn 1v @ 200 Ma, 2a 100 @ 500 mA, 2V 150 MHz
2A06-T Diodes Incorporated 2a06-t - - -
RFQ
 ECAD 8063 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch DO-204AC, DO-15, Axial 2A06 Standard Do-15 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 4.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 800 V 1,1 V @ 2 a 5 µa @ 800 V -65 ° C ~ 150 ° C. 2a 15PF @ 4V, 1 MHz
FMMT593TC Diodes Incorporated FMMT593TC 0,4600
RFQ
 ECAD 228 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Fmmt593 500 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 100 v 1 a 100na PNP 300 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 500 mA, 5V 50 MHz
ZTX712 Diodes Incorporated ZTX712 - - -
RFQ
 ECAD 8455 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3 ZTX712 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 60 v 800 mA 100NA (ICBO) PNP - Darlington 1,25 V @ 8ma, 800 mA 10000 @ 500 mA, 5V - - -
MMST3904-7-F Diodes Incorporated MMST3904-7-F 0,2800
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 MMST3904 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 200 ma - - - Npn 300mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V 300 MHz
DMP3050LSS-13 Diodes Incorporated DMP3050LSS-13 0,5200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMP3050 MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 30 v 4.8a (TA) 4,5 V, 10 V. 45mohm @ 6a, 10V 2v @ 250 ähm 10.5 NC @ 10 V ± 25 V 620 PF @ 15 V - - - 1.7W (TA)
DMN2005UPS-13 Diodes Incorporated DMN2005UPS-13 0,8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMN2005 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 20 v 20A (TA), 100A (TC) 2,5 V, 4,5 V. 4,6 MOHM @ 13,5a, 4,5 V. 1,2 V @ 250 ähm 142 NC @ 10 V ± 12 V 5337 PF @ 10 V - - - 1,5 W (TA)
1N5232B-T Diodes Incorporated 1n5232b-t - - -
RFQ
 ECAD 1316 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N5232 500 MW Do-35 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 200 Ma 5 µa @ 3 V 5.6 v 11 Ohm
DFLS130-7-G Diodes Incorporated DFLS130-7-G - - -
RFQ
 ECAD 4925 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung PowerDI®123 DFLS130 Schottky PowerDi ™ 123 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen 31-DFLS130-7-GTR Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 420 mv @ 1 a 1 ma @ 30 v -55 ° C ~ 125 ° C. 1a 40pf @ 10v, 1 MHz
SBR5E45P5-7 Diodes Incorporated SBR5E45P5-7 0,2040
RFQ
 ECAD 3394 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung PowerDi ™ 5 SBR5E45 Superbarriere PowerDi ™ 5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 1.500 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 45 V 600 mv @ 5 a 280 µa @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C. 5a - - -
DMN6040SSD-13 Diodes Incorporated DMN6040SSD-13 0,5800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMN6040 MOSFET (Metalloxid) 1.3W 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 2 n-kanal (dual) 60 v 5a 40mohm @ 4,5a, 10V 3v @ 250 ähm 22.4nc @ 10v 1287Pf @ 25v Logikpegel -tor
BZT52C9V1-13-F Diodes Incorporated BZT52C9V1-13-F 0,0269
RFQ
 ECAD 9807 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 BZT52 500 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen BZT52C9V1-13-FDI Ear99 8541.10.0050 10.000 900 mv @ 10 mA 500 na @ 6 v 9.1 v 15 Ohm
DMN1001UCA10-7 Diodes Incorporated DMN1001UCA10-7 0,3222
RFQ
 ECAD 4340 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 10-SMD, Keine Frotung DMN1001 MOSFET (Metalloxid) 1W X2-TSN1820-10 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMN1001UCA10-7TR Ear99 8541.29.0095 3.000 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss 12V 20a (ta) 3,55 MOHM @ 5A, 4,5 V. 1,4 V @ 870 ähm 29nc @ 4v 2865PF @ 6v - - -
DFLU1200-7 Diodes Incorporated DFLU1200-7 0,4000
RFQ
 ECAD 515 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung PowerDI®123 DFLU1200 Standard PowerDi ™ 123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 980 mv @ 1 a 25 ns 5 µa @ 200 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 27pf @ 4v, 1 MHz
DMP56D0UFB-7 Diodes Incorporated DMP56D0UFB-7 0,3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-Ufdfn DMP56 MOSFET (Metalloxid) X1-DFN1006-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 50 v 200 Ma (TA) 2,5 V, 4 V. 6OHM @ 100 mA, 4V 1,2 V @ 250 ähm 0,58 NC @ 4 V. ± 8 v 50.54 PF @ 25 V. - - - 425 MW (TA)
RL207-T Diodes Incorporated Rl207-T - - -
RFQ
 ECAD 2619 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch DO-204AC, DO-15, Axial RL207 Standard Do-15 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 4.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1000 v 1 V @ 2 a 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 150 ° C. 2a - - -
SF30DG-T Diodes Incorporated SF30DG-T - - -
RFQ
 ECAD 5237 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch Do-201ad, axial Standard Do-201ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 1.200 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 200 v 950 mv @ 3 a 35 ns 5 µa @ 200 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 3a - - -
SD101CWS-13-F Diodes Incorporated SD101CWS-13-F - - -
RFQ
 ECAD 8335 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 Schottky SOD-323 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 10.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 900 mv @ 15 mA 1 ns 200 na @ 30 v -65 ° C ~ 125 ° C. 15 Ma 2.2pf @ 0v, 1 MHz
DMN3051L-7 Diodes Incorporated DMN3051L-7 0,4600
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN3051 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 30 v 5.8a (ta) 4,5 V, 10 V. 38mohm @ 5.8a, 10V 2,2 V @ 250 ähm ± 20 V 424 PF @ 5 V. - - - 700 MW (TA)
DDTC143FCA-7 Diodes Incorporated DDTC143FCA-7 0,3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Aktiv DDTC143 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000
SBR30A120CTE Diodes Incorporated SBR30A120CTE - - -
RFQ
 ECAD 2865 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Rohr Veraltet K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa SBR30 Superbarriere To-262 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 120 v 15a 830 mv @ 15 a 100 µA @ 120 V -65 ° C ~ 175 ° C.
MBR30100CTF-G1 Diodes Incorporated MBR30100CTF-G1 0,7900
RFQ
 ECAD 1899 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv K. Loch To-220-3 Full Pack MBR30100 Schottky To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 100 v 15a 850 mv @ 15 a 100 µa @ 100 V. -55 ° C ~ 150 ° C.
DDTD122LU-7 Diodes Incorporated DDTD122LU-7 0,3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DDTD122 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 500 mA 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA 56 @ 50 Ma, 5V 200 MHz 220 Ohm 10 Kohms
DMTH46M7SFVWQ-7 Diodes Incorporated DMTH46M7SFVWQ-7 0,7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke 8-Powervdfn DMTH46 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 40 v 16,3a (TA), 67,2a (TC) 10V 7.4mohm @ 20a, 10V 4v @ 250 ähm 14.8 NC @ 10 V. ± 20 V 1315 PF @ 20 V - - - 3,2 W (TA), 54,5W (TC)
DMT10H015LFG-13 Diodes Incorporated DMT10H015LFG-13 0,4410
RFQ
 ECAD 1331 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMT10 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen DMT10H015LFG-13DI Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 100 v 10A (TA), 42A (TC) 6 V, 10V 13,5 MOHM @ 20A, 10V 3,5 V @ 250 ähm 33.3 NC @ 10 V. ± 20 V 1871 PF @ 50 V - - - 2W (TA), 35W (TC)
MMSZ5237B-7 Diodes Incorporated MMSZ5237B-7 - - -
RFQ
 ECAD 9207 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-123 MMSZ5237B 500 MW SOD-123 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 3 µA @ 6,5 V. 8.2 v 8 Ohm
DDTD143EC-7-F Diodes Incorporated Ddtd143ec-7-f - - -
RFQ
 ECAD 8315 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTD143 200 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 500 mA 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA 47 @ 50 Ma, 5V 200 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
DDTA123ECA-7 Diodes Incorporated DDTA123ECA-7 0,1000
RFQ
 ECAD 252 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Klebeband (CT) Schneiden Aktiv DDTA123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1034-ddta123eca-7dkr Ear99 8541.21.0075 3.000
ZDT795ATC Diodes Incorporated ZDT795ATC - - -
RFQ
 ECAD 4200 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-223-8 ZDT795A 2.75W Sm8 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 4.000 140V 500 mA 100NA (ICBO) 2 PNP (Dual) 250mv @ 50 mA, 500 mA 300 @ 10ma, 2v 100 MHz
SBR30A50CTFP-JT Diodes Incorporated SBR30A50CTFP-JT - - -
RFQ
 ECAD 5125 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte SBR30 Superbarriere ITO-220AB Herunterladen 1 (unbegrenzt) 31-SBR30A50CTFP-JT Ear99 8541.10.0080 50 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 50 v 15a 550 mv @ 15 a 500 µa @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C.
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    15.000 m2

    Lagerhaus

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