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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
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![]() | DMG6898LSD-13 | 0,5900 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMG6898 | MOSFET (Metalloxid) | 1.28W | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 9,5a | 16mohm @ 9.4a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 26nc @ 10v | 1149PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C9V1-7-G | - - - | ![]() | 6095 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | BZT52 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZT52C9V1-7-GDI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMM5243B-7 | - - - | ![]() | 1570 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Zmm5243 | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 500 NA @ 9.9 V. | 13 v | 13 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZDM4306NTA | 1.1900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ZDM4306N | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMBD4448W-7-F | 0,0363 | ![]() | 8924 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBD4448 | Standard | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 75 V | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 1 µa @ 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 250 Ma | 2PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S5JB-13 | 0,4200 | ![]() | 675 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Standard | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,15 V @ 5 a | 10 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 28PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
BAT54CQ-13 | 0,0286 | ![]() | 8145 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bat54 | Schottky | SOT-23-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-BAT54CQ-13TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 30 v | 200 ma | 800 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C16T-7-F | 0,4000 | ![]() | 41 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,56% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOT-523 | Bzx84 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 NA @ 11.2 V. | 16 v | 40 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ9709Q-13 | - - - | ![]() | 9897 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | DDZ9709 | 500 MW | SOD-123 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-DDZ9709q-13tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 18.2 V. | 24 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXMP6A16KTC | 0,8800 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | ZXMP6A16 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 60 v | 5.4a (TA) | 10V | 85mohm @ 2,9a, 10V | 1V @ 250 ähm | 24.2 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1021 PF @ 30 V | - - - | 2.11W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | FZT951QTC | 0,6303 | ![]() | 3873 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 1,6 w | SOT-223 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-FZT951qtctr | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 60 v | 5 a | 50na | PNP | 460mv @ 500 mA, 5a | 100 @ 2a, 1V | 120 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
AMBTA92Q-7 | 0,0575 | ![]() | 3099 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AMBTA92 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 300 V | 500 mA | 250na (ICBO) | PNP | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 40 @ 10 ma, 10V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMC2053UFDB-7 | 0,1038 | ![]() | 5641 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | DMC2053 | MOSFET (Metalloxid) | 820 MW (TA) | U-DFN2020-6 (Typ B) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMC2053UFDB-7TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-und p-kanal-krementär | 20V | 4,6a (TA), 3,1a (TA) | 35MOHM @ 5A, 4,5 V, 75 MOHM @ 3,5A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 7.7nc @ 10v, 12.7nc @ 8v | 369pf @ 10v, 440pf @ 10v | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDT10A45P5-7D | 0,1559 | ![]() | 6846 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | SDT10 | Schottky | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 470 mv @ 10 a | 300 µa @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fcx491ata | 0,4600 | ![]() | 116 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | FCX491 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 40 v | 1 a | 100na | Npn | 500mv @ 100 mA, 1a | 300 @ 500 mA, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ9699T-7 | 0,4600 | ![]() | 6052 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | DDZ9699 | 150 MW | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 9.1 V. | 12 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C8V2W-7-F | 0,0630 | ![]() | 9601 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,1% | -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Bzx84 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 700 NA @ 5 V. | 8.2 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTA144WCA-7 | 0,2400 | ![]() | 593 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | DDTA144 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1034-DDTA144WCA-7DKR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SB540-B | - - - | ![]() | 4916 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | Schottky | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 550 mV @ 5 a | 500 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 5a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SB540-A52 | - - - | ![]() | 1689 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-SB540-A52TB | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT585B5V1TQ-7 | 0,2700 | ![]() | 7373 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BZT585 | 350 MW | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 2 µa @ 2 V | 5.1 v | 60 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S1m-13-F | 0,2500 | ![]() | 766 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | S1m | Standard | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
Fmmt617tc | 0,1715 | ![]() | 4333 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt617 | 625 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 15 v | 3 a | 100na | Npn | 200mv @ 50 Ma, 3a | 300 @ 200 Ma, 2V | 120 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | US1DWFQ-7 | 0,1570 | ![]() | 4842 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOD-123F | US1D | Standard | SOD-123F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | US1DWFQ-7di | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 200 v | 950 mv @ 1 a | 35 ns | 5 µa @ 200 V. | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 14PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2DD2150R-13 | - - - | ![]() | 6581 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2dd2150 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 20 v | 3 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 100 mA, 2a | 180 @ 100 Ma, 2V | 160 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZVP2120ASTZ | - - - | ![]() | 5636 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | ZVP2120 | MOSFET (Metalloxid) | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | P-Kanal | 200 v | 120 Ma (TA) | 10V | 25ohm @ 150 mA, 10V | 3,5 V @ 1ma | ± 20 V | 100 PF @ 25 V. | - - - | 700 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP4015SSS-13 | 0,8000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMP4015 | MOSFET (Metalloxid) | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 40 v | 9.1a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 11mohm @ 9.8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 47,5 NC @ 5 V. | ± 25 V | 4234 PF @ 20 V | - - - | 1,45W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5266b-t | - - - | ![]() | 5482 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 1N5266 | 500 MW | Do-35 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 200 Ma | 100 na @ 52 v | 68 v | 230 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMMT3906W-7-F-79 | - - - | ![]() | 7865 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | DMMT3906 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 31-DMMT3906W-7-F-79TR | Veraltet | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UG1001-T | - - - | ![]() | 2938 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | Standard | Do-41 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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