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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
1N4004-BU Diodes Incorporated 1N4004-bu - - -
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 ECAD 2099 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1N4004 Standard Do-41 Herunterladen 31-1n4004-bu Veraltet 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 400 V 1 V @ 1 a 5 µa @ 400 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 15PF @ 4V, 1 MHz
ZTX957 Diodes Incorporated ZTX957 0,4970
RFQ
 ECAD 5698 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3 ZTX957 1,2 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 4.000 300 V 1 a 50na (ICBO) PNP 200mv @ 300 mA, 1a 100 @ 500 mA, 10V 85 MHz
DMMT5401-7 Diodes Incorporated DMMT5401-7 - - -
RFQ
 ECAD 2123 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 DMMT5401 300 MW SOT-26 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 150 v 200 ma 50na (ICBO) 2 PNP (Dual) Matchieres Paar 500mv @ 5ma, 50 mA 60 @ 10ma, 5V 300 MHz
2DB1714-13 Diodes Incorporated 2DB1714-13 - - -
RFQ
 ECAD 7742 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa 2DB1714 900 MW SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.500 30 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 370mv @ 75 mA, 1,5a 270 @ 200 Ma, 2V 200 MHz
MMBT3904T-7 Diodes Incorporated MMBT3904T-7 - - -
RFQ
 ECAD 4322 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-523 MMBT3904 150 MW SOT-523 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 40 v 200 ma - - - Npn 300mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V 300 MHz
MMBD2004SQ-7-F Diodes Incorporated MMBD2004SQ-7-F 0,0821
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 ECAD 8573 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Standard SOT-23-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31 MMBD2004SQ-7-FTR Ear99 8541.10.0070 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Serie Verbindung 240 V 225 Ma (DC) 1 V @ 100 mA 50 ns 100 NA @ 240 V -65 ° C ~ 150 ° C.
1N5398G-T Diodes Incorporated 1n5398g-t - - -
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 ECAD 2370 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch DO-204AC, DO-15, Axial 1N5398 Standard Do-15 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 4.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 800 V 1,1 V @ 1,5 a 5 µa @ 800 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1,5a 15PF @ 4V, 1 MHz
DMTH4007SPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH4007SPSQ-13 0,5145
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 ECAD 9204 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMTH4007 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 40 v 15,7a (TA), 100A (TC) 10V 7.6mohm @ 20a, 10V 4v @ 250 ähm 41,9 NC @ 10 V. ± 20 V 2082 PF @ 25 V. - - - 2,8 W (TA), 136 W (TC)
BC847BQ-7-F Diodes Incorporated BC847BQ-7-F 0,0365
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 ECAD 6 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BC847 310 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-BC847BQ-7-FTR Ear99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 ma 15na Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 200 @ 2MA, 5V 300 MHz
ZXMHC6A07N8TC Diodes Incorporated ZXMHC6A07N8TC 1.0400
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 ECAD 50 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) ZXMHC6A07 MOSFET (Metalloxid) 870 MW 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.500 2 n und 2 p-kanal (Halbe Brücke) 60 v 1.39a, 1.28a 250 MOHM @ 1,8a, 10 V 3v @ 250 ähm 3.2nc @ 10v 166PF @ 40V Logikpegel -tor
ZXMP4A16GTA Diodes Incorporated ZXMP4A16GTA 0,8900
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 ECAD 12 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa ZXMP4A16 MOSFET (Metalloxid) SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1.000 P-Kanal 40 v 6.4a (ta) 4,5 V, 10 V. 60MOHM @ 3,8a, 10V 1V @ 250 ähm 26.1 NC @ 10 V. ± 20 V 1007 PF @ 20 V - - - 2W (TA)
DFLS130L-7-G Diodes Incorporated DFLS130L-7-G - - -
RFQ
 ECAD 5285 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Streiflen Veraltet Oberflächenhalterung PowerDI®123 DFLS130 Schottky PowerDi ™ 123 - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen 31-DFLS130L-7-G Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 310 mv @ 1 a 1 ma @ 30 v -40 ° C ~ 125 ° C. 1a 76PF @ 10V, 1 MHz
MMSZ5229BS-7-F Diodes Incorporated MMSZ5229bs-7-F 0,3400
RFQ
 ECAD 3726 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 MMSZ5229 200 MW SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 5 µa @ 1 V 4.3 v 22 Ohm
B240T-01DL-F Diodes Incorporated B240T-01DL-F - - -
RFQ
 ECAD 9423 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung Do-214aa, SMB B240 Schottky SMB - - - 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen 31-B240T-01DL-FTR Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 500 mV @ 2 a 500 µa @ 40 V -65 ° C ~ 150 ° C. 2a 200pf @ 40V, 1 MHz
MMBZ5240B-7 Diodes Incorporated MMBZ5240B-7 - - -
RFQ
 ECAD 3430 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Mmbz5240b 350 MW SOT-23-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 3 µa @ 8 V 10 v 17 Ohm
SBR10150CTFP Diodes Incorporated SBR10150CTFP - - -
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 ECAD 1959 0.00000000 Dioden Eingenbaut SBR® Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 Full Pack SBR10150 Superbarriere To-220f-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 150 v 5a 920 mv @ 5 a 250 µa @ 150 V -65 ° C ~ 150 ° C.
BAV3004WQ-7-F-52 Diodes Incorporated BAV3004WQ-7-F-52 0,0639
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 ECAD 2961 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SOD-123 BAV3004 Standard SOD-123 Herunterladen 31-BAV3004WQ-7-F-52 Ear99 8541.10.0070 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 300 V 1,25 V @ 200 Ma 50 ns 100 NA @ 240 V -65 ° C ~ 150 ° C. 225 Ma 1pf @ 0v, 1 MHz
DMP2900UVQ-7 Diodes Incorporated DMP2900UVQ-7 0,3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DMP2900 MOSFET (Metalloxid) 500 MW (TA) SOT-563 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.21.0095 3.000 2 p-kanal (dual) 20V 850 Ma (TA) 750 MOHM @ 430 Ma, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 0,7nc @ 4,5 v 49pf @ 16v Standard
DMN12M3UCA6-7 Diodes Incorporated DMN12M3UCA6-7 0,4063
RFQ
 ECAD 4426 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-smd, Keine Frotung DMN12 MOSFET (Metalloxid) 1.1W X4-DN3118-6 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMN12M3UCA6-7TR Ear99 8541.29.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 14V 24,4a (TA) 2,75 MOHM @ 6a, 4,5 V. 1,4 V @ 1,41 Ma 68.6nc @ 4v 4593PF @ 10V - - -
1N5221B-T Diodes Incorporated 1N5221b-t - - -
RFQ
 ECAD 7372 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N5221 500 MW Do-35 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 200 Ma 100 µa @ 1 V 2,4 v 30 Ohm
BZT52C16Q-7-F Diodes Incorporated BZT52C16Q-7-F 0,0384
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5,63% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOD-123 BZT52 370 MW SOD-123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-BZT52C16Q-7-FTR Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 100 NA @ 11.2 V. 16 v 40 Ohm
DMT35M8LDG-13 Diodes Incorporated DMT35M8LDG-13 0,4116
RFQ
 ECAD 5843 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn MOSFET (Metalloxid) 980 MW (TA), 2W (TC) PowerDI3333-8 (Typ G) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 31-DMT35M8LDG-13TR Ear99 8541.21.0095 3.000 2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch 30V 17a (ta), 15,3a (ta) 4,7 MOHM @ 20A, 10V, 5,8 Mohm @ 18a, 10 V 1,9 V @ 250 ähm 22.7nc @ 10v, 16.3nc @ 10v 1510pf @ 15V, 1032pf @ 15V Standard
GDZ5V1LP3-7 Diodes Incorporated GDZ5V1LP3-7 0,3300
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 ECAD 432 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung 0201 (0603 Metrik) Gdz5v1 250 MW X3-DFN0603-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000 200 na @ 2 v 5.1 v
ADTC143ECAQ-7 Diodes Incorporated ADTC143ecaq-7 0,0658
RFQ
 ECAD 3954 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ADTC143 310 MW SOT-23-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-attc143ecaq-7tr Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 20 @ 10ma, 5V 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
GBJ1506-F Diodes Incorporated GBJ1506-F 1.7300
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, GBJ GBJ1506 Standard Gbj Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 15 1,05 V @ 7,5 a 10 µa @ 600 V 15 a Einphase 600 V
BZX84C3V9-7 Diodes Incorporated BZX84C3V9-7 - - -
RFQ
 ECAD 8841 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Bzx84 300 MW SOT-23-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 3 µa @ 1 V 3,9 v 90 Ohm
ZHCS500TA-52 Diodes Incorporated ZHCS500TA-52 0,1026
RFQ
 ECAD 9577 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Schottky SOT-23-3 Herunterladen 31-ZHCS500TA-52 Ear99 8541.10.0070 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 40 v 780 mv @ 1 a 10 ns 40 µa @ 30 V 125 ° C. 1a 20pf @ 25v, 1 MHz
DXT458P5-13 Diodes Incorporated DXT458P5-13 0,4800
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung PowerDi ™ 5 DXT458 2,8 w PowerDi ™ 5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 5.000 400 V 300 ma 100na Npn 500mv @ 6ma, 50 mA 100 @ 50 Ma, 10 V 50 MHz
DSS5220V-7 Diodes Incorporated DSS5220V-7 0,0800
RFQ
 ECAD 8332 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DSS5220 600 MW SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 20 v 2 a 100na PNP 390mv @ 200 Ma, 2a 155 @ 1a, 2v 150 MHz
GBJ1502-F Diodes Incorporated GBJ1502-F 1.7300
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-SIP, GBJ GBJ1502 Standard Gbj Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 15 1,05 V @ 7,5 a 10 µA @ 200 V. 15 a Einphase 200 v
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