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Diskette HalblerProdukte (13379)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
1N5398-T Diodes Incorporated 1N5398-T - - -
RFQ
 ECAD 2005 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet K. Loch DO-204AC, DO-15, Axial 1N5398 Standard Do-15 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 4.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 800 V 1,1 V @ 1,5 a 5 µa @ 800 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1,5a 20pf @ 4v, 1 MHz
1N5260B-T Diodes Incorporated 1N5260b-t - - -
RFQ
 ECAD 1805 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 1N5260 500 MW Do-35 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0050 10.000 1,1 V @ 200 Ma 100 na @ 33 v 43 v 93 Ohm
ZDT749TA Diodes Incorporated Zdt749ta 1.1400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-223-8 ZDT749 2.75W Sm8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 1.000 25 v 2a 100NA (ICBO) 2 PNP (Dual) 500mv @ 200 Ma, 2a 100 @ 1a, 2v 160 MHz
PR1001G-T Diodes Incorporated PR1001G-T 0,0680
RFQ
 ECAD 3358 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv K. Loch Do-204Al, Do-41, axial PR1001 Standard Do-41 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 5.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 50 v 1,3 V @ 1 a 150 ns 5 µa @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 15PF @ 4V, 1 MHz
DMN2011UFDE-7 Diodes Incorporated DMN2011UFDE-7 0,6200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-Powerudfn DMN2011 MOSFET (Metalloxid) U-DFN2020-6 (Typ E) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 20 v 11.7a (ta) 1,5 V, 4,5 V. 9,5 MOHM @ 7A, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 56 NC @ 10 V ± 12 V 2248 PF @ 10 V. - - - 610 MW (TA)
ZTX968STZ Diodes Incorporated Ztx968stz 0,4340
RFQ
 ECAD 9357 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Box (TB) Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads ZTX968 1,58 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 2.000 12 v 4.5 a 50na (ICBO) PNP 300mv @ 200 Ma, 5a 300 @ 500 mA, 1V 80MHz
DFLS130-7 Diodes Incorporated DFLS130-7 0,4400
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung PowerDI®123 DFLS130 Schottky PowerDi ™ 123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 30 v 420 mv @ 1 a 1 ma @ 30 v - - - 1a 40pf @ 10v, 1 MHz
AZ23C18-7 Diodes Incorporated AZ23C18-7 - - -
RFQ
 ECAD 3640 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 AZ23C18 300 MW SOT-23-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 18 v 50 Ohm
MBR2045CTF-E1 Diodes Incorporated MBR2045CTF-E1 - - -
RFQ
 ECAD 4408 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-3 Full Pack Schottky To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 45 V 10a 650 mv @ 10 a 100 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C.
DMP3036SFG-7 Diodes Incorporated DMP3036SFG-7 0,5900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMP3036 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 P-Kanal 30 v 8.7a (ta) 5v, 10V 20mohm @ 8a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 16,5 NC @ 10 V. ± 25 V 1931 PF @ 15 V - - - 950 MW (TA)
MMBZ5237BW-7 Diodes Incorporated MMBZ5237BW-7 0,1000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Klebeband (CT) Schneiden Aktiv Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 1034-mmbz5237bw-7dkr Ear99 8541.10.0050 3.000
MBR10200CS2-E1 Diodes Incorporated MBR10200CS2-E1 - - -
RFQ
 ECAD 4009 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Veraltet Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MBR10200 Schottky To-263-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 50 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1 Paar Gemeinsamer Kathode 200 v 5a 950 mv @ 5 a 150 µa @ 200 V. 150 ° C (max)
FZT953TC Diodes Incorporated FZT953TC - - -
RFQ
 ECAD 8243 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa FZT953 3 w SOT-223-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 4.000 100 v 5 a 50na (ICBO) PNP 460mv @ 500 mA, 5a 100 @ 2a, 1V 120 MHz
FZT653TC Diodes Incorporated FZT653TC 0,6800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa FZT653 2 w SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 4.000 100 v 2 a 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 200 Ma, 2a 100 @ 500 mA, 2V 175MHz
ACX115EUQ-13R Diodes Incorporated ACX115EUQ-13R - - -
RFQ
 ECAD 4093 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 ACX115 270 MW SOT-363 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 50V 100 ma - - - NPN, PNP Kopplementär - - - 82 @ 5MA, 5V 250 MHz 100kohm 100kohm
ADTA113ZUAQ-7 Diodes Incorporated ADTA113ZUAQ-7 - - -
RFQ
 ECAD 9399 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 ADTA113 310 MW SOT-323 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 1ma, 10 mA 100 @ 1ma, 5V 250 MHz 1 Kohms 10 Kohms
DDA114EH-7 Diodes Incorporated DDA114EH-7 0,4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DDA114 150 MW SOT-563 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma - - - 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 300 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5ma, 5v 250 MHz 10kohm 10kohm
ZXMP4A16KTC Diodes Incorporated ZXMP4A16KTC 1.2500
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 ZXMP4A16 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 40 v 6.6a (ta) 4,5 V, 10 V. 60MOHM @ 3,8a, 10V 1V @ 250 ähm 29.6 NC @ 10 V. ± 20 V 965 PF @ 20 V - - - 2.15W (TA)
DMT10H009SCG-13 Diodes Incorporated DMT10H009SCG-13 0,3849
RFQ
 ECAD 3959 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMT10 MOSFET (Metalloxid) V-DFN3333-8 (Typ B) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMT10H009SCG-13TR Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 100 v 14A (TA), 48A (TC) 10V 9,5 MOHM @ 20A, 10V 4v @ 250 ähm 30 NC @ 10 V ± 20 V 2085 PF @ 50 V - - - 1,3W (TA)
DMPH6050SFGQ-7 Diodes Incorporated DMPH6050SFGQ-7 0,8800
RFQ
 ECAD 3947 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMPH6050 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 60 v 6.1a (ta), 18a (TC) 4,5 V, 10 V. 50mohm @ 7a, 10V 3v @ 250 ähm 24.1 NC @ 10 V. ± 20 V 1293 PF @ 30 V - - - 1.2W (TA)
SDM03MT40-7 Diodes Incorporated SDM03MT40-7 0,6000
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Klebeband (CT) Schneiden Aktiv SDM03 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000
S5BC Diodes Incorporated S5BC - - -
RFQ
 ECAD 3489 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet Oberflächenhalterung Do-214AB, SMC Standard SMC Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-s5bc Ear99 8541.10.0080 1 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 100 v 1,15 V @ 5 a 2,2 µs 10 µa @ 100 V. -55 ° C ~ 150 ° C. 5a 40pf @ 4v, 1 MHz
QSG0115UDJ-7 Diodes Incorporated QSG0115UDJ-7 0,4100
RFQ
 ECAD 3271 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SOT-963 QSG0115 Schottky SOT-963 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 10.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 2 Paar Gemeinsame Kathode Passen 15 v 100 ma 400 mv @ 10 mA 5 ns 15 µa @ 10 V -65 ° C ~ 150 ° C.
ZXMN6A09DN8TA Diodes Incorporated ZXMN6A09DN8TA 1.8600
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) ZXMN6 MOSFET (Metalloxid) 1.25W 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 2 n-kanal (dual) 60 v 4.3a 40mohm @ 8.2a, 10V 3v @ 250 ähm 24.2nc @ 5v 1407PF @ 40V Logikpegel -tor
DMNH6021SK3-13 Diodes Incorporated DMNH6021SK3-13 0,3045
RFQ
 ECAD 5928 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DMNH6021 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 50a (TC) 4,5 V, 10 V. 23mohm @ 12a, 10V 3v @ 250 ähm 20.1 NC @ 10 V. ± 20 V 1143 PF @ 25 V. - - - 2.1W (TA)
ZXT13N50DE6QTA Diodes Incorporated ZXT13N50DE6QTA 0,3608
RFQ
 ECAD 5404 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 1,1 w SOT-26 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-ZXT13N50DE6QTATR Ear99 8541.29.0075 3.000 50 v 4 a 100na Npn 230 mV @ 100 mA, 4a 300 @ 1a, 2v 115 MHz
DMN62D0LFB-7B Diodes Incorporated DMN62D0LFB-7B 0,0814
RFQ
 ECAD 7180 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-Ufdfn DMN62 MOSFET (Metalloxid) X1-DFN1006-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 60 v 100 mA (ta) 1,5 V, 4V 2OHM @ 100 mA, 4V 1V @ 250 ähm 0,45 NC @ 4,5 V. ± 20 V 32 PF @ 25 V. - - - 470 MW (TA)
BZX84C20TS-7-F Diodes Incorporated BZX84C20TS-7-F - - -
RFQ
 ECAD 3911 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bzx84 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 3 Unabhängig 900 mv @ 10 mA 100 na @ 14 v 20 v 55 Ohm
DDZX16-7 Diodes Incorporated Ddzx16-7 0,0435
RFQ
 ECAD 9079 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Ddzx16 300 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 50 na @ 12 v 16 v 18 Ohm
DFLR1200-7 Diodes Incorporated DFLR1200-7 0,3800
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung PowerDI®123 DFLR1200 Standard PowerDi ™ 123 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.10.0080 3.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 200 v 1,1 V @ 1 a 3 µa @ 200 V. -65 ° C ~ 150 ° C. 1a 10pf @ 4v, 1 MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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