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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
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![]() | DMN1019USN-13 | 0,4500 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN1019 | MOSFET (Metalloxid) | SC-59-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 12 v | 9.3a (ta) | 1,2 V, 2,5 V. | 10MOHM @ 9.7a, 4,5 V. | 800 MV @ 250 ähm | 50.6 NC @ 8 V. | ± 8 v | 2426 PF @ 10 V | - - - | 680 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | AZ23C10-7-G | - - - | ![]() | 6229 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | AZ23C10 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | AZ23C10-7-GDI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK16-13-F | - - - | ![]() | 1612 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | SK16 | Schottky | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 700 mv @ 1 a | 500 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 1a | 110PF @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
DMP2900UWQ-7 | 0,0676 | ![]() | 2501 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 31-DMP2900UWQ-7TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 600 mA (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 750 MOHM @ 430 Ma, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,7 PC @ 4,5 V | ± 6 V | 49 PF @ 16 V | - - - | 300 MW | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5240BT-7-F | 0,0736 | ![]() | 1832 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOT-523 | MMBZ5240 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 8 V | 10 v | 17 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C10S-7-F | 0,4500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bzx84 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 Unabhängig | 900 mv @ 10 mA | 200 na @ 7 V | 10 v | 20 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP1005UFDF-13 | 0,1588 | ![]() | 4477 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | DMP1005 | MOSFET (Metalloxid) | U-DFN2020-6 (typ f) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | P-Kanal | 12 v | 26a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 8,5 MOHM @ 5A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 47 NC @ 8 V. | ± 8 v | 2475 PF @ 6 V. | - - - | 2.1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PDS1045-13 | 1.4800 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | PDS1045 | Schottky | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 45 V | 510 mv @ 10 a | 600 µa @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
AZ23C22-7 | - - - | ![]() | 5773 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AZ23C22 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 22 v | 55 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
DZ23C13-7 | - - - | ![]() | 9766 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DZ23C13 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 13 v | 25 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR20U150CT | 2.3500 | ![]() | 5721 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | SBR20 | Superbarriere | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 10a | 780 mv @ 10 a | 500 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMM5256B-7 | - - - | ![]() | 9829 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Zmm5256 | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 23 v | 30 v | 49 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S1MSP1M-7 | 0,3300 | ![]() | 6741 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDI®123 | Standard | PowerDi ™ 123 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,1 V @ 1 a | 1,2 µs | 10 µa @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 2.8pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZMM5248B-7 | - - - | ![]() | 2058 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | Zmm5248 | 500 MW | Mini Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 na @ 14 v | 18 v | 21 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C6V8-7-F | 0,2100 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-123 | BZT52 | 500 MW | SOD-123 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 2 µa @ 4 V. | 6,8 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S2M-13-F | 0,3400 | ![]() | 871 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | S2m | Standard | SMB | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 1000 v | 1,15 V @ 1,5 a | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1,5a | 20pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP4013LFGQ-7 | 0,9100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMP4013 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | P-Kanal | 40 v | 10.3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 13mohm @ 10a, 10V | 3v @ 250 ähm | 68,6 NC @ 10 V | ± 20 V | 3426 PF @ 20 V | - - - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
ZVP3310fta-52 | 0,1961 | ![]() | 7440 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZVP3310 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | 31-ZVP3310fta-52 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 100 v | 75 Ma (TA) | 10V | 20ohm @ 150 mA, 10V | 3,5 V @ 1ma | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 330 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDS560-13 | 0,9900 | ![]() | 151 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | PDS560 | Schottky | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 670 mv @ 5 a | 150 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMC6022SSD-13 | 0,9500 | ![]() | 970 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMC6022 | MOSFET (Metalloxid) | 1,5 W (TA) | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 60 v | 6a (ta), 5a (ta) | 29MOHM @ 5A, 10V, 50MOHM @ 5A, 10V | 3v @ 250 ähm | 32nc @ 10v, 30.6nc @ 10v | 2110pf @ 30v, 1525pf @ 30v | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C3V0-7-G | - - - | ![]() | 3597 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | BZT52 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BZT52C3V0-7-GDI | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DMN3060LWQ-13 | 0,0659 | ![]() | 4436 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DMN3060 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMN3060LWQ-13TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 30 v | 2.6a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 60MOHM @ 3.1a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 5.6 NC @ 4.5 V | ± 12 V | 395 PF @ 15 V | - - - | 500 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBL3050PT | - - - | ![]() | 7124 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | SBL3050 | Schottky | To-3p | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 50 v | 15a | 700 mv @ 15 a | 1 ma @ 50 v | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C18S-7-F | 0,2800 | ![]() | 118 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZT52 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 NA @ 12,6 V. | 18 v | 45 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n5404-t | - - - | ![]() | 8222 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | 1N5404 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 400 V | 1 V @ 3 a | 10 µa @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 50pf @ 4v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBZ5232BTS-7-F | 0,1300 | ![]() | 3528 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MMBZ5232 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 Unabhängig | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 3 V | 5.6 v | 11 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT13003HU-G1 | - - - | ![]() | 8989 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | APT13003 | 20 w | To-126 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | APT13003HU-G1DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 465 v | 1,5 a | - - - | Npn | 400 mV @ 250 mA, 1a | 13 @ 500 mA, 2V | 4MHz | |||||||||||||||||||||||||||
BSS138WQ-7-F | 0,2800 | ![]() | 4215 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BSS138 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 50 v | 280 Ma (TA) | 10V | 3,5OHM @ 220 Ma, 10 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 1,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 48 PF @ 25 V. | - - - | 400 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT585B6V8TQ-13 | 0,0417 | ![]() | 8968 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BZT585 | 350 MW | SOD-523 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-BZT585B6V8TQ-13TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 1,1 V @ 100 mA | 2 µa @ 4 V. | 6,8 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
DDZX43Q-7 | - - - | ![]() | 2855 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Ddzx43 | 300 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-DDZX43Q-7TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 33 v | 43 v | 90 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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