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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) |
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![]() | DMN10H170SFGQ-13 | 0,2832 | ![]() | 5663 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMN10 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMN10H170SFGQ-13DI | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 2,9a (TA), 8,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 122mohm @ 3,3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 14.9 NC @ 10 V. | ± 20 V | 870.7 PF @ 25 V. | - - - | 940 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
DMN30H4D1S-13 | - - - | ![]() | 4117 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN30 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMN30H4D1S-13DI | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 300 V | 430 Ma (TA) | 4,5 V, 10 V. | 4OHM @ 300 mA, 10V | 3v @ 250 ähm | 4,8 nc @ 10 v | ± 20 V | 174 PF @ 25 V. | - - - | 360 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP3013SFK-13 | 0,2145 | ![]() | 7348 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Powerudfn | DMP3013 | MOSFET (Metalloxid) | U-DFN2523-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMP3013SFK-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | P-Kanal | 30 v | 10.5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 14mohm @ 9.5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 33.7 NC @ 10 V. | ± 25 V | 1674 PF @ 15 V | - - - | 1W (TA), 19,5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
DMP31D7LW-7 | 0,3400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DMP31 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 380 Ma (TA) | 4,5 V, 10 V. | 900mohm @ 420 mA, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 0,36 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 19 PF @ 15 V | - - - | 290 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT15H067SSS-13 | 0,3545 | ![]() | 7573 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMT15 | MOSFET (Metalloxid) | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMT15H067SSS-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 150 v | 4,5a (TA), 13A (TC) | 10V | 67mohm @ 4.1a, 10V | 4v @ 250 ähm | 6.4 NC @ 10 V | ± 20 V | 425 PF @ 75 V | - - - | 1,3W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP3007SPSQ-13 | 0,5051 | ![]() | 8840 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | DMP3007 | MOSFET (Metalloxid) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 31-DMP3007SPSQ-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 90a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7mohm @ 15a, 10V | 3v @ 250 ähm | 64.2 NC @ 10 V. | ± 25 V | 2826 PF @ 15 V | - - - | 1.4W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT3009LEV-13 | 0,1846 | ![]() | 8470 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | DMT3009 | - - - | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMT3009LEV-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
DMT67M8LCG-7 | 0,3984 | ![]() | 6342 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMT67 | MOSFET (Metalloxid) | V-DFN3333-8 (Typ B) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMT67M8LCG-7TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 16a (ta), 64,6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.7mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 37,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2130 PF @ 30 V | - - - | 900 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
DMT67M8LCG-13 | 0,3984 | ![]() | 4403 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMT67 | MOSFET (Metalloxid) | V-DFN3333-8 (Typ B) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMT67M8LCG-13TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 16a (ta), 64,6a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.7mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 37,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2130 PF @ 30 V | - - - | 900 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT585B2V4TQ-7 | 0,0564 | ![]() | 8038 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BZT585 | 350 MW | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-BZT585B2V4TQ-7TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 µa @ 1 V | 2,4 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PD3Z284C30-7 | 0,1465 | ![]() | 9606 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 6,67% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 323 | 500 MW | PowerDi ™ 323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Pd3z284c30didkr | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 100 na @ 21 V | 30 v | 40 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
DDTA143TUA-7-F | 0,0435 | ![]() | 2188 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Ddta (r1-nur-serie) ua | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTA143 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 MV @ 250 UA, 2,5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF15005s | 0,7486 | ![]() | 6008 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DF15005 | Standard | Df-s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 1,5 a | 10 µa @ 50 V | 1,5 a | Einphase | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB151W | - - - | ![]() | 5201 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, mb-w | Standard | Mb-w | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | MB151WDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 7,5 a | 10 µa @ 100 V. | 15 a | Einphase | 100 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB158W | - - - | ![]() | 3746 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, mb-w | Standard | Mb-w | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | MB158WDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,1 V @ 7,5 a | 10 µa @ 800 V | 15 a | Einphase | 800 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB3505W | - - - | ![]() | 4259 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, mb-w | Standard | Mb-w | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | MB3505WDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,2 V @ 17.5 a | 10 µa @ 50 V | 35 a | Einphase | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB3510W | - - - | ![]() | 2467 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, mb-w | Standard | Mb-w | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Mb3510wdi | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,2 V @ 17.5 a | 10 µa @ 1000 V | 35 a | Einphase | 1 kv | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB354W | - - - | ![]() | 4833 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 4 Quadratmeter, mb-w | Standard | Mb-w | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | MB354WDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1,2 V @ 17.5 a | 10 µa @ 400 V | 35 a | Einphase | 400 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
DSRHD04-13 | - - - | ![]() | 1860 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Diodestar ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Flache Leitungen | DSRHD04 | Standard | 4-T Minidip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | 1,1 V @ 1 a | 10 µa @ 400 V | 1 a | Einphase | 400 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DF1501s | 0,7056 | ![]() | 5430 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Möwenflügel | DF1501 | Standard | Df-s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DF1501SDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1,1 V @ 1,5 a | 10 µa @ 100 V. | 1,5 a | Einphase | 100 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT13003EU-E1 | - - - | ![]() | 7627 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-225aa, to-126-3 | APT13003 | 1,1 w | To-126 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 31-APT13003EU-E1 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 465 v | 1,5 a | 10 µA | Npn | 400 mV @ 250 mA, 1a | 15 @ 300 mA, 2V | 4MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52B4V7-7-F | - - - | ![]() | 8832 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | BZT52 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-BZT52B4V7-7-FTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ9699Q-13 | - - - | ![]() | 8094 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | DDZ9699 | 500 MW | SOD-123 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-DDZ9699Q-13tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 9.1 V. | 12 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SD103CWS-7-F-79 | - - - | ![]() | 2834 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOD-123 | Schottky | SOD-123 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-SD103CWS-7-F-79TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 600 MV @ 200 Ma | 10 ns | 5 µa @ 10 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 350 Ma | 28PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmsz5234bs-7-g | - - - | ![]() | 7878 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | MMSZ5234 | 200 MW | SOD-123 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-mmsz5234bs-7-GTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 4 V | 6.2 v | 7 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
BZX84C30-7-F-79 | - - - | ![]() | 5120 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 6,67% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-BZX84C30-7-F-79TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 21 V | 30 v | 80 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDM540P5-13d | - - - | ![]() | 4772 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | - - - | SDM540 | - - - | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-SDM540P5-13DTR | Veraltet | 10.000 | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5225BQ-13-F | - - - | ![]() | 9222 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-123 | 370 MW | SOD-123 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-MMSZ5225BQ-13-FTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 µa @ 1 V | 3 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DCX142JH-13 | - - - | ![]() | 4983 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | DCX142 | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 31-DCX142JH-13TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBD130-7 | - - - | ![]() | 1210 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | - - - | - - - | 1 (unbegrenzt) | 31-SBD130-7tr | Veraltet | 3.000 | - - - | - - - | - - - | - - - |
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