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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | DMP2040und-13 | 0,1995 | ![]() | 5602 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMP2040 | MOSFET (Metalloxid) | 900 MW (TA) | PowerDI3333-8 (Typ UXB) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMP2040und-13tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 5.3A (TA), 13,6a (TC) | 36mohm @ 8,9a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 20nc @ 10v | 834PF @ 10V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAW156-7-G | - - - | ![]() | 9500 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | BAW156 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | BAW156-7-GDI | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMDT3946FL3-7 | 0,4200 | ![]() | 8761 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-xfdfn exponiert Pad | Mmdt3946 | 370 MW | X2-DFN1310-6 (Typ B) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40V | 200 ma | 50na | NPN, PNP Kopplementär | 300mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDZ9698S-7 | 0,4300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | DDZ9698 | 200 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 8.4 V | 11 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
BSS138-7-F-50 | 0,0529 | ![]() | 4823 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BSS138 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 31-BSS138-7-F-50 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 50 v | 200 Ma (TA) | 10V | 3,5OHM @ 220 Ma, 10 V. | 1,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 50 PF @ 10 V | - - - | 300 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Mmdt2907a-7-f | 0,4500 | ![]() | 116 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MMDT2907 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 600 mA | 10NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
ZXTN25100BFHTA | 0,5700 | ![]() | 7821 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXTN25100 | 1,25 w | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 100 v | 3 a | 50na (ICBO) | Npn | 250 mV @ 300 mA, 3a | 100 @ 10ma, 2v | 160 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDT5A60SA-13 | 0,4000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | SDT5A60 | Schottky | SMA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 520 mv @ 5 a | 500 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QSG0115UDJ-7 | 0,4100 | ![]() | 3271 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-963 | QSG0115 | Schottky | SOT-963 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 2 Paar Gemeinsame Kathode Passen | 15 v | 100 ma | 400 mv @ 10 mA | 5 ns | 15 µa @ 10 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||
DMN2016UTS-13 | 0,6000 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | DMN2016 | MOSFET (Metalloxid) | 880 MW | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | 20V | 8.58a | 14,5 MOHM @ 9,4a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 16,5nc @ 4,5V | 1495PF @ 10V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBR20U150CT | 2.3500 | ![]() | 5721 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | SBR® | Rohr | Aktiv | K. Loch | To-220-3 | SBR20 | Superbarriere | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 150 v | 10a | 780 mv @ 10 a | 500 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMTH6009SPS-13 | 0,2510 | ![]() | 3449 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMTH6009 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 12,9a (TA), 89,5a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10Mohm @ 20a, 10V | 2,8 V @ 250 ähm | 29.3 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1572 PF @ 30 V | - - - | 2,8 W (TA), 136 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | LZ52C33W | - - - | ![]() | 9850 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 1206 (3216 Metrik) | LZ52C | 500 MW | 1206 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | 1,5 V @ 200 Ma | 100 Na @ 24 V. | 33 v | 80 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBL3060CT-LS | - - - | ![]() | 5493 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | To-220-3 Full Pack | SBL3060 | Schottky | To-220ab | Herunterladen | 31-SBL3060CT-LS | Veraltet | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 60 v | 30a | 700 mv @ 15 a | 100 µa @ 60 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APD240VG-E1 | - - - | ![]() | 7374 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | APD240 | Schottky | Do-15 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 500 mV @ 2 a | 500 µa @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C. | 2a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QZX363C15-7-F | - - - | ![]() | 5844 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Qzx363 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 Kombinierte Gemeinsame -Anode | 900 mv @ 10 mA | 100 Na @ 10,5 V. | 15 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMC31D5UDJ-7 | 0,4100 | ![]() | 98 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-963 | DMC31 | MOSFET (Metalloxid) | 350 MW | SOT-963 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N und p-kanal | 30V | 220 Ma, 200 Ma | 1,5OHM @ 100 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,38nc @ 4,5 V | 22.6PF @ 15V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DXTP06080BFGQ-7 | 0,4800 | ![]() | 1164 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 8-Powervdfn | 1,07 w | PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 80 v | 1 a | 20na | PNP | 280 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
MMDT3906V-7 | 0,0840 | ![]() | 8388 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | Mmdt3906 | 150 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40V | 200 ma | - - - | 2 PNP (Dual) | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
DDTA114WUA-7-F | 0,0435 | ![]() | 4718 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Ddta (r1 ≠ r2 -serie) ua | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTA114 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 24 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 10 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
BZX84C5V1Q-7-F | 0,2000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5,88% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bzx84 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 2 µa @ 2 V | 5.1 v | 60 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B1100B-13-F-2477 | - - - | ![]() | 8391 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | Schottky | SMB | - - - | 31-B1100b-13-F-2477 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 790 mv @ 1 a | 500 µa @ 100 V. | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 80pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B190B-13 | - - - | ![]() | 4400 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | Do-214aa, SMB | B190 | Schottky | SMB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 90 v | 790 mv @ 1 a | 500 µa @ 90 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
DNLS160-7 | - - - | ![]() | 9750 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DNLS160 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 1 a | 100na | Npn | 250mv @ 100 mA, 1a | 200 @ 500 Ma, 5V | 270 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZVN0124ASTOB | - - - | ![]() | 2243 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 240 V | 160 mA (ta) | 10V | 16ohm @ 250 mA, 10V | 3V @ 1ma | ± 20 V | 85 PF @ 25 V. | - - - | 700 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
MMBD3004C-7-F | 0,2800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBD3004 | Standard | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 300 V | 225 Ma (DC) | 1,25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 NA @ 240 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PR2001-T | - - - | ![]() | 6106 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | K. Loch | DO-204AC, DO-15, Axial | Standard | Do-15 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 50 v | 1,2 V @ 2 a | 150 ns | 5 µa @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 35PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN2025U-13 | 0,0552 | ![]() | 1070 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | DMN2025 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B160Q-13-F-52 | 0,0580 | ![]() | 3044 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | Do-214AC, SMA | B160 | Schottky | SMA | Herunterladen | 31-B160Q-13-F-52 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 60 v | 700 mv @ 1 a | 12 ns | 500 µa @ 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 110PF @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SDM03U40Q-7-52 | 0,0660 | ![]() | 7217 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | Schottky | SOD-523 | Herunterladen | 31-SDM03U40Q-7-52 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 370 mv @ 1 mA | 500 na @ 30 v | -40 ° C ~ 125 ° C. | 30 ma | 2PF @ 1V, 1MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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