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Diskette HalblerProdukte (13379)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	Geschwindigkeit	FET -Typ	Gewinnen	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Diodenkonfiguration	Spannung - DC Reverse (VR) (max)	Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode)	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Reverse Recovery Time (TRR)	Strom - reverse -lockage @ vr	Biebstemperatur - übergang	Strom - Dassche Anitt Buhben (IO)	Kapazität @ vr, f	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Cutoff (max)	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	Ausflussbasis (R1)	Ausfluss - Emitterbasis (R2)	RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
MMBT3906-7	- - -	RFQ	7368	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	MMBT3906		300 MW	SOT-23-3	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000																								40 v	200 ma	- - -			PNP	400mv @ 5ma, 50 mA	100 @ 10 Ma, 1V	250 MHz
DDZ43S-7	0,3000	RFQ	3	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	SC-76, SOD-323	DDZ43		200 MW	SOD-323	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.000																		900 mv @ 10 mA		50 na @ 33 v							43 v	90 Ohm
BAT400D-7	- - -	RFQ	1294	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Abgebrochen bei Sic			Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	Bat400	Schottky		SOT-23-3	- - -	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0070	3.000		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)														40 v		550 MV @ 500 mA		50 µa @ 30 V	-40 ° C ~ 125 ° C.	500 mA	125PF @ 0V, 1 MHz
ZTX325	- - -	RFQ	5382	Dioden Eingenbaut	- - -	Schüttgut	Veraltet		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	K. Loch	E-Line-3	ZTX325		350 MW	E-line (bis 92 kompatibel)	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	ZTX325-NDR	Ear99	8541.21.0075	4.000				53 dB																				15 v	50 ma				Npn		25 @ 2MA, 1V	1,3 GHz			5db @ 500MHz
Ztx618Stob	- - -	RFQ	2702	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	K. Loch	E-Line-3, Gebildete Leads	ZTX618		1 w	E-line (bis 92 kompatibel)	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0075	2.000																								20 v	3.5 a	100na			Npn	255mv @ 50 Ma, 3,5a	300 @ 200 Ma, 2V	140 MHz
2N7002AQ-13	0,3000	RFQ	9	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	2N7002	MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	10.000			N-Kanal		60 v	180 ma (ta)	5v	5ohm @ 115 mA, 10V	2v @ 250 ähm		± 20 V	23 PF @ 25 V.	- - -	370 MW (TA)
DMN3730U-7	0,4600	RFQ	119	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	DMN3730	MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	3.000			N-Kanal		30 v	750 Ma (TA)	1,8 V, 4,5 V.	460MOHM @ 200 Ma, 4,5 V.	950 MV @ 250 ähm	1,6 NC @ 4,5 V.	± 8 v	64.3 PF @ 25 V.	- - -	450 MW (TA)
ZTX1056ASTOB	- - -	RFQ	7837	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	K. Loch	E-Line-3, Gebildete Leads	ZTX1056A		1 w	E-line (bis 92 kompatibel)	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0075	2.000																								160 v	3 a	10na			Npn	300mv @ 200 Ma, 3a	300 @ 500 mA, 10 V.	120 MHz
ZXTP2012ZTA	0,8600	RFQ	3540	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-243aa	ZXTP2012		2.1 w	SOT-89-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0075	1.000																								60 v	4.3 a	20na (ICBO)			PNP	215mv @ 500 mA, 5a	100 @ 2a, 1V	120 MHz
DMP3017SFK-7	- - -	RFQ	7405	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-Powerudfn	DMP3017	MOSFET (Metalloxid)		U-DFN2523-6	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	3.000			P-Kanal		30 v	10.4a (ta)	4,5 V, 10 V.	14mohm @ 9.5a, 10V	3v @ 250 ähm	90 nc @ 10 v	± 25 V	4414 PF @ 15 V	- - -	1W (TA)
BAT54ST-7-F-50	0,0748	RFQ	2433	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv			Oberflächenhalterung	SOT-523	Bat54	Schottky		SOT-523	Herunterladen				31-bat54st-7-F-50	Ear99	8541.10.0070	3.000		Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit													1 Paar Serie Verbindung	30 v	200 ma	1 V @ 100 mA	5 ns	2 µa @ 25 V.	-65 ° C ~ 150 ° C.
BAS116-7-G	- - -	RFQ	3375	Dioden Eingenbaut	*	Band & Rollen (TR)	Veraltet					Bas116				- - -		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	BAS116-7-GDI	Ear99	8541.10.0070	3.000
Zumt718ta	0,3900	RFQ	104	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SC-70, SOT-323	Zumt718		500 MW	SOT-323	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000																								20 v	1 a	10na			PNP	250mv @ 100 mA, 1a	200 @ 500 Ma, 2V	210 MHz
DZ9F4V3S92-7	0,3500	RFQ	11	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOD-923	DZ9F4		200 MW	SOD-923	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	10.000																		900 mv @ 10 mA		5 µa @ 1 V							4.3 v	100 Ohm
DMN6140L-7-52	0,0626	RFQ	5650	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	DMN6140	MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	Herunterladen				31-DMN6140L-7-52	Ear99	8541.29.0095	3.000			N-Kanal		60 v	1,6a (ta)	4,5 V, 10 V.	140 MOHM @ 1,8a, 10V	3v @ 250 ähm	8.6 NC @ 10 V	± 20 V	315 PF @ 40 V	- - -	700 MW (TA)
Zdt617ta	- - -	RFQ	2927	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-223-8	ZDT617		2.5W	Sm8	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0075	1.000																								15 v	3a	100na			2 NPN (Dual)	200mv @ 50 Ma, 3a	300 @ 200 Ma, 2V	120 MHz
Zdt6758ta	- - -	RFQ	7691	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-223-8	ZDT6758		2.75W	Sm8	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0075	1.000																								400V	500 mA	100NA (ICBO)			NPN, PNP	500mv @ 10 mA, 100 mA	40 @ 200 Ma, 10V	50 MHz
BCW66HTC	- - -	RFQ	5066	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	BCW66		330 MW	SOT-23-3	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	10.000																								45 V	800 mA	20na			Npn	700 mv @ 50 mA, 500 mA	250 @ 100 mA, 1V	100 MHz
ZXMN10A08DN8TC	- - -	RFQ	7217	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	ZXMN10	MOSFET (Metalloxid)	1.25W	8-so	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2.500	2 n-kanal (dual)				100V	1.6a		250 MOHM @ 3.2a, 10 V	2V @ 250 ähm (min)	7.7nc @ 10v		405PF @ 50V	Logikpegel -tor
BSS138W-7-F-50	0,0635	RFQ	2158	Dioden Eingenbaut	- - -	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SC-70, SOT-323	BSS138	MOSFET (Metalloxid)		SOT-323	Herunterladen		1 (unbegrenzt)		31-BSS138W-7-F-50	Ear99	8541.21.0095	3.000			N-Kanal		50 v	200 Ma (TA)	10V	3,5OHM @ 220 Ma, 10 V.	1,5 V @ 250 ähm		± 20 V	50 PF @ 10 V	- - -	200 MW (TA)
UF3002-T	- - -	RFQ	3759	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet			K. Loch	Do-201ad, axial	UF3002	Standard		Do-201ad	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.10.0080	1.200		SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO)														100 v		1 V @ 3 a	50 ns	5 µa @ 100 V.	-65 ° C ~ 150 ° C.	3a	75PF @ 4V, 1 MHz
Ddtd143ec-7-f	- - -	RFQ	8315	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet			Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	DDTD143		200 MW	SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000																								50 v	500 mA	500NA			NPN - VORGEPANNT	300 mV @ 2,5 mA, 50 mA	47 @ 50 Ma, 5V	200 MHz	4.7 Kohms	4.7 Kohms
DDTA123ECA-7	0,1000	RFQ	252	Dioden Eingenbaut	*	Klebeband (CT) Schneiden	Aktiv					DDTA123				Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	1034-ddta123eca-7dkr	Ear99	8541.21.0075	3.000
ZDT795ATC	- - -	RFQ	4200	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-223-8	ZDT795A		2.75W	Sm8	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0075	4.000																								140V	500 mA	100NA (ICBO)			2 PNP (Dual)	250mv @ 50 mA, 500 mA	300 @ 10ma, 2v	100 MHz
ZX5T949GTA	0,9000	RFQ	166	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-261-4, to-261aa	ZX5T949		3 w	SOT-223-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0075	1.000																								30 v	5.5 a	20na (ICBO)			PNP	210mv @ 500 mA, 5,5a	100 @ 1a, 1V	110 MHz
Ztx849stoa	- - -	RFQ	3098	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	K. Loch	E-Line-3, Gebildete Leads	Ztx849		1,2 w	E-line (bis 92 kompatibel)	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0075	2.000																								30 v	5 a	50na (ICBO)			Npn	220 mV @ 200 Ma, 5a	100 @ 1a, 1V	100 MHz
SBR30A50CTFP-JT	- - -	RFQ	5125	Dioden Eingenbaut	SBR®	Rohr	Veraltet			K. Loch	To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte	SBR30	Superbarriere		ITO-220AB	Herunterladen		1 (unbegrenzt)		31-SBR30A50CTFP-JT	Ear99	8541.10.0080	50		Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO)													1 Paar Gemeinsamer Kathode	50 v	15a	550 mv @ 15 a		500 µa @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C.
DDTA114GCA-7-F	0,0386	RFQ	3077	Dioden Eingenbaut	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv			Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	DDTA114		200 MW	SOT-23-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000																								50 v	100 ma	500NA (ICBO)			PNP - VoreInensmen	300 mV @ 500 µA, 10 mA	30 @ 5ma, 5v	250 MHz		10 Kohms
DMT47M2SFVWQ-13-52	0,3621	RFQ	8354	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke	8-Powervdfn		MOSFET (Metalloxid)		PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX	Herunterladen				31-DMT47M2SFVWQ-13-52	Ear99	8541.29.0095	3.000			N-Kanal		40 v	15,4a (TA), 49,1a (TC)	10V	7,5 MOHM @ 20A, 10V	4v @ 250 ähm	12.1 NC @ 10 V.	± 20 V	897 PF @ 20 V	- - -	2,67W (TA), 27,1W (TC)
BSS138DWQ-7-52	0,0666	RFQ	1680	Dioden Eingenbaut	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BSS138	MOSFET (Metalloxid)	200 MW (TA)	SOT-363	Herunterladen		1 (unbegrenzt)		31-BSS138DWQ-7-52	Ear99	8541.21.0095	3.000	2 N-Kanal				50V	200 Ma (TC)		3,5OHM @ 220 Ma, 10 V.	1,5 V @ 250 ähm	- - -		50pf @ 10v	Standard

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (13379)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²